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Sic substrato
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| Luogo di origine | La CINA |
| Marca | SICC |
| Certificazione | CE |
| Numero di modello | 4h-n |
di 2inch dia50.8mm 330μm di spessore 4 di H-N Type grado di produzione del substrato sic
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch
che cosa è sic subatrate
Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.
Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.
Applicazioni
Deposito del nitruro di III-V
Dispositivi optoelettronici
Dispositivi ad alta potenza
Dispositivi ad alta temperatura
Dispositivi di potere ad alta frequenza
Specificazione
| Grado | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | |
| Diametro | 50,8 millimetro +/- 0,38 millimetri | |||
| Spessore |
330 um +/- 25 N tipi um Semi-isolando 250 um +/- 25 um |
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| Orientamento del wafer |
Sull'asse: <0001> +/- 0,5 gradi per 6H-N /4H-N /4H-SI /6H-SI Fuori dall'asse: 4,0 gradi verso <11-20> +/--0,5 grado per 4H-N /4H-SI |
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| Densità di Micropipe (MPD) | 5 cm-2 | 15 cm-2 | 30 cm-2 | |
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Resistività elettrica (Ohm-cm) |
4H-N | 0.015~0.028 | ||
| 6H-N | 0.02~0.1 | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | (90%) >1E5 | ||
| Verniciatura della concentrazione |
N tipo: ~ 1E18/cm3 Si tipo (V-verniciato): ~ 5E18/cm3 |
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| Piano primario | {10-10} +/- 5,0 gradi | |||
| Lunghezza piana primaria | 15,9 millimetro +/- 1,7 millimetri | |||
| Lunghezza piana secondaria | 8,0 millimetro +/- 1,7 millimetri | |||
| Orientamento piano secondario | Silicio rivolto verso l'alto: 90 gradi CW dal piano principale +/- 5,0 gradi | |||
| Esclusione del bordo | 1 millimetro | |||
| TTV/arco/filo di ordito | 15 um/25um/25um | |||
| Rugosità di superficie | Ra polacco ottico 1 nanometro sul fronte di C | |||
| Ra del CMP 0,5 nanometri sul fronte di si | ||||
| Crepe ispezionate da luce ad alta intensità | Nessuno | Nessuno | 1 conceduto, 1 millimetro | |
| Piatti della sfortuna ispezionati da light* ad alta intensità | Area cumulativa 1% | Area cumulativa 1% | Area cumulativa 3% | |
| Aree di Polytype ispezionate da light* ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa 2% | Area cumulativa 5% | |
| Graffi ispezionati da luce ad alta intensità ** |
3 graffi al diametro 1wafer lunghezza cumulativa |
5 graffi - 1 diametro del wafer lunghezza cumulativa |
8 graffi - 1 diametro del wafer lunghezza cumulativa |
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| Scheggia del bordo | Nessuno | 3 conceduti, 0,5 millimetri ciascuno | 5 conceduti, 1 millimetro ciascuno | |
| Contaminazione di superficie come ispezionata da luce ad alta intensità | Nessuno | |||
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
Prezzo
La società di ZMSH offre il migliore prezzo sul mercato per i wafer di alta qualità sic ed i substrati sic di cristallo fino a sei (6) diametro di pollice. Le nostre garanzie di corrispondenza di politica di prezzi voi il migliore prezzo per i prodotti sic di cristallo con le specifiche comparabili. CONTATTO Stati Uniti oggi per ottenere la vostra citazione.
Personalizzazione
I prodotti sic di cristallo su misura possono essere fatti per rispondere ai requisiti particolari ed alle specifiche del cliente.
i Epi-wafer possono anche essere su ordine su richiesta.
FAQ
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: (1) accettiamo in anticipo 50% T/T ed abbiamo lasciato 50% prima della consegna da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.
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: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.
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