di 2inch dia50.8mm 330μm di spessore 4 di H-N Type grado di produzione del substrato sic
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch
che cosa è sic subatrate
Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.
Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.
Applicazioni
Deposito del nitruro di III-V
Dispositivi optoelettronici
Dispositivi ad alta potenza
Dispositivi ad alta temperatura
Dispositivi di potere ad alta frequenza
Specificazione
| Grado |
Grado di produzione |
Grado di ricerca |
Grado fittizio |
| Diametro |
50,8 millimetro +/- 0,38 millimetri |
| Spessore |
330 um +/- 25 N tipi um
Semi-isolando 250 um +/- 25 um
|
| Orientamento del wafer |
Sull'asse: <0001> +/- 0,5 gradi per 6H-N /4H-N /4H-SI /6H-SI
Fuori dall'asse: 4,0 gradi verso <11-20> +/--0,5 grado per 4H-N /4H-SI
|
| Densità di Micropipe (MPD) |
5 cm-2 |
15 cm-2 |
30 cm-2 |
|
Resistività elettrica
(Ohm-cm)
|
4H-N |
0.015~0.028 |
| 6H-N |
0.02~0.1 |
| 4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
| Verniciatura della concentrazione |
N tipo: ~ 1E18/cm3
Si tipo (V-verniciato): ~ 5E18/cm3
|
| Piano primario |
{10-10} +/- 5,0 gradi |
| Lunghezza piana primaria |
15,9 millimetro +/- 1,7 millimetri |
| Lunghezza piana secondaria |
8,0 millimetro +/- 1,7 millimetri |
| Orientamento piano secondario |
Silicio rivolto verso l'alto: 90 gradi CW dal piano principale +/- 5,0 gradi |
| Esclusione del bordo |
1 millimetro |
| TTV/arco/filo di ordito |
15 um/25um/25um |
| Rugosità di superficie |
Ra polacco ottico 1 nanometro sul fronte di C |
| Ra del CMP 0,5 nanometri sul fronte di si |
| Crepe ispezionate da luce ad alta intensità |
Nessuno |
Nessuno |
1 conceduto, 1 millimetro |
| Piatti della sfortuna ispezionati da light* ad alta intensità |
Area cumulativa 1% |
Area cumulativa 1% |
Area cumulativa 3% |
| Aree di Polytype ispezionate da light* ad alta intensità |
Nessuno |
Area cumulativa 2% |
Area cumulativa 5% |
| Graffi ispezionati da luce ad alta intensità ** |
3 graffi al diametro 1wafer
lunghezza cumulativa
|
5 graffi - 1 diametro del wafer
lunghezza cumulativa
|
8 graffi - 1 diametro del wafer
lunghezza cumulativa
|
| Scheggia del bordo |
Nessuno |
3 conceduti, 0,5 millimetri ciascuno |
5 conceduti, 1 millimetro ciascuno |
| Contaminazione di superficie come ispezionata da luce ad alta intensità |
Nessuno |
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
Prezzo
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