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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

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Effettore di fine portante per la manipolazione dei wafer

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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