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Mr. Wang

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Wafer di zaffiro 4" Dia 100mm ±0.1mm Spessore 650um Piano C lucidatura personalizzata

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Wafer 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Substrati compositi SiC su isolante

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Wafer del cristallo piezoelettrico LiTaO3 LiNbO3, wafer nero di LT And LN per la sega

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Diametro a 4 pollici 100 wafer LiTaO3 LiNbO3 Crystal Structure esagonale del Tantalate del litio di millimetro

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diametro a 2 pollici 50.8mm del wafer di cristallo di InAs del wafer dell'arseniuro dell'indio di spessore 500um

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2 pollici Sapphire Substrate Wafer Alta purezza Al2O3 99,999% DSP Diametro 50,8 mm

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Y- diametro a 4 pollici dei wafer di 42°LiTaO3 LiNbO3 100 millimetri con spessore 46mm

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GaN-SU-silicio del wafer del nitruro di gallio di 300mm per potere micro LED

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wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf

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GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED

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Lastra di silicio di IC con planarità <50um nessun difetti

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Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici

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Wafer di silicio di 8 pollici di diametro 200 mm <111>Sfondore 700um P Tipo N Tipo di lucidatura singola doppia lucidatura

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

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Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio

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wafer di GaN-SU-SIC EPI del wafer del nitruro di gallio di 4inch 6inch

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LT Thin Films Wafers 42°Y dei wafer LN di LiTaO3 LiNbO3

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12 pollici C-aixs Al2O3 Sapphire Wafer DSP Diametro 304.8mm Spessore personalizzato

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GaN--GaN sul micro isolato GaN Substrates dei wafer del LED EPI a 2 pollici

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DSP a 2 pollici singolo Crystal Gallium Nitride Wafer Free che sta GaN Substrates

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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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3" Wafer InSb non riempiti Detettore IR Photodiode Sensore di immagine termica 85 GHz

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Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici 4H-N Tipo P/D/R Grado Mohs.9 Personalizzazione per più applicazioni

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​​Customized High Borosilicate Glass Wafers ​​High Refractive Index Substrates 2-12 Inch

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