Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm

Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145.5 mm~150,0 mm spessore 350 μm ± 25 μm

6H wafer in carburo di silicio di tipo P

Il presente documento presenta lo sviluppo e le caratteristiche di un wafer in carburo di silicio (SiC) 6H, di tipo P e fabbricato secondo il grado di produzione standard.Il wafer presenta un diametro compreso tra 145.5 mm e 150,0 mm, con uno spessore controllato di 350 μm ± 25 μm. Grazie alla sua elevata conduttività termica, ampio intervallo di banda e eccellente resistenza alle alte tensioni e temperature,I wafer SiC 6H sono molto adatti per applicazioni nell'elettronica di potenzaQuesto studio si concentra sul processo di fabbricazione, sulle proprietà dei materiali e sui parametri di riferimento di prestazione.fornendo informazioni sul suo potenziale per le applicazioni commerciali dei semiconduttori.

Proprietà dei wafer in carburo di silicio di tipo 6H P

Il wafer a carburo di silicio (SiC) di tipo 6H P-Type Standard Production Grade ha le seguenti proprietà:

• Struttura cristallina: Il 6H SiC ha una struttura cristallina esagonale, offre eccellenti proprietà elettroniche, particolarmente adatte alle applicazioni ad alta frequenza e ad alta tensione.
• Tipo: tipo P (dopato con elementi come alluminio o boro), con elevata conducibilità elettrica, ideale per dispositivi di potenza e applicazioni di commutazione ad alta velocità.
• Diametro: Il diametro del wafer varia da 145,5 mm a 150,0 mm, adatto alle esigenze comuni di confezionamento e di movimentazione dei dispositivi di potenza.
• Spessore: lo spessore del wafer è controllato a 350 μm ± 25 μm,assicurare una resistenza meccanica sufficiente durante la produzione e soddisfare al contempo i requisiti per le wafer sottili nella fabbricazione di dispositivi di potenza ad alte prestazioni.
• Conduttività termica: I materiali SiC hanno un'elevata conduttività termica, che consente un'efficiente dissipazione del calore, rendendoli ideali per applicazioni ad alta temperatura.
• Largo intervallo: Il 6H SiC ha un ampio intervallo di banda (~ 3,0 eV), che gli consente di gestire elevate tensioni e funzionare a temperature elevate, adatto per elettronica di potenza ad alta tensione e dispositivi elettronici ad alta frequenza.
• Resistenza alle alte temperature: i wafer in carburo di silicio presentano un'eccellente stabilità fisica e chimica in ambienti ad alta temperatura, che li rende adatti per dispositivi elettronici in condizioni estreme.
• Resistenza alle radiazioni: I materiali in SiC sono altamente resistenti alle radiazioni, rendendoli adatti alle applicazioni aerospaziali e militari.

Queste proprietà rendono il 6H P-Type SiC wafer un materiale ideale per dispositivi elettronici ad alta potenza, ad alta frequenza e ad alta temperatura, ampiamente utilizzati in elettronica di potenza, dispositivi a semiconduttori, radar,e dei sistemi di comunicazione.

Grafico dei dati dei wafer al carburo di silicio 6H tipo P

6 pollici di diametro Carburo di silicio (SiC) Specifica del substrato

Orientazione del substrato di SiC

6H P-Type Silicon Carbide wafer foto

Applicazione di wafer in carburo di silicio di tipo 6H

Il wafer in carburo di silicio (SiC) di tipo 6H P ha diverse applicazioni importanti a causa delle sue proprietà materiali uniche, che lo rendono adatto all'elettronica ad alte prestazioni e a condizioni estreme.Le principali applicazioni comprendono::

1. Elettronica di potenza: i Wafer SiC sono ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici di potenza come MOSFET, diodi e tiristori.trasformatori, e motori, in particolare nei sistemi di energia rinnovabile, nei veicoli elettrici (EV) e nelle apparecchiature industriali.

2. Elettronica ad alta temperatura: Grazie all'elevata stabilità termica del 6H SiC, è ideale per dispositivi che operano a temperature estreme, come sensori, alimentatori e sistemi di controllo per l'aerospaziale, l'automotive,e applicazioni industriali.

