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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Cina

Marca: ZMSH

Certificazione: rohs

Numero di modello: Wafer SiC epitaxiale da 4 pollici

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 10

Prezzo: by case

Imballaggi particolari: Pacchetto in lavanderia a 100 gradi

Tempi di consegna: 5-8weeks

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese

Ottenga il migliore prezzo
Evidenziare:

Wafer Epitassiale SiC da 100 mm

,

Wafer Epitassiale SiC di grado Prime

Struttura cristallina:
4H-SiC singolo cristallo
Dimensione:
4inch
Diametro:
100 mm (± 0,1 mm)
Tipo di doping:
N-type/P-type
Spessore:
350 μm
Esclusione del bordo:
3 millimetri
Struttura cristallina:
4H-SiC singolo cristallo
Dimensione:
4inch
Diametro:
100 mm (± 0,1 mm)
Tipo di doping:
N-type/P-type
Spessore:
350 μm
Esclusione del bordo:
3 millimetri
Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

 

Wafer epitaxial SiC da 4 pollici

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime 0
 

 

Wafer epitaxial SiC da 4 pollici 4H-N Diametro 100 mm Spessore 350 μm Prime Grade

 
 
 
 

Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione a carburo di silicio (SiC), il wafer epitaxiale SiC da 4 pollici è basato su un wafer SiC di tipo 4H-N,coltivato utilizzando la deposizione chimica a vapore (CVD) per produrre un'elevata uniformità, una pellicola sottile monocristallina a bassa densità di difetti. I suoi vantaggi tecnici sono: - Sì.

 

 

· Struttura cristallina: (0001) orientamento verso la faccia del silicio con un sbiadimento di 4° per ottimizzare la corrispondenza del reticolo e ridurre i difetti di guasto del micropip/stacking.

 

· Prestazioni elettriche: concentrazione di doping di tipo N controllata con precisione tra 2 × 1014 ‰ 2 × 1019 cm−3 (tolleranza ± 14%), raggiungendo una resistività regolabile da 0,015 ‰ 0.15 Ω·cm tramite tecnologia di doping in situ.

- Sì.

· Controllo dei difetti: densità di difetto superficiale < 25 cm−2 (TSD/TED), densità di difetto triangolare < 0,5 cm−2, garantita dalla crescita assistita dal campo magnetico e dal monitoraggio in tempo reale.

Sfruttando i cluster di attrezzature CVD sviluppati a livello nazionale, ZMSH ottiene il controllo completo del processo dalla lavorazione dei wafer alla crescita epitaxiale,sostenere prove rapide di piccoli lotti (minimo 50 wafer) e soluzioni personalizzate per applicazioni nei veicoli a nuova energia, inverter fotovoltaici e stazioni base 5G.

 

 

 


 

Parametri chiave per i Wafer epitaxiali SiC da 4 pollici - Sì.


 

- Sì.Parametro- Sì. - Sì.Specificità- Sì.
Diametro 100 mm (± 0,1 mm)
Spessore 10 ‰ 35 μm (bassa tensione) / 50 ‰ 100 μm (HV)
Concentrazione di doping (N) 2 × 1014 ∆2 × 1019 cm−3
Densità dei difetti superficiali < 25 cm−2 (TSD/TED)
Resistenza 0.015·0.15 Ω·cm (regolabile)
Esclusione di bordo 3 mm

 

 


 

Caratteristiche fondamentali e scoperte tecniche delle onde epitaxiali SiC da 4 pollici

 
Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime 1

1. il numero diPrestazioni materiali - Sì.

 

- Conduttività termica: > 350 W/m·K, garantendo un funzionamento stabile a > 200°C, 3 volte superiore al silicio. - Sì.

 

- Forza del campo di rottura: > 3 MV/cm, che consente di utilizzare dispositivi ad alta tensione 10 kV+ con spessore ottimizzato (10 ‰ 100 μm). - Sì.

 

- Mobilità del vettore: mobilità elettronica > 900 cm2/V·s, potenziata dal doping gradiente per una commutazione più rapida.

 

 

2. Vantaggi dei processi - Sì.

 

- Uniformità dello spessore: < 3% (prova di 9 punti) tramite reattori a doppia zona di temperatura, che supportano il controllo dello spessore di 5 ‰ 100 μm. - Sì.

