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6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione
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3 pollici HPSI SiC Spessore del substrato 500um Prime Dummy Research Grade Grade Traslucido ottico per occhiali AR
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Sic macchina di taglio del filo di diamante Guida di precisione Sic taglio di barre cristalline
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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza
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6 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 150mm Spessore 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade
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Strumento di orientamento delle wafer basato su XRD per la determinazione dell'angolo di taglio ad alta precisione
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Il forno per la coltivazione di ingotti SiC utilizza PVT, Lely TSSG e metodi LPE per coltivare cristalli di grandi dimensioni di 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici
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1 pollice Single Wafer Cassette per lo stoccaggio di wafer ESD-Safe