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Disco di taglio del substrato 4H-SEMI SiC Dia 10 mm Spessore 5 mm <0001> Alta durezza

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Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P Tipo Off Asse 2.0° verso la produzione Grado di ricerca Grado

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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4 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 100mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato

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Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici 4H-N Tipo P/D/R Grado Mohs.9 Personalizzazione per più applicazioni

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4H-N Silicio Carburo SiC Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Prime Grade Dummy Grade

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Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm

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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici

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Wafer in carburo di silicio 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici per uso industriale con rugosità superficiale ≤ 0,2 nm

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Piastra portante a più Wafer SiC Carburo di silicio sinterizzato senza pressione per supporto a Wafer

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