Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

- Sì.

- Sì.Applicazioni principali - Sì. di Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici

1. Sistemi energetici rinnovabili

· Invertitori per turbine eoliche: onde epitaxiali di 1700 V SiC per la conversione CC-AC nelle turbine eoliche su larga scala, migliorando l'efficienza di conversione dell'energia al 99,2% e riducendo le perdite di CC del 15%.

· Immagazzinamento di energia ibrida: moduli SiC da 10 kV per convertitori bidirezionali DC-DC nei sistemi di accumulo delle batterie su scala di rete, che consentono un trasferimento di energia senza soluzione di continuità tra reti solare/eoliche e di rete.

2. Infrastrutture energetiche dei data center

· Unità di raffreddamento ultra-efficiente: MOSFET SiC 650V integrati in unità di distribuzione di energia (PDU), raggiungono un' efficienza del 98% e riducono i costi di raffreddamento del 20% grazie a una minore dissipazione del calore.

· Reti elettriche intelligenti: tiristori SiC da 3300 V per la trasmissione di corrente continua ad alta tensione (HVDC) nelle microreti dei data center, riducendo al minimo le perdite di trasmissione a < 0,3%.

3- Motorizzazione industriale.

· Azionamenti a corrente alternata ad alta potenza: moduli IGBT SiC 1200V per azionamenti di motori industriali nella produzione di acciaio, che consentono il controllo a velocità variabile con un'efficienza del 97% e riducono il spreco di energia del 12%.

· carrelli elevatori elettrici: inverter a 400 V a base di SiC per carrelli elevatori elettrici compatti e ad alte prestazioni, che consentono di prolungare il tempo di funzionamento del 30% grazie alla riduzione del consumo energetico.

4. Sistemi di potenza aerospaziale

· Unità di alimentazione ausiliaria (APU): wafer epitaxiali 6H-SiC resistenti alle radiazioni per inverter APU in aeromobili, funzionanti in modo affidabile a -55°C a 225°C e superate le prove di durezza alle radiazioni MIL-STD-883.

Servizi della ZMSHWafer epitaxiali SiC da 6 pollici

Servizi e portafoglio prodotti ZMSH Il nostro core business comprende una copertura completa di substrati di SiC da 2 ′′12 pollici e wafer epitaxiali, inclusi politipi di tipo 4H/6H-N, HPSI, SEMI e 3C-N,con capacità avanzate nella fabbricazione su misura (e.g., taglio a traverso, lucidatura a doppio lato, imballaggio a livello di wafer) e soluzioni end-to-end che coprono l'epitassia CVD, l'impianto ionico, il ricottamento e la convalida del dispositivo. Sfruttando il 75% di attrezzature CVD provenienti da fonti nazionali, offriamo soluzioni economicamente efficienti, raggiungendo costi di produzione inferiori del 25% rispetto ai concorrenti globali.

Domande frequenti6 polliciOfrelle epitaxiali di SiC

1D: Quali sono le principali applicazioni dei Wafer epitaxiali a 6 pollici di SiC? - Sì.

R: Sono ampiamente utilizzati nei veicoli a nuova energia (inverter a trazione principale, sistemi di ricarica rapida), inverter fotovoltaici, stazioni base di comunicazione 5G e motori industriali,miglioramento dell'efficienza energetica e riduzione del consumo di energia.

2. D: Come ridurre al minimo la densità di difetti nei Wafer epitaxiali SiC da 6 pollici? - Sì.

R: La densità dei difetti è controllata attraverso l'ottimizzazione del rapporto C/Si (0,9), la regolazione della temperatura di crescita (1590°C) e la crescita assistita dal campo magnetico, riducendo i difetti fatali (ad esempio,difetti triangolari) a < 00,4 cm-2.

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