Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

Wafer epitaxial SiC da 4 pollici 4H-N Diametro 100 mm Spessore 350 μm Prime Grade

Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione a carburo di silicio (SiC), il wafer epitaxiale SiC da 4 pollici è basato su un wafer SiC di tipo 4H-N,coltivato utilizzando la deposizione chimica a vapore (CVD) per produrre un'elevata uniformità, una pellicola sottile monocristallina a bassa densità di difetti. I suoi vantaggi tecnici sono: - Sì.

· Struttura cristallina: (0001) orientamento verso la faccia del silicio con un sbiadimento di 4° per ottimizzare la corrispondenza del reticolo e ridurre i difetti di guasto del micropip/stacking.

· Prestazioni elettriche: concentrazione di doping di tipo N controllata con precisione tra 2 × 1014 ‰ 2 × 1019 cm−3 (tolleranza ± 14%), raggiungendo una resistività regolabile da 0,015 ‰ 0.15 Ω·cm tramite tecnologia di doping in situ.

- Sì.

· Controllo dei difetti: densità di difetto superficiale < 25 cm−2 (TSD/TED), densità di difetto triangolare < 0,5 cm−2, garantita dalla crescita assistita dal campo magnetico e dal monitoraggio in tempo reale.

Sfruttando i cluster di attrezzature CVD sviluppati a livello nazionale, ZMSH ottiene il controllo completo del processo dalla lavorazione dei wafer alla crescita epitaxiale,sostenere prove rapide di piccoli lotti (minimo 50 wafer) e soluzioni personalizzate per applicazioni nei veicoli a nuova energia, inverter fotovoltaici e stazioni base 5G.

Parametri chiave per i Wafer epitaxiali SiC da 4 pollici - Sì.

Caratteristiche fondamentali e scoperte tecniche delle onde epitaxiali SiC da 4 pollici

1. il numero diPrestazioni materiali - Sì.

- Conduttività termica: > 350 W/m·K, garantendo un funzionamento stabile a > 200°C, 3 volte superiore al silicio. - Sì.

- Forza del campo di rottura: > 3 MV/cm, che consente di utilizzare dispositivi ad alta tensione 10 kV+ con spessore ottimizzato (10 ‰ 100 μm). - Sì.

- Mobilità del vettore: mobilità elettronica > 900 cm2/V·s, potenziata dal doping gradiente per una commutazione più rapida.

2. Vantaggi dei processi - Sì.

- Uniformità dello spessore: < 3% (prova di 9 punti) tramite reattori a doppia zona di temperatura, che supportano il controllo dello spessore di 5 ‰ 100 μm. - Sì.

- Qualità superficiale: Ra < 0,5 nm (AFM), ottimizzata mediante incisione ad idrogeno e lucidatura meccanica chimica (CMP). - Sì.

- Densità di difetto: densità di micropipe < 1 cm−2, ridotta al minimo mediante ricottura a bias inverso. - Sì.

3. Capacità di personalizzazione - Sì.

- Orientazione cristallina: supporta la crescita (0001) a superficie di silicio, (11-20) a superficie di carbonio e quasi-omoepitaxial per i MOSFET di trincea e i diodi JBS. - Sì.

- Compatibilità del confezionamento: offre lucidatura a doppio lato (Ra < 0,5 nm) e confezionamento a livello di wafer (WLP) per TO-247/DFN.

Scenari di applicazione e valore tecnico di wafer epitaxiali SiC da 4 pollici

1Veicoli a nuova energia

- Invertitori di azionamento principale: onde epitassili 1200V per i moduli SiC MOSFET, migliorando l'efficienza del sistema al 98% e riducendo la perdita di autonomia EV del 10­15%.
- Ricarica rapida: wafer da 600 V che consentono alle piattaforme da 800 V di ricaricare l'80% in 30 minuti (ad esempio, Tesla, NIO).
- Sì.

2Industria e energia

- Invertitori solari: wafer da 1700 V per la conversione DC-AC, che aumentano l'efficienza al 99% e riducono il LCOE del 5­8%.
- Smart Grids: wafer da 10 kV per trasformatori a stato solido (SST), riducendo le perdite di trasmissione a < 0,5%.
 

3Optoelettronica e sensori

- Detettori UV: utilizzo di una banda di 3,2 eV per la rilevazione a 200-280 nm nel monitoraggio delle fiamme e nella rilevazione delle minacce biochimiche.
- Dispositivi RF GaN-on-SiC: HEMT su wafer da 4 pollici per stazioni base 5G, raggiungendo un'efficienza PA del 70%.
 

4Ferrovie e Aerospazio

- Invertitori di trazione: Wafer ad alta temperatura (-55°C~200°C) per moduli IGBT in treni a proiettile (certificati AEC-Q101).
- Potenza satellitare: Wafer a resistenza alle radiazioni (> 100 krad ((Si)) per convertitori DC-DC per il profondo spazio.

Servizio di ZMSH di Wafer SiC

1. Competenze fondamentali
· Copertura a grandezza completa: substrati SiC/wafer epitaxiali da 2 ¢12 pollici, compresi i politipi 4H/6H-N, HPSI, SEMI e 3C-N.
· Fabbricazione su misura: taglio su misura (fori, settori), lucidatura a doppio lato e WLP.
· Soluzioni end-to-end: epitaxia delle malattie cardiovascolari, impianto ionico, ricottura e convalida dei dispositivi.
- Sì.

2Capacità di produzione
· Wafer da 6 pollici: capacità annua di 360.000 unità; linea di ricerca e sviluppo da 8 pollici operativa.
· Certificazioni: certificato IATF 16949, > 95% di rendimento per i prodotti per l'automotive.
· Cost Leadership: 75% di attrezzature CVD nazionali, costi inferiori del 25% rispetto ai concorrenti internazionali.

Il seguente è il tipo 3C-N raccomandato per i substrati di SiC: