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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication
6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication 6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication 6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication

Grande immagine :  Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: wafer sic epitassiale 6inch
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 25
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: Pacchetto in lavanderia a 100 gradi
Tempi di consegna: 5-8weeks
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
Struttura cristallina: 4H-SiC singolo cristallo Dimensione: 6 pollici
Diametro: 150 mm Resistenza: 0.015·0.15 Ω·cm (regolabile)
Esclusione del bordo: 3 mm Applicazione: Veicoli a nuova energia, industria e energia
Evidenziare:

Tipo wafer sic epitassiale di N

,

Wafer epitaxiale tipo P SiC

,

Wafer epitaxiale da 6 pollici

 

Riassunto tecnico di un wafer epitaxial SiC da 6 pollici

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G 0

 

6 pollici di SiC Epitaxial Wafer Diametro 150mm N tipo P tipo per la comunicazione 5G

 
 
 

Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione a carburo di silicio (SiC), il wafer epitaxiale 4H-SiC da 6 pollici è basato su un substrato SiC di tipo 4H-N,coltivato con deposizione chimica a vapore (CVD) per ottenere un'elevata uniformità, bassa densità di difetti e prestazioni elettriche eccezionali. I suoi vantaggi tecnici sono: - Sì.

 

· Struttura cristallina: (0001) orientamento verso la faccia del silicio con un'offcut di 4° per ottimizzare la corrispondenza del reticolo e ridurre al minimo i difetti di guasto del micropip/stacking. - Sì.

· Prestazioni elettriche: concentrazione di doping di tipo N controllata con precisione tra 2 × 1014 ‰ 2 × 1019 cm−3 (tolleranza ± 14%), raggiungendo una resistività regolabile da 0,015 ‰ 0.15 Ω·cm tramite tecnologia di doping in situ. - Sì.

· Controllo dei difetti: densità di difetto superficiale < 25 cm−2 (TSD/TED), densità di difetto triangolare < 0,5 cm−2, garantita dalla crescita assistita dal campo magnetico e dal monitoraggio in tempo reale.

 

Sfruttando i cluster di attrezzature CVD sviluppati a livello nazionale, la ZMSH ottiene il controllo completo del processo dalla lavorazione del substrato alla crescita epitaxiale,sostenere prove rapide di piccoli lotti (minimo 50 wafer) e soluzioni personalizzate per applicazioni nei veicoli a nuova energia, inverter fotovoltaici e stazioni base 5G.

 

 


 

Parametri chiave per i Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici

 
 
- Sì.Parametro Specificità
Diametro 150 mm (± 0,2 mm)
Spessore 50 ∼ 100 μm (alta tensione)
Concentrazione di doping (N) 2 × 1014 ∆2 × 1019 cm−3
Densità dei difetti superficiali < 25 cm−2 (TSD/TED)
Resistenza 0.015·0.15 Ω·cm (regolabile)
Esclusione di bordo 3 mm

 

 


 

Caratteristiche fondamentali delle onde epitaxiali SiC da 6 pollici

 

1. Performance del materiale

  • Conduttività termica: > 350 W/m·K, Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici che garantiscono un funzionamento stabile a > 200°C, 3 volte superiore al silicio.
  • Forza del campo di rottura: > 3 MV/cm, consentendo dispositivi ad alta tensione 10 kV+ con spessore ottimizzato (10 ‰ 100 μm). - Sì.
  • Mobilità del vettore: Mobilità elettronica > 900 cm2/(V·s), onde epitaxiali SiC da 6 pollici migliorate da doping gradiente per una commutazione più rapida.

 

2- Vantaggi del processo

  • Uniformità dello spessore: < 3% (prova a 9 punti) tramite reattori a doppia zona di temperatura, supportando il controllo dello spessore di 5×100 μm. - Sì.
  • Qualità superficiale: Ra < 0,5 nm (microscopia di forza atomica, AFM), Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici ottimizzate mediante incisione ad idrogeno e lucidatura meccanica chimica (CMP).
  • Densità di difetto: densità di micropipe < 1 cm−2, ridotta al minimo mediante ricottura con bias inverso. - Sì.

