Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici 4H-N Tipo P/D/R Grado Mohs.9 Personalizzazione per più applicazioni Introduzione del prodotto Il SiC, comunemente indicato come carburo di silicio, è un composto ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Wafer Sic a carburo di silicio da 4 pollici Tipo 4H-P Diametro 100 mm Spessore 350 μm Grado primario Grado di ricerca Il carburo di silicio 4H-P (SiC) è un importante materiale ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Sic Wafer in carburo di silicio 5*5mm/10*10mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza Il carburo di silicio 4H-P (SiC) è un importante materiale semiconduttore comunemente ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 2/4/6/8 pollici Sic Carburo di silicio Substrato di semi di cristallo 4H-N Tipo Alta durezza P Grado R Grado D Grado Il carburo di silicio (SiC), comunemente indicato come carburo di ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 6H-P Per comunicazioni e sistemi radar Diametro 150 mm Prime Grade 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a ... Leggi di più
Descrizione del prodotto Sic 3C-N Tipo Dimensione Meccanica Tipo conduttore per sistemi radar Grado di produzione MPD zero Il 3C-SiC (Carburo di silicio cubico) è un materiale semiconduttore a banda larga con ... Leggi di più
Descrizione del prodotto Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate Un chip a carburo di silicio è un ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Diametro 150 mm Spessore 350 μm Zero MPD Produzione, grado di produzione standard Il carburo di silicio 4H-P (SiC) è un importante ... Leggi di più
Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm Introduzione del prodotto Il substrato monocristallino di carburo di silicio (SiC) di tipo 4H n è un materiale semiconduttore ... Leggi di più
3 pollici HPSI Carburo di silicio SiC Spessore del substrato 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Traslucido Riguardo all' HPSI L' HPSI SiC wafer è un materiale semiconduttore avanzato, ampiamente ... Leggi di più