 

- Qualità superficiale: Ra < 0,5 nm (AFM), ottimizzata mediante incisione ad idrogeno e lucidatura meccanica chimica (CMP). - Sì.

 

- Densità di difetto: densità di micropipe < 1 cm−2, ridotta al minimo mediante ricottura a bias inverso. - Sì.

 

 

3. Capacità di personalizzazione - Sì.

 

- Orientazione cristallina: supporta la crescita (0001) a superficie di silicio, (11-20) a superficie di carbonio e quasi-omoepitaxial per i MOSFET di trincea e i diodi JBS. - Sì.

 

- Compatibilità del confezionamento: offre lucidatura a doppio lato (Ra < 0,5 nm) e confezionamento a livello di wafer (WLP) per TO-247/DFN.

 

 


 

Scenari di applicazione e valore tecnico di wafer epitaxiali SiC da 4 pollici

 

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime 2

1Veicoli a nuova energia


- Invertitori di azionamento principale: onde epitassili 1200V per i moduli SiC MOSFET, migliorando l'efficienza del sistema al 98% e riducendo la perdita di autonomia EV del 10­15%.
- Ricarica rapida: wafer da 600 V che consentono alle piattaforme da 800 V di ricaricare l'80% in 30 minuti (ad esempio, Tesla, NIO).
- Sì.

 

2Industria e energia


- Invertitori solari: wafer da 1700 V per la conversione DC-AC, che aumentano l'efficienza al 99% e riducono il LCOE del 5­8%.
- Smart Grids: wafer da 10 kV per trasformatori a stato solido (SST), riducendo le perdite di trasmissione a < 0,5%.

 

 

3Optoelettronica e sensori


- Detettori UV: utilizzo di una banda di 3,2 eV per la rilevazione a 200-280 nm nel monitoraggio delle fiamme e nella rilevazione delle minacce biochimiche.
- Dispositivi RF GaN-on-SiC: HEMT su wafer da 4 pollici per stazioni base 5G, raggiungendo un'efficienza PA del 70%.

 

 

4Ferrovie e Aerospazio


- Invertitori di trazione: Wafer ad alta temperatura (-55°C~200°C) per moduli IGBT in treni a proiettile (certificati AEC-Q101).
- Potenza satellitare: Wafer a resistenza alle radiazioni (> 100 krad ((Si)) per convertitori DC-DC per il profondo spazio.

 

 

 


 

Servizio di ZMSH di Wafer SiC

 

 

1. Competenze fondamentali
· Copertura a grandezza completa: substrati SiC/wafer epitaxiali da 2 ¢12 pollici, compresi i politipi 4H/6H-N, HPSI, SEMI e 3C-N.
· Fabbricazione su misura: taglio su misura (fori, settori), lucidatura a doppio lato e WLP.
· Soluzioni end-to-end: epitaxia delle malattie cardiovascolari, impianto ionico, ricottura e convalida dei dispositivi.
- Sì.

 

2Capacità di produzione
· Wafer da 6 pollici: capacità annua di 360.000 unità; linea di ricerca e sviluppo da 8 pollici operativa.
· Certificazioni: certificato IATF 16949, > 95% di rendimento per i prodotti per l'automotive.
· Cost Leadership: 75% di attrezzature CVD nazionali, costi inferiori del 25% rispetto ai concorrenti internazionali.

 

 

 

 

Il seguente è il tipo 3C-N raccomandato per i substrati di SiC:

 

 

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime 3Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime 4

 

 


 

Domande frequentidiWafer epitaxiali in SiC da 4 pollici

 

 

1. D: Quali sono i principali vantaggi dei Wafer epitaxiali in SiC da 4 pollici?- Sì.

R: L'elevata uniformità (variazione dello spessore < 3%) e la densità di difetto ultra-bassa (triangoli < 0,5 cm−2) consentono prestazioni affidabili nei dispositivi di alimentazione ad alta tensione (10kV+) e ad alta temperatura (> 200°C).

 

 

2. D: Quali industrie usano wafer epitaxiali in SiC da 4 pollici?- Sì.

R: Principalmente per l'automotive (inverter per veicoli elettrici, ricarica rapida), le energie rinnovabili (inverter solari) e le comunicazioni 5G (dispositivi RF GaN-on-SiC).

 

 

 

 

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