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tipo substrati di metodo P di crescita di 6Inch VGF di GaAs dei wafer di GaAs

Name: tipo substrati di metodo P di crescita di 6Inch VGF di GaAs dei wafer di GaAs
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: Wafer di 6INCH GaAs
Price: 450.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	zmsh
Numero di modello:	Wafer di 6INCH GaAs
MOQ:	10pcs
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	1-4weeks

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La CINA

Certificazione:

ROHS

Materiale:

Monocristallo GaAs

Industria:

wafer di semicondutor per il ld o principale

applicazione:

il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo

Metodo:

La CZ

Dimensione:

2inch~6inch

Spessore:

0.425mm

Superficie:

CMP/inciso

drogato:

Si-verniciato

MOQ:

10pcs

Grado:

grado di ricerca/grado fittizio

Imballaggi particolari:

Film dell'ANIMALE DOMESTICO nella stanza di pulizia di 100 gradi

Capacità di alimentazione:

500PCS/Month

Evidenziare:

Tipo wafer di P dell'arsenuro di gallio

wafer di 6inch GaAs

Wafer di GaAs a semiconduttore

Descrizione di prodotto

tipo substrati di metodo P di crescita di 6inch VGF di GaAs dei wafer di GaAs

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Wafer di GaAs

I wafer GaAS del substrato di GaAS dei wafer del substrato di GaAs dei wafer di GaAs è un materiale a semiconduttore con le proprietà superiori di migrazione ad alta frequenza e alta dell'elettrone, di alta prestazione dell'elettrone, del suono salivario basso e della qualità lineare. È ampiamente usato nelle industrie della microelettronica e dell'optoelettronica. Nell'industria dell'optoelettronica, i wafer del substrato di GaAS possono essere usati per la fabbricazione il LED (tubo luminescente), il LD (giardino leggero d'istruzione), i dispositivi fotovoltaici, ecc. Nel campo dell'industria della microelettronica, può essere usato per fare MESFET (tubo del cuoio di effetto del giacimento a semiconduttore del metallo), il HEMT (alto transistor di mobilità di elettrone), HBT (transistor bipolare di heterojunction), IC, il diodo di a microonde, il dispositivo di corridoio, ecc.

Applicazione

Diodo di a microonde, diodo di Gunn, diodo di varactor, ecc.
Transistor di a microonde: transistor di effetto di campo (FET), alto transistor di mobilità di elettrone (HEMT), transistor bipolare di heterojunction (HBT), ecc.
Circuito integrato: circuito integrato monolitico di a microonde (MMIC), circuito integrato ultraelevato di velocità (VHSIC), ecc.
Elemento di corridoio

Dettaglio di specificazione

GaAs (arsenuro di gallio) per le applicazioni del LED
Oggetto	Specifiche	Osservazioni
Tipo di conduzione	SC/n-type
Metodo di crescita	VGF
Dopant	Silicio
Wafer Diamter	2, 3 & a 4 pollici	Lingotto o disponibile come tagliato
Crystal Orientation	(100) 2°/6°/15° fuori da (110)	L'altro misorientation disponibile
DI	EJ o gli Stati Uniti
Concentrazione in trasportatore	(0.4~2.5) E18/cm3
Resistività al RT	(1.5~9) E-3 Ohm.cm
Mobilità	1500~3000 cm2/V.sec
Incissione all'acquaforte Pit Density	<500>
Marcatura del laser	su richiesta
Finitura superficia	P/E o P/P
Spessore	220~350um
Epitassia pronta	Sì
Pacchetto	Singolo contenitore o cassetta del wafer

Esposizione del prodotto

CIRCA IL NOSTRO ZMKJ

ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata

nella città di Wuxi nel 2014. Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, substrati

e custiomized parts.components di vetro ottico ampiamente usato nell'elettronica, l'ottica,

optoelettronica e molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici

e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura

e servizi per i loro progetti di R & S.

È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dal nostro

buoni reputatiaons. così anche possiamo fornire alcuni altri substrati dei materiali come simile: Sic wafer

Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!

FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, il TNT, UPS, lo SME, SF e dalla CATENA DELL'OROLOGIO

e uno stato di paga del deposito di 50%, 50% prima della consegna.

Q: Che cosa è il termine di consegna?
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.

Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs-30pcs.
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.

Etichette:

Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

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Wafer di GaAs

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Tipo wafer di P dell'arsenuro di gallio

wafer di 6inch GaAs

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