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Disco di taglio del substrato 4H-SEMI SiC Dia 10 mm Spessore 5 mm <0001> Alta durezza

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità

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4H-SEMI Carburo di silicio SiC Substrato 2 pollici Spessore 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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4H-N SiC Sottostrato Silicio Carbonio Sottostrato Quadrato 5mm*5mm Spessore personalizzato 350um Prime Grade/ Dummy Grade

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello

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4 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 100mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato

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Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici 4H-N Tipo P/D/R Grado Mohs.9 Personalizzazione per più applicazioni

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial

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HPSI SiC Wafer 2-12 Inch Optical Grade for AI/AR Glasses

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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Ricerche SIC

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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici

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Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm

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Attrezzatura per il legame delle wafer Temperatura della stanza Bondin Legame idrofilico Si-SiC Si-Si 2 -12 pollici

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Piastra portante a più Wafer SiC Carburo di silicio sinterizzato senza pressione per supporto a Wafer

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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