Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

2 pollici di diametro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial per sensori ad alta temperatura

ZMSH è un fornitore leader a livello mondiale di soluzioni per materiali semiconduttori a carburo di silicio, con oltre 10 anni di esperienza in ricerca e sviluppo e produzione di substrati SiC e wafer epitaxiali. Abbiamo stabilito una catena di approvvigionamento verticale completamente integrata, dalla crescita dei cristalli alla lavorazione dei wafer e alla deposizione epitaxial, raggiungendo una completa autonomia dei processi. Il nostro portafoglio di prodotti copre specifiche di dimensioni complete da 2 pollici a 12 pollici, inclusi vari politipi come il tipo 4H/6H-N, il tipo 4H/6H-P e il tipo 3C-N SiC,nonché wafer HPSI (High Purity Semi-Isolating) e wafer standard SEMI per diversi scenari di applicazione. Sfruttando tecnologie avanzate di crescita dei cristalli e sistemi rigorosi di controllo della qualità, forniamo soluzioni di alta qualità per materiali SiC a oltre 200 clienti globali,con prodotti ampiamente applicati in settori strategici emergenti, compresa la nuova energia, comunicazioni 5G e trasporti ferroviari.

Parametri chiave di 2 pollici Wafer epitaxial SiC 4H

(Nota: tutti i parametri possono essere personalizzati in base alle esigenze del cliente, fornendo rapporti di prova completi e certificati di qualità.)

Caratteristiche chiave2 pollici di Wafer SiC epitaxial 4H

- Sì.

1Proprietà elettriche eccezionali

· Il 4H-SiC presenta un'ampia banda di 3,2 eV e una forza di campo di rottura superiore a 2MV/cm, dieci volte quella dei materiali di silicio.Queste caratteristiche lo rendono particolarmente adatto per la fabbricazione di apparecchiature ad alta tensione, dispositivi elettronici ad alta potenza, riducendo significativamente le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza del sistema.

· La velocità di deriva della saturazione elettronica raggiunge i 2 × 10^7 cm/s, conferendogli vantaggi distinti nelle applicazioni ad alta frequenza.

2. Eccellenti capacità di gestione termica

· Conduttività termica fino a 4,9 W/cm·K, tre volte superiore a quella dei materiali in silicio, che affronta efficacemente le sfide di dissipazione del calore nei dispositivi ad alta densità di potenza.

· Il basso coefficiente di espansione termica di 4×10^-6/K mantiene un'eccellente stabilità dimensionale in ambienti di funzionamento ad alta temperatura.

3Qualità dei materiali superiore

· La tecnologia epitaxiale avanzata a controllo passo raggiunge una densità di dislocazione dello strato epitaxiale inferiore a 1 × 10^3 cm^-2.

· La lucidatura chimica-meccanica di precisione garantisce una rugosità superficiale controllata entro 0,2 nm (Ra), soddisfacendo i più severi requisiti di fabbricazione del dispositivo.

4. Consistenza del processo eccezionale

· Uniformità dello spessore controllata entro ± 2% e deviazione della concentrazione di doping inferiore al 5%, garantendo una produzione di massa stabile e affidabile.

• sistemi avanzati di monitoraggio online consentono un controllo dei processi in tempo reale e una regolazione precisa.

Applicazioni primarie di2 pollici di Wafer SiC epitaxial 4H

1Settore dei veicoli a nuova energia

· Come materiale di base per gli inverter per veicoli elettrici, migliorando l'efficienza del sistema di oltre il 15% e ampliando significativamente la gamma di guida.

· Applicato nei sistemi di ricarica di bordo per supportare i requisiti di ricarica rapida ad alta potenza.

2. Elettronica industriale

· Utilizzato nelle reti intelligenti, nel fr industrialeLa Commissione ritiene che la Commissione debba adottare misure adeguate per migliorare la qualità dell'energia.

· Particolarmente adatto per ambienti impegnativi come il trasporto ferroviario e i sistemi energetici marini.

3. Infrastrutture di comunicazione 5G

· Materiale di substrato ideale per gli amplificatori di potenza delle stazioni base 5G, che supportano un'elaborazione del segnale RF ad alta frequenza e di maggiore potenza.

· dimostra prestazioni eccezionali nei sistemi di comunicazione satellitare.

4Aerospaziale e Difesa

· Materiale critico per sistemi radar e attrezzature di guerra elettronica.

· Risponde ai requisiti di affidabilità e stabilità in ambienti estremi.

5. Produzione di energia rinnovabile

· Optimale scelta per gli inverter fotovoltaici per migliorare l'efficienza della produzione di energia.

· Materiale componente chiave per i sistemi di generazione eolica.

Servizio di ZMSH di Wafer epitaxial SiC

In qualità di fornitore di soluzioni complete nel campo dei materiali SiC, ZMSH offre soluzioni uniche per i substrati SiC e le wafer epitaxiali dalle dimensioni da 2 pollici a 12 pollici,di tipo 4H/6H-N, tipo 4H/6H-P, tipo 3C-N e wafer HPSI, con opzioni di personalizzazione per l'orientamento del cristallo, la concentrazione di doping e lo spessore dello strato epitaxiale. Con la nostra catena industriale completa autosufficiente, siamo dotati di attrezzature epitaxiali CVD leader a livello internazionale e linee di lavorazione di precisione,fornire una gamma completa di servizi dalla crescita dei cristalli, dischi di wafer, lucidatura a doppio lato per scrittura laser, completato da test e certificazione professionali tra cui XRD, AFM e misurazioni Hall. Con una capacità di produzione mensile superiore a 5.000 wafer, possiamo rispondere rapidamente alle esigenze dei clienti, dai campioni di ricerca e sviluppo agli ordini di produzione di massa. Il nostro team di supporto tecnico dedicato offre servizi a valore aggiunto tra cui la guida alla selezione del prodotto, lo sviluppo di applicazioni e il supporto post-vendita, impegnati a fornire servizi di alta qualità,soluzioni di materiali in carburo di silicio altamente coerenti per clienti globali.