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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura
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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura

Luogo di origine La Cina
Marca zmsh
Numero di modello Su misura a forma di
Dettagli del prodotto
Materiale:
monocristallo sic
industria:
wafer a semiconduttore,
Applicazioni:
dispositivo, wafer epi-pronto, 5G, elettronica di potenza, rivelatore,
colore:
verde, blu, bianco
Su misura:
APPROVAZIONE
Tipo:
4H-N, 6H-N
Evidenziare: 

substrato del carburo di silicio

,

sic wafer

Descrizione di prodotto

substrati del quadrato su misura 5x5mm di 10x10mm sic, 1inch sic wafer, chip sic di cristallo, sic substrati a semiconduttore, wafer di 6H-N SIC, wafer del carburo di silicio di elevata purezza
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noi materiali a semiconduttore di offerte, particolarmente per sic il wafer, sic il sottostato di polytype 4H e 6H nelle qualità differenti per i produttori di industria e del ricercatore. Abbiamo una buona relazione con sic la fabbrica della crescita dei cristalli e, noi possediamo inoltre abbiamo sic la tecnologia della trasformazione del wafer, abbiamo stabilito una linea di produzione al substrato e sic al wafer del produttore sic. Come società professionale investita dai produttori principali dai campi degli istituti materiali avanzati e alta tecnologia dello stato e della ricerca e del laboratorio a semiconduttore della Cina, siamo dedicati per migliorare continuamente la qualità sic del wafer, attualmente sottostati e per sviluppare i grandi substrati.
 
Campi di applicazione
1 diodo Schottky di alto potere ed ad alta frequenza degli apparecchi elettronici, JFET, BJT, PiN,
diodi, IGBT, MOSFET
2 dispositivi optoelettronici: pricipalmente utilizzato in GaN/nel materiale sic blu del substrato del LED (GaN/sic) LED
 
Advantagement
                              • Disadattamento basso della grata• Alto termale         conducibilità
 
• Basso consumo energetico
 
• Caratteristiche transitorie eccellenti
 
• Alto intervallo di banda
  
 
dimensione comune 2inch per sic i substrati

specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro 2inch (sic) 
GradoGrado zero di MPDGrado di produzioneGrado di ricercaGrado fittizio 
 
Diametro50,8 mm±0.2mm 
 
Spessore330 μm±25μm o 430±25um o 1000um±25um 
 
Orientamento del waferFuori dall'asse: 4.0° verso <1120> ±0.5° per 4H-N/4H-SI sull'asse: <0001> ±0.5° per 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI 
 
Densità di Micropipecm2 ≤0cm2 ≤5cm2 ≤15cm2 ≤100 
 
Resistività4H-N0.015~0.028 Ω•cm 
 
6H-N0.02~0.1 Ω•cm 
 
4/6H-SI≥1E5 Ω·cm 
 
Piano primario{10-10} ±5.0° 
 
Lunghezza piana primaria18,5 mm±2.0 millimetro 
 
Lunghezza piana secondaria10.0mm±2.0 millimetro 
 
Orientamento piano secondarioSilicio rivolto verso l'alto: 90° CW. da ±5.0° piano principale 
 
Esclusione del bordo1 millimetro 
 
TTV/Bow /Warp≤10μm/≤10μm/≤15μm 
 
RugositàRa≤1 polacco nanometro 
 
CMP Ra≤0.5 nanometro 
 
Crepe da luce ad alta intensitàNessuno1 conceduto, ≤2 millimetro≤ cumulativo 10mm, singolo length≤2mm di lunghezza 
 
 
Piatti della sfortuna da luce ad alta intensitàArea cumulativa ≤1%Area cumulativa ≤1%Area cumulativa ≤3% 
 
Aree di Polytype da luce ad alta intensitàNessunoArea cumulativa ≤2%Area cumulativa ≤5% 
 
 
Graffi da luce ad alta intensità3 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer5 graffi alla lunghezza cumulativa del diametro 1×wafer 
 
 
chip del bordoNessuno3 conceduti, ≤0.5 millimetro ciascuno5 conceduti, ≤1 millimetro ciascuno 
 
 

dimensione di immagine: 10x10x0.5mmt,
tolleranza: ±0.03mm
larghezza di profondità x della partita: 0.4mmx0.5mm
TIPO: 4H-semi
superficie: lucidato (ssp o dsp)
Ra: 0.5nm

Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura 0Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura 1
 

FAQ

1. Q: Che cosa è il vostro pacchetto? Sono sicuri?
: forniamo il contenitore automatico di film dell'adsorbimento come pacchetto.
2.Q: Che cosa è il vostro termine di pagamento?
: Il nostro termine di pagamento è in anticipo T/T 50%, 50% prima della consegna.
3.Q: Come posso ottenere alcuni campioni?
: Becauce ha personalizzato i prodotti di forma, noi spera che poteste ordinare il lotto minimo come campione.
4.Q: Quanto tempo tempo possiamo ottenere i campioni?
: Inviamo i campioni in 10 - i 25 giorni dopo che confermate.
5.Q: Come la vostra fabbrica fa per quanto riguarda controllo di qualità?
: La qualità in primo luogo è il nostro motto, lavoratori sempre attribuisce la grande importanza a qualità che controlla da
l'inizio stesso alla fine.

 

Contattici in qualunque momento

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Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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