Evidenziare:
Tipo wafer di P dell'arsenuro di gallio
, wafer di 6inch GaAs
, Wafer di GaAs a semiconduttore
tipo substrati di metodo P di crescita di 6Inch VGF di GaAs dei wafer di GaAs
tipo substrati di metodo P di crescita di 6inch VGF di GaAs dei wafer di GaAs
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Wafer di GaAs
I wafer GaAS del substrato di GaAS dei wafer del substrato di GaAs dei wafer di GaAs è un materiale a semiconduttore con le proprietà superiori di migrazione ad alta frequenza e alta dell'elettrone, di alta prestazione dell'elettrone, del suono salivario basso e della qualità lineare. È ampiamente usato nelle industrie della microelettronica e dell'optoelettronica. Nell'industria dell'optoelettronica, i wafer del substrato di GaAS possono essere usati per la fabbricazione il LED (tubo luminescente), il LD (giardino leggero d'istruzione), i dispositivi fotovoltaici, ecc. Nel campo dell'industria della microelettronica, può essere usato per fare MESFET (tubo del cuoio di effetto del giacimento a semiconduttore del metallo), il HEMT (alto transistor di mobilità di elettrone), HBT (transistor bipolare di heterojunction), IC, il diodo di a microonde, il dispositivo di corridoio, ecc.
Applicazione
Diodo di a microonde, diodo di Gunn, diodo di varactor, ecc.
Transistor di a microonde: transistor di effetto di campo (FET), alto transistor di mobilità di elettrone (HEMT), transistor bipolare di heterojunction (HBT), ecc.
Circuito integrato: circuito integrato monolitico di a microonde (MMIC), circuito integrato ultraelevato di velocità (VHSIC), ecc.
Elemento di corridoio
Dettaglio di specificazione
| GaAs (arsenuro di gallio) per le applicazioni del LED |
| Oggetto |
Specifiche |
Osservazioni |
| Tipo di conduzione |
SC/n-type |
|
| Metodo di crescita |
VGF |
|
| Dopant |
Silicio |
|
| Wafer Diamter |
2, 3 & a 4 pollici |
Lingotto o disponibile come tagliato |
| Crystal Orientation |
(100) 2°/6°/15° fuori da (110) |
L'altro misorientation disponibile |
| DI |
EJ o gli Stati Uniti |
|
| Concentrazione in trasportatore |
(0.4~2.5) E18/cm3 |
|
| Resistività al RT |
(1.5~9) E-3 Ohm.cm |
|
| Mobilità |
1500~3000 cm2/V.sec |
|
| Incissione all'acquaforte Pit Density |
<500> | |
| Marcatura del laser |
su richiesta |
|
| Finitura superficia |
P/E o P/P |
|
| Spessore |
220~350um |
|
| Epitassia pronta |
Sì |
|
| Pacchetto |
Singolo contenitore o cassetta del wafer |
|
Esposizione del prodotto
CIRCA IL NOSTRO ZMKJ
ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata
nella città di Wuxi nel 2014. Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, substrati
e custiomized parts.components di vetro ottico ampiamente usato nell'elettronica, l'ottica,
optoelettronica e molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici
e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura
e servizi per i loro progetti di R & S.
È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dal nostro
buoni reputatiaons. così anche possiamo fornire alcuni altri substrati dei materiali come simile: Sic wafer
Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!
FAQ –
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e uno stato di paga del deposito di 50%, 50% prima della consegna.
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Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.
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(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs-30pcs.
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