3. Dispositivi ad alta frequenza: L'ampio intervallo di banda del SiC lo rende adatto per applicazioni RF (radio frequenza) e microonde.e infrastrutture di comunicazione wireless per la comunicazione ad alta frequenza, amplificatori e interruttori ad alta potenza.

4. Veicoli elettrici: le onde di SiC sono utilizzate nei convertitori di potenza, negli inverter e nei sistemi di ricarica dei veicoli elettrici, contribuendo a migliorare l'efficienza, la ricarica più rapida,e una maggiore autonomia a causa di minori perdite di energia rispetto ai dispositivi tradizionali in silicio.

5. Aerospaziale e difesa: La resistenza del SiC ̊ alle radiazioni e alle alte temperature lo rende un materiale eccellente per applicazioni nell'esplorazione spaziale, nei sistemi satellitari e nell'elettronica militare.Viene utilizzato in amplificatori ad alta potenza, trasmettitori e sensori per ambienti estremi.

6. Sistemi di energia rinnovabile: i dispositivi a base di SiC sono essenziali nelle applicazioni di energia rinnovabile, come gli inverter solari e i sistemi di energia eolica,a causa della loro elevata efficienza e capacità di gestire alte tensioni e temperature, riducendo le perdite di energia e migliorando le prestazioni complessive del sistema.

7. Dispositivi di commutazione ad alta potenza: le onde SiC sono utilizzate per la fabbricazione di interruttori semiconduttori ad alta potenza utilizzati nelle reti elettriche industriali,quando l'efficienza e la capacità di funzionare in condizioni di corrente e tensione elevate sono cruciali.

8. LED e optoelettronica: Il SiC è utilizzato come substrato per la produzione di LED, in particolare per LED ad alta luminosità e alta potenza, nonché per dispositivi optoelettronici utilizzati in sensori e sistemi di comunicazione ottica.

Queste applicazioni beneficiano della capacità dei wafer SiC 6H P-Type di gestire alte tensioni, operare a temperature estreme e fornire eccellenti conducibilità termica e prestazioni ad alta frequenza,rendendolo un materiale critico per l'elettronica avanzata.

Domande e risposte

D:Qual è la differenza tra carburo di silicio 4H e 6H?

A:La differenza principale tra il carburo di silicio 4H e 6H (SiC) risiede nelle loro strutture cristalline, che hanno un impatto significativo sulle loro proprietà elettroniche e fisiche.

1. Struttura cristallina:
   4H e 6H si riferiscono a diversi politipi di SiC, caratterizzati da variazioni nelle loro sequenze di impilazione.e il numero (4 o 6) indica il numero di doppi strati di Si-C in una cella unitaria.

   • 4H-SiCha quattro doppi strati nella sua sequenza di impilazione.
   • 6H-SiCha sei doppi strati nella sua sequenza di impilazione.

2. Mobilità elettronica:
   Una delle differenze più significative è la loro mobilità elettronica, che influenza la loro efficienza nei dispositivi elettronici.

   • 4H-SiCoffre una maggiore mobilità elettronica (circa 900 cm2/Vs), rendendolo più adatto per dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.
   • 6H-SiCha una mobilità elettronica inferiore (circa 400 cm2/Vs), il che ne limita l'efficienza in alcune applicazioni.

3. Bandgap:
   Sia il 4H che il 6H SiC hanno larghi intervalli di banda, ma il 4H-SiC ha un intervallo di banda leggermente maggiore (3,26 eV) rispetto al 6H-SiC (3,0 eV).Questo rende il 4H-SiC più adatto per applicazioni ad alta tensione e ad alta temperatura.

4. Utilizzo commerciale:
   A causa della sua mobilità elettronica superiore e della sua larghezza di banda4H-SiCè il politipo preferito per dispositivi di potenza, in particolare in applicazioni ad alta tensione e ad alta efficienza come veicoli elettrici, inverter solari ed elettronica industriale.
   6H-SiC, sebbene ancora in uso, è generalmente meno favorito per l'elettronica di potenza, ma può essere trovato in applicazioni a prestazioni inferiori o dove la differenza di mobilità non è così critica.

In sintesi, il 4H-SiC è generalmente considerato migliore per l'elettronica di potenza ad alte prestazioni a causa della sua mobilità elettronica superiore e del più grande intervallo di banda, mentre il 6H-SiC ha un uso più limitato in confronto.