3 ̊ Wafer InSb non coperte Detettore IR Fotodiodo Sensore di immagine termica 85 GHz
Descrizione:
1L' antimonuro di indio è un materiale semiconduttore a banda diretta che appartiene allo spettro infrarosso.
2L'antimonuro di indio (InSb) è un materiale semiconduttore composto costituito da indio (In) e antimonio (Sb).
3L'antimonuro di indio ha anche un'elevata mobilità del vettore e caratteristiche di basso rumore in elettronica ad alta velocità e amplificatori a basso rumore.
4La sua formula chimica è InSb. L'antimonuro di indio è un importante materiale semiconduttore con proprietà elettroniche e ottiche speciali.
ha quindi una vasta gamma di applicazioni nel campo dell'optoelettronica e dell'elettronica.
5Inoltre, l'antimonuro di indio può essere utilizzato anche in dispositivi a effetto quantistico, come strutture di pozzi quantistici e dispositivi dot quantistici.
A causa delle sue eccellenti proprietà quantistiche, come gli effetti di limitazione quantistica e le proprietà di sintonizzazione quantistica.
Caratteristiche:
1Risposta rapida: il rilevatore InSb ha un tempo di risposta veloce e può catturare in tempo reale i cambiamenti dei segnali di radiazione infrarossa.
2Basso rumore: i materiali InSb hanno bassi livelli di rumore, che possono fornire immagini infrarosse chiare e informazioni spettrali accurate.
3. Alta sensibilità: il materiale InSb ha un'alta sensibilità nella banda infrarossa media, che può effettivamente rilevare e convertire le radiazioni infrarosse.
4- Funzionamento a bassa temperatura: i rilevatori InSb devono di solito funzionare a temperature più basse, di solito inferiori a 77 K (temperatura dell'azoto liquido)
5Ampia banda: i materiali InSb hanno un'ampia gamma di induzione delle radiazioni infrarosse,che può coprire la banda dell'infrarosso medio (di solito da 2 a 5 micron) e parte della banda dell'infrarosso a onde lunghe (fino a circa 10 micron).
Parametri tecnici:
| cristallo singolo |
InSb |
| Diametro |
2 ′′ 3 ′′ ((+/- 0,3 mm) |
| Spessore |
500/600 ((+/-25um) |
| Dopanti |
Nessuna |
| Tipo di conduzione |
N |
| Concentrazione del vettore ((cm-3) |
3E15 |
| Densità di dislocazione ((cm-2) |
< 2*102 |
| Costante di reticolo |
0.648 nm |
| Peso molecolare |
236.58 |
| Punto di fusione |
527°C |
| densità |
50,78 g/cm3 |
| Distanza di banda |
0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Applicazioni:
| Immagini a infrarossi |
I materiali cristallini InSb sono ampiamente utilizzati nell'imaging a infrarossi. |
| Dispositivo elettronico ad alta velocità |
a causa della loro elevata mobilità e della loro bassa qualità elettronica, possono essere utilizzati per la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta velocità. |
| Spectrometri e ottici |
I materiali cristallini InSb sono ampiamente utilizzati nella produzione di infrarossi
rilevatori di radiazioni. |
| Analisi spettrale |
I materiali cristallini InSb possono essere utilizzati per l'analisi spettrale a infrarossi a causa della loro trasparenza e elevata sensibilità nella banda a infrarossi. |
| Dispositivo di pozzo quantistico |
Utilizzando la struttura di pozzo quantistico del chip InSb, è possibile produrre una serie di dispositivi di pozzo quantistico |
| Rilevazione delle radiazioni |
I materiali cristallini InSb sono ampiamente utilizzati nella produzione di infrarossi
rilevatori di radiazioni. |
| Materiale termoelettrico |
I chip InSb sono in grado di convertire l'energia termica in elettricità per applicazioni come la generazione di energia termoelettrica e la misurazione della temperatura. |
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FAQ:
D: Che cos'è la certificazione diTe-InSb?
A: La certificazione diTe-InSbè ROHS.
D: Qual è il marchio diTe-InSb?
A: Il marchio diTe-InSbè ZMSH.
D: Qual è il luogo d'origine diTe-InSb?
A: Il luogo di origineTe-InSbè la Cina.
Q: Qual è il MOQ diTe-InSb in una sola volta?
A: Il MOQ diTe-InSbSono 25 pezzi alla volta.
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