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Buon prezzo di 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC del wafer di silicio del carburo grado fittizio principale del substrato sic in linea
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Wafer SiC da 8 pollici Wafer Carburo di Silicio Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um

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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

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Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni

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4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

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4" 4H-Semi-Sic Wafer di alta purezza SIC Sottostrati EPI semiconduttori di primaria qualità

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Wafer Sic a carburo di silicio da 4 pollici Tipo 4H-P Diametro 100 mm Spessore 350 μm Grado primario Grado di ricerca

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Del grado 6inch di silicio del carburo substrati principali FITTIZI di spessore del wafer 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic

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Substrato ceramico del catalizzatore dei wafer DSP di 4H-N 5x5mm sic

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Tipo conduttivo su ordinazione sic wafer per fotovoltaico solare ad alta tensione ad alta temperatura del dispositivo di potere

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