Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

Wafer di semi di SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici personalizzato Usato per la produzione di MOSFET

I wafer cristallini di semi di carburo di silicio (SiC) servono come materiali fondamentali nell'industria dei semiconduttori.Prodotto a partire da materie prime di carburo di silicio (SiC) di alta purezza mediante processi di trasporto fisico dei vapori (PVT) o di deposizione chimica dei vapori ad alta temperatura (HTCVD), la nostra azienda è specializzata nella fornitura di wafer di cristallo di semi di SiC da 2 a 12 pollici con varie specifiche di diametro (Dia153, 155, 203, 205, 208) per soddisfare le diverse esigenze dei clienti.

Dotata di impianti di produzione di wafer a semi di cristallo SiC all'avanguardia, la ZMSH possiede capacità complete che comprendono processi di crescita, taglio, macinazione e lucidatura dei cristalli,che ci permette di fornire servizi di personalizzazione di alta precisioneAndando avanti, we will continue to optimize manufacturing processes for large-size (8-12 inch) SiC seed crystal wafers while enhancing crystal quality and yield rates to facilitate their applications in high-end markets including power electronics, dispositivi RF e veicoli a nuova energia.

Caratteristiche chiaveOfrelle di semi di SiC

• Conduttività termica eccezionale (490 W/m·K):I wafer a cristallo di semi di SiC presentano prestazioni di dissipazione del calore superiori, rendendoli ideali per dispositivi ad alta potenza.

• larghezza di banda (3,2 eV):I wafer cristallini di semi di SiC dimostrano resistenza ad elevate tensioni e temperature, con capacità operative superiori a 600 °C.

• Ottima stabilità chimica:I cristalli di semi di SiC offrono una notevole resistenza alla corrosione per applicazioni in ambienti difficili.

• bassa densità di difetto (EPD < 103/ cm2):L'alta qualità dei cristalli garantisce prestazioni stabili del dispositivo.

• Straordinaria resistenza meccanica:Con una durezza che si avvicina a quella del diamante, i wafer offrono un'eccellente resistenza all'usura e agli urti.

Specificativi tecnici delle wafer di semi di SiC

Applicazioni primarie diOfrelle di semi di SiC

• Semiconduttori di potenza:I wafer a cristallo di semi di SiC sono utilizzati nella produzione di dispositivi di alimentazione ad alta efficienza come MOSFET e SBD.

• Dispositivi RF:Le onde cristalline di semi di SiC sono adatte per applicazioni ad alta frequenza, tra cui stazioni base 5G e sistemi radar.

• Veicoli a nuova energia:Wafer di cristallo di semi di SiC applicati in componenti critici come sistemi di propulsione elettrica e caricabatterie di bordo.

• Invertitori fotovoltaici:I wafer a cristallo di semi di SiC migliorano l'efficienza di conversione dell'energia riducendo al contempo le perdite di energia.

• Aerospaziale:I wafer cristallici a semi di SiC sono in grado di resistere a temperature estreme e radiazioni per apparecchiature elettroniche in ambienti difficili.

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ZMSH sfrutta tecnologie di produzione proprietarie per fornire servizi completi end-to-end dalla crescita dei cristalli alla lavorazione di precisione, inclusa la dimensione dei wafer personalizzati (2-12 pollici),specifiche di diametro (Dia153/155/203/205/208)I nostri cristalli di semi di SiC soddisfano gli standard internazionali avanzati di purezza cristallina, controllo dei difetti e precisione dimensionale.soddisfare le esigenze di applicazioni di fascia alta nell'elettronica di potenzaL'Europa ha un ruolo importante nel settore delle telecomunicazioni, delle telecomunicazioni e delle nuove energie.Assicurare un approvvigionamento affidabile in volume mantenendo un rigoroso controllo della qualità durante l'intero processo di produzione e consegnaIl nostro team tecnico fornisce un supporto completo dal processo di selezione del prodotto al servizio post-vendita, aiutando i clienti a ottimizzare le loro soluzioni per semiconduttori.

Substrati di SiC di tipo 4H-N/SEMI: