Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici

Wafer al carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di qualità 4 pollici 6 pollici

Riassunto di Wafer di Carburo di Silicio 4H P-Type

Il presente studio presenta le caratteristiche e le potenziali applicazioni di un wafer a carburo di silicio (SiC) 4H tipo P, un materiale semiconduttore noto per le sue eccezionali proprietà elettroniche e termiche.Il wafer 4H-SiC, dotato di una struttura cristallina esagonale, è dopato specificamente per mostrare una conduttività di tipo P. Ha un ampio intervallo di banda di 3,26 eV, elevata mobilità elettronica ed eccellente conduttività termica,che lo rende altamente adatto per l'alta tensioneInoltre, la sua capacità di resistere a ambienti difficili, come l'alta radiazione e le temperature estreme, lo rende ideale per l'uso in aerospaziale,elettronica di potenzaQuesto documento si concentra sul processo di fabbricazione, sulle proprietà dei materiali, sulle caratteristiche e sulle caratteristiche dei wafer SiC 4H P-Type.e il suo potenziale per migliorare le prestazioni dei dispositivi nei sistemi elettronici avanzati.

Le foto di Silicon Carbide Wafer 4H P-Type

Grafico dei dati del wafer al carburo di silicio 4H P-Type

4 pollici di diametro Carburo di silicio (SiC) Specifica del substrato

等级Grade			精选级 ((Z 级) Zero produzione di MPD Grado (grado Z)	工业级 ((P 级) Produzione standard Grado (grado P)	测试级 ((D 级) Grado D (D Grade)
Diametro			99.5 mm~100,0 mm
厚度 Spessore			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Orientazione del wafer			Al di fuori dell'asse: 2,0°-4,0° verso l'esterno [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, sull'asse:
微管密度 ※ Micropipe Density			0 cm-2
电 阻 率 ※ Resistenza	tipo p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω ̊cm		≤ 0,3 Ω ̊cm
	n-tipo 3C-N		≤ 0,8 mΩ ̊cm		≤ 1 m Ω ̊cm
Principale posizione:primario Orientazione piatta		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Lunghezza primaria piatta			32.5 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Length Lungozza secondaria piatta			18.0 mm ± 2,0 mm
2° orientamento			Silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime flat ± 5,0°
边缘去除 L'esclusione di bordo			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/??曲度/??曲度 LTV/TTV/Bow /Warp			≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm		≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm
表面粗度 ※ Ruvidità			Ra≤1 nm polacco
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Fessure di bordo da luce ad alta intensità			Nessuna		Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Piastre esattive con luce ad alta intensità			Superficie cumulata ≤ 0,05%		Superficie cumulata ≤ 0,1%
多型 ((强光灯观测) ※ Polytypes Areas By High Intensity Light (Aree di politipi con luce ad alta intensità)			Nessuna		Superficie cumulativa ≤ 3%
Inclusioni di carbonio visivo			Superficie cumulata ≤ 0,05%		Superficie cumulata ≤ 3%
# La superficie del silicio graffiata dalla luce ad alta intensità			Nessuna		Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro della wafer
崩边 ((强光灯观测) Chips di bordo High By Intensity Light			Nessuna ammissibile larghezza e profondità ≥ 0,2 mm		5 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno
Inquinamento della superficie del silicio ad alta intensità			Nessuna
包装 Imballaggio			Cassette a più wafer o contenitori a singola wafer

Carburo di silicio Wafer 4H P-Type

Il wafer in carburo di silicio (SiC) 4H di tipo P ha le seguenti proprietà chiave:

Struttura cristallina:

Il 4H-SiC ha una struttura cristallina esagonale con quattro strati nella sua sequenza di impilamento.

Conduttività di tipo P:

Il wafer è dopato con impurità accettanti (come alluminio o boro), conferendogli una conduttività di tipo P. Questo consente al wafer di condurre portatori di carica positiva (fori),con una tensione di potenza superiore a 50 W.

Largo intervallo:

Il 4H-SiC presenta un ampio intervallo di banda di circa 3,26 eV, che gli consente di operare a tensioni, temperature e frequenze più elevate rispetto al silicio.Questa proprietà lo rende ideale per l'elettronica di potenza e le applicazioni ad alta temperatura.

Alta mobilità elettronica:

Il 4H-SiC ha una maggiore mobilità elettronica (~ 900 cm2/Vs) rispetto ad altri politipi di SiC, portando a prestazioni migliorate nei dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta potenza.

Conduttività termica:

Con un'eccellente conduttività termica, il 4H-SiC dissipa efficacemente il calore, rendendolo adatto a dispositivi che funzionano in ambienti ad alta potenza o ad alta temperatura,come gli inverter di potenza e i dispositivi RF.