 

3. Capacità di personalizzazione

  • Orientazione cristallina: i wafer epitaxiali SiC da 6 pollici supportano (0001) la superficie in silicio, (11-20) la superficie in carbonio e la crescita quasi-omoepitaxiale per i MOSFET di trincea e i diodi JBS.
  • Compatibilità dell'imballaggio: i wafer epitassici SiC da 6 pollici offrono lucidatura a doppio lato (Ra < 0,5 nm) e imballaggio a livello di wafer (WLP) per TO-247/DFN.

 

 


- Sì.

- Sì.Applicazioni principali - Sì. di Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici

 

 

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G 1

1. Sistemi energetici rinnovabili

· Invertitori per turbine eoliche: onde epitaxiali di 1700 V SiC per la conversione CC-AC nelle turbine eoliche su larga scala, migliorando l'efficienza di conversione dell'energia al 99,2% e riducendo le perdite di CC del 15%.

· Immagazzinamento di energia ibrida: moduli SiC da 10 kV per convertitori bidirezionali DC-DC nei sistemi di accumulo delle batterie su scala di rete, che consentono un trasferimento di energia senza soluzione di continuità tra reti solare/eoliche e di rete.

 

 

2. Infrastrutture energetiche dei data center

· Unità di raffreddamento ultra-efficiente: MOSFET SiC 650V integrati in unità di distribuzione di energia (PDU), raggiungono un' efficienza del 98% e riducono i costi di raffreddamento del 20% grazie a una minore dissipazione del calore.

· Reti elettriche intelligenti: tiristori SiC da 3300 V per la trasmissione di corrente continua ad alta tensione (HVDC) nelle microreti dei data center, riducendo al minimo le perdite di trasmissione a < 0,3%.

 

 

3- Motorizzazione industriale.

· Azionamenti a corrente alternata ad alta potenza: moduli IGBT SiC 1200V per azionamenti di motori industriali nella produzione di acciaio, che consentono il controllo a velocità variabile con un'efficienza del 97% e riducono il spreco di energia del 12%.

· carrelli elevatori elettrici: inverter a 400 V a base di SiC per carrelli elevatori elettrici compatti e ad alte prestazioni, che consentono di prolungare il tempo di funzionamento del 30% grazie alla riduzione del consumo energetico.

 

 

4. Sistemi di potenza aerospaziale

· Unità di alimentazione ausiliaria (APU): wafer epitaxiali 6H-SiC resistenti alle radiazioni per inverter APU in aeromobili, funzionanti in modo affidabile a -55°C a 225°C e superate le prove di durezza alle radiazioni MIL-STD-883.

 

 


 

Servizi della ZMSHWafer epitaxiali SiC da 6 pollici

 

 

 

Servizi e portafoglio prodotti ZMSH Il nostro core business comprende una copertura completa di substrati di SiC da 2 ′′12 pollici e wafer epitaxiali, inclusi politipi di tipo 4H/6H-N, HPSI, SEMI e 3C-N,con capacità avanzate nella fabbricazione su misura (e.g., taglio a traverso, lucidatura a doppio lato, imballaggio a livello di wafer) e soluzioni end-to-end che coprono l'epitassia CVD, l'impianto ionico, il ricottamento e la convalida del dispositivo. Sfruttando il 75% di attrezzature CVD provenienti da fonti nazionali, offriamo soluzioni economicamente efficienti, raggiungendo costi di produzione inferiori del 25% rispetto ai concorrenti globali.

 

 

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G 2

 

 


 

Domande frequenti6 polliciOfrelle epitaxiali di SiC

 

 

1D: Quali sono le principali applicazioni dei Wafer epitaxiali a 6 pollici di SiC? - Sì.

R: Sono ampiamente utilizzati nei veicoli a nuova energia (inverter a trazione principale, sistemi di ricarica rapida), inverter fotovoltaici, stazioni base di comunicazione 5G e motori industriali,miglioramento dell'efficienza energetica e riduzione del consumo di energia.

 

 

2. D: Come ridurre al minimo la densità di difetti nei Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici? - Sì.

R: La densità dei difetti è controllata attraverso l'ottimizzazione del rapporto C/Si (0,9), la regolazione della temperatura di crescita (1590°C) e la crescita assistita dal campo magnetico, riducendo i difetti fatali (ad esempio,difetti triangolari) a < 00,4 cm-2.

 

 

 

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Dettagli di contatto
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