Substrati in carburo di silicio semiconduttori ad alta purezza - Soluzioni per wafer multi-diametro (da 2" a 8")

I wafer in carburo di silicio semiisolanti ad alta purezza (HPSI) rappresentano materiali di substrato semiconduttori avanzati progettati per ambienti operativi ad alta frequenza, alta potenza e temperatura elevata. Realizzati in configurazioni di diametro da 2 pollici a 8 pollici, questi substrati sono disponibili in più livelli di qualità: Prime Grade (per la produzione), Dummy Grade (per la verifica del processo) e Research Grade (per scopi sperimentali), rispondendo a diversi requisiti nella produzione industriale e nella ricerca scientifica.

• Infrastruttura di comunicazione ad alta frequenza (stazioni base 5G)
• Componenti di sistemi radar aerospaziali e di difesa
• Sistemi di conversione della potenza dei veicoli elettrici
• Sviluppo avanzato di processi per semiconduttori
• Ricerca scientifica dei materiali all’avanguardia

Questo materiale presenta una resistività elettrica estremamente elevata, riducendo efficacemente al minimo la dispersione di corrente parassita nelle applicazioni ad alta frequenza e alta tensione.

Sì, supportiamo specifiche su misura tra cui concentrazione di drogaggio, parametri dimensionali e caratteristiche superficiali per i prodotti Prime e Research Grade.

I wafer Prime Grade presentano una densità di difetti minima adatta alla fabbricazione di dispositivi attivi, mentre Dummy Grade fornisce soluzioni economiche per i test di processo e la calibrazione delle apparecchiature.

Ogni wafer viene sottoposto a sigillatura sottovuoto individuale utilizzando materiali compatibili con le camere bianche per garantire l'integrità della superficie durante il trasporto.

Gli ordini con specifiche standard vengono generalmente spediti entro 2-4 settimane, mentre i requisiti personalizzati richiedono generalmente 4-6 settimane per essere soddisfatti.

Filiera produttiva completa dal taglio alla pulizia finale e confezionamento.

Capacità di recuperare wafer con diametro compreso tra 4 e 12 pollici.

20 anni di esperienza nel wafering e nel recupero di materiali elettronici monocristallini

ZMSH Technology è in grado di fornire ai clienti substrati SiC conduttivi importati e nazionali di alta qualità, semi-isolanti da 2-6 pollici e HPSI (semi-isolanti ad alta purezza) in lotti; Inoltre è in grado di fornire ai clienti lastre epitassiali in carburo di silicio omogenee ed eterogenee, ed è inoltre personalizzabile in base alle specifiche esigenze del cliente, senza alcun quantitativo minimo d'ordine.