Dettagli del prodotto
Luogo di origine: La CINA
Marca: SICC
Certificazione: CE
Numero di modello: 4h-n
Termini di pagamento e spedizione
Quantità di ordine minimo: 3PCS
Prezzo: by size and grade
Imballaggi particolari: singolo contenitore di contenitore del wafer o contenitore di cassetta 25pc
Tempi di consegna: 1-4weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 1000pc/month
Materiali: |
SIC di cristallo |
Tipo: |
4h-n |
Purezza: |
99,9995% |
Resistività: |
0.015~0.028ohm.cm |
Dimensione: |
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch |
Spessore: |
330um o su misura |
MPD: |
《2cm-2 |
Applicazione: |
per lo SBD, MOS Device |
TTV: |
《15um |
arco: |
《25um |
filo di ordito: |
《45um |
Materiali: |
SIC di cristallo |
Tipo: |
4h-n |
Purezza: |
99,9995% |
Resistività: |
0.015~0.028ohm.cm |
Dimensione: |
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch |
Spessore: |
330um o su misura |
MPD: |
《2cm-2 |
Applicazione: |
per lo SBD, MOS Device |
TTV: |
《15um |
arco: |
《25um |
filo di ordito: |
《45um |
di 2inch dia50.8mm 330μm di spessore 4 di H-N Type grado di produzione del substrato sic
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch
che cosa è sic subatrate
Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.
Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.
Applicazioni
Deposito del nitruro di III-V
Dispositivi optoelettronici
Dispositivi ad alta potenza
Dispositivi ad alta temperatura
Dispositivi di potere ad alta frequenza
Specificazione
| Grado | Grado di produzione | Grado di ricerca | Grado fittizio | |
| Diametro | 50,8 millimetro +/- 0,38 millimetri | |||
| Spessore |
330 um +/- 25 N tipi um Semi-isolando 250 um +/- 25 um |
|||
| Orientamento del wafer |
Sull'asse: <0001> +/- 0,5 gradi per 6H-N /4H-N /4H-SI /6H-SI Fuori dall'asse: 4,0 gradi verso <11-20> +/--0,5 grado per 4H-N /4H-SI |
|||
| Densità di Micropipe (MPD) | 5 cm-2 | 15 cm-2 | 30 cm-2 | |
|
Resistività elettrica (Ohm-cm) |
4H-N | 0.015~0.028 | ||
| 6H-N | 0.02~0.1 | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | (90%) >1E5 | ||
| Verniciatura della concentrazione |
N tipo: ~ 1E18/cm3 Si tipo (V-verniciato): ~ 5E18/cm3 |
|||
| Piano primario | {10-10} +/- 5,0 gradi | |||
| Lunghezza piana primaria | 15,9 millimetro +/- 1,7 millimetri | |||
| Lunghezza piana secondaria | 8,0 millimetro +/- 1,7 millimetri | |||
| Orientamento piano secondario | Silicio rivolto verso l'alto: 90 gradi CW dal piano principale +/- 5,0 gradi | |||
| Esclusione del bordo | 1 millimetro | |||
| TTV/arco/filo di ordito | 15 um/25um/25um | |||
| Rugosità di superficie | Ra polacco ottico 1 nanometro sul fronte di C | |||
| Ra del CMP 0,5 nanometri sul fronte di si | ||||
| Crepe ispezionate da luce ad alta intensità | Nessuno | Nessuno | 1 conceduto, 1 millimetro | |
| Piatti della sfortuna ispezionati da light* ad alta intensità | Area cumulativa 1% | Area cumulativa 1% | Area cumulativa 3% | |
| Aree di Polytype ispezionate da light* ad alta intensità | Nessuno | Area cumulativa 2% | Area cumulativa 5% | |
| Graffi ispezionati da luce ad alta intensità ** |
3 graffi al diametro 1wafer lunghezza cumulativa |
5 graffi - 1 diametro del wafer lunghezza cumulativa |
8 graffi - 1 diametro del wafer lunghezza cumulativa |
|
| Scheggia del bordo | Nessuno | 3 conceduti, 0,5 millimetri ciascuno | 5 conceduti, 1 millimetro ciascuno | |
| Contaminazione di superficie come ispezionata da luce ad alta intensità | Nessuno | |||
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
Prezzo
La società di ZMSH offre il migliore prezzo sul mercato per i wafer di alta qualità sic ed i substrati sic di cristallo fino a sei (6) diametro di pollice. Le nostre garanzie di corrispondenza di politica di prezzi voi il migliore prezzo per i prodotti sic di cristallo con le specifiche comparabili. CONTATTO Stati Uniti oggi per ottenere la vostra citazione.
Personalizzazione
I prodotti sic di cristallo su misura possono essere fatti per rispondere ai requisiti particolari ed alle specifiche del cliente.
i Epi-wafer possono anche essere su ordine su richiesta.
FAQ
Q: Che cosa è il modo del termine di trasporto e di costo e di paga?
: (1) accettiamo in anticipo 50% T/T ed abbiamo lasciato 50% prima della consegna da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 3pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs su.
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.
