Dettagli:
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Struttura cristallina: | 4H-SiC singolo cristallo | Dimensione: | 2inch 3inch 4inch 6inch |
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Diametro/spessore: | Personalizzato | Resistenza: | 0.01–100 Ω·cm |
Rugosità superficiale: | < 0,2 nm (Ra) | TTV: | <5 µm |
Evidenziare: | wafer sic epitassiale 6inch,Wafer SiC epitaxiale da 4 pollici,Grado di produzione di Wafer epitaxiali SiC |
2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici SiC Wafers Epitaxial 4H-N Production Grade
Profilo aziendale:
In qualità di fornitore leader di Wafer epitaxiali a SiC (carburo di silicio), ZMSH è specializzata nella produzione, lavorazione,e distribuzione globale di wafer epitaxiali conduttive di alta qualità di tipo 4H-N e di grado MOS in 2 pollici (50.8mm), 3 pollici (76,2mm), 4 pollici (100mm) e 6 pollici (150mm) di diametro, con capacità che si estendono fino a 12 pollici (300mm) per le richieste future dell'industria.
Il nostro portafoglio di prodotti comprende:
·Substrati di SiC conduttivi di tipo 4H-N e 6H-N (per dispositivi di potenza)
·Wafer semisolatrici ad alta purezza (HPSI) e wafer standard SEMI (per applicazioni RF)
·Wafer SiC di tipo 4H/6H-P e di tipo 3C-N (per esigenze specializzate di semiconduttori)
·Doping personalizzato, spessore e finiture superficiali (CMP, epi-ready, ecc.)
Con una tecnologia avanzata di crescita epitaxial CVD, un rigoroso controllo di qualità (ISO 9001) e una completa capacità di elaborazione interna, serviamo l'automotive, l'elettronica di potenza, il 5G,e industria aerospaziale in tutto il mondo.
Parametro | Specificità |
Struttura cristallina | 4H-SiC (tipo N) |
Diametro | 2 / 3 / 4 / 6 |
Spessore dell'Epi | 5-50 μm (su misura) |
Concentrazione di doping | 1e15~1e19 cm−3 |
Resistenza | 00,01 ‰ 100 Ω·cm |
Roughness superficiale | < 0,2 nm (Ra) |
Densità di dislocazione | < 1 × 103 cm−2 |
TTV (variazione totale dello spessore) | < 5 μm |
Pagina di guerra | < 30 μm |
(Tutte le specifiche personalizzabili
1. prestazioni elettriche superiori
2. Eccellenti proprietà termiche
3Strato epitaxiale di alta qualità
4. Disponibili vari tipi di wafer
1Veicoli elettrici e ricarica rapida
2Energia rinnovabile e energia industriale
3. Comunicazioni 5G e RF
4Aerospaziale e Difesa
5Elettronica di consumo e industriale
1. Fabbricazione e personalizzazione a ciclo completo
· Produzione di substrati di SiC (2" a 12")
· Crescita epiteliale (CVD) con doping controllato (tipo N/P)
· lavorazione delle wafer (lappatura, lucidatura, marcatura laser, tagliatura)
2. Test e certificazione
· XRD (crystallinity), AFM (surface roughness), effetto Hall (carrier mobility)
· Ispezione dei difetti (densità di fossa di incisione, micropipes < 1/cm2)
3Supporto alla catena di approvvigionamento globale
· Rapidi prototipi e esecuzione di ordini di grandi quantità
· Consulenza tecnica per la progettazione di dispositivi SiC
Perché scegliere noi?
✔ integrazione verticale (sottostrato → epitaxia → wafer finito)
✔ Alto rendimento e prezzi competitivi
✔ Supporto alla ricerca e allo sviluppo per i dispositivi SiC di nuova generazione
✔ tempi di consegna veloci e logistica globale
(Per fogli di dati, campioni o preventivi, contattateci oggi!)
1D: Quali sono le principali differenze tra i Wafer SiC epitaxiali da 2 pollici, 4 pollici e 6 pollici?
R: Le principali differenze sono la scalabilità della produzione (6" consente un volume più elevato) e il costo per chip (le wafer più grandi riducono i costi del dispositivo di circa il 30%).
2D: Perché scegliere il 4H-SiC al posto del silicio per i dispositivi di alimentazione?
R: Il 4H-SiC offre una tensione di rottura 10 volte superiore e una conduttività termica 3 volte migliore del silicio, consentendo sistemi di alimentazione più piccoli ed efficienti.
Tags: # 2inch 3inch 4inch 6inch, # SiC Epitaxial Wafers, # Silicon Carbide# 4H-N, # Conductive, # Production Grade, # MOS Grade
Persona di contatto: Mr. Wang
Telefono: +8615801942596