Campo elettrico ad alta rottura:

Il 4H-SiC può resistere a campi elettrici più elevati (~ 2,2 MV/cm), consentendo ai dispositivi realizzati con esso di funzionare a tensioni più elevate senza il rischio di guasto.

Resistenza alle radiazioni:

Questo materiale è altamente resistente alle radiazioni, il che lo rende adatto per l'uso in applicazioni aerospaziali, satellitari e nucleari.

Queste proprietà rendono il wafer SiC 4H P-Type ideale per applicazioni ad alte prestazioni, alta efficienza e alta durata in settori come l'elettronica di potenza, l'aerospaziale e le energie rinnovabili.

Applicazioni per wafer al carburo di silicio 4H P-Type

Il wafer in carburo di silicio (SiC) di tipo 4H P è ampiamente utilizzato in varie applicazioni avanzate a causa delle sue proprietà materiali uniche.

Elettronica di potenza:

L'ampio intervallo di banda e l'elevata tensione di rottura del 4H-SiC lo rendono ideale per l'uso in dispositivi semiconduttori di potenza come MOSFET, diodi di Schottky e tiristori.Questi dispositivi sono essenziali in alta tensione, sistemi di alimentazione ad alta efficienza come inverter, convertitori e motori per veicoli elettrici (EV), sistemi di energia rinnovabile e attrezzature industriali.

Elettronica ad alta temperatura:

La capacità di funzionamento a temperature elevate del 4H-SiC® lo rende adatto per l'elettronica di potenza in ambienti estremi, come l'industria aerospaziale, automobilistica e petrolifera e del gas.circuiti di controllo, e moduli di alimentazione che devono funzionare in condizioni termiche difficili.

Dispositivi ad alta frequenza:

A causa della sua elevata mobilità elettronica e conducibilità termica, il 4H-SiC è un materiale preferito per dispositivi ad alta frequenza, come amplificatori RF, transistor a microonde e sistemi radar.Consente velocità di commutazione più elevate e minori perdite di energia, cruciale per le applicazioni di comunicazione e di difesa.

Veicoli elettrici:

Nei veicoli elettrici, i wafer 4H-SiC sono utilizzati in sistemi di gestione dell'energia come caricabatterie di bordo, inverter di potenza e regolatori del motore.tempi di ricarica più rapidi, e prestazioni migliorate del veicolo riducendo le perdite di energia e la dissipazione del calore.

Sistemi di energia rinnovabile:

L'elevata efficienza e la durata dei dispositivi di alimentazione 4H-SiC li rendono parte integrante dei sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari e i regolatori delle turbine eoliche.Aiutano a migliorare le prestazioni del sistema riducendo al minimo le perdite di energia e consentendo il funzionamento in condizioni di stress elevato.

Aerospaziale e difesa:

La resistenza alle radiazioni e le capacità ad alte temperature del 4H-SiC lo rendono adatto per applicazioni aerospaziali come sistemi satellitari, apparecchiature di esplorazione spaziale e elettronica militare.Garantisce affidabilità e prestazioni in ambienti difficili con elevata esposizione alle radiazioni.

Reti elettriche ad alta tensione:

I wafer 4H-SiC sono utilizzati nelle reti di trasmissione e distribuzione di energia.consentire l'integrazione di fonti di energia rinnovabili, e migliorare la stabilità delle reti elettriche.

Queste applicazioni dimostrano l'ampia gamma di settori in cui i Wafer SiC 4H di tipo P sono fondamentali, in particolare nei settori che richiedono elevata efficienza, elevata potenza,e durabilità in condizioni estreme.

Domande e risposte

D:Cos'è un substrato di wafer in carburo di silicio?

A:Un substrato di wafer a carburo di silicio (SiC) è una fetta sottile di materiale SiC cristallino utilizzato come base per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori.I substrati di SiC sono noti per la loro elettricità superiore, proprietà termiche e meccaniche rispetto ai tradizionali substrati di silicio.ad alta temperatura, e applicazioni ad alta frequenza.

I substrati SiC sono utilizzati principalmente in elettronica di potenza, tra cui MOSFET, diodi Schottky e dispositivi RF, dove le prestazioni in condizioni estreme sono critiche.Servono anche come base per la crescita degli strati epitaxiali, dove vengono depositati materiali semiconduttori aggiuntivi per creare strutture elettroniche avanzate.

A causa della loro robustezza, i substrati di SiC sono essenziali in settori come veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile, aerospaziale e telecomunicazioni, contribuendo a migliorare l'efficienza, la durata,e performance complessive nelle applicazioni più impegnative.