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Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano

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Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano

Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane
Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane Sapphire Wafer 6'' Dia 150mm±0.1mm Thickness 1000um C-Plane

Grande immagine :  Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: zmsh
Certificazione: rohs
Numero di modello: Wafer di zaffiro 6'' Dia 150mm±0.1mm Spessore 1000um
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 20
Prezzo: 5
Imballaggi particolari: Scatola di cartone
Tempi di consegna: 3-4 settimana
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 10000 al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: > 99,99% zaffiro Orientazione: C-piano ((0001)
Diamater: 150 ± 0,2 mm Spessore: 1000±10um
Warp.: ≤ 20um Inchinati.: -15um≤BOW≤0
TTV: < 10="" um=""> Lucidato: ssp o dsp
Evidenziare:

Wafer di zaffiro 6'

,

Wafer di zaffiro 1000um

Wafer di Zaffiro 6" Dia 150mm±0.1mm Spessore 1000um Piano C 99.99% puro

 

I nostri wafer di zaffiro da 6 pollici di diametro sono substrati di Al₂O₃ a cristallo singolo progettati con precisione per applicazioni di semiconduttori esigenti. Con un rigoroso controllo del diametro a 150,0±0,1 mm e uno spessore standard di 1000±15μm, questi wafer orientati sul piano C (0001) offrono prestazioni eccezionali per:

  • Produzione di LED e dispositivi di potenza basati su GaN
  • Componenti RF ad alta frequenza
  • Sistemi ottici avanzati

 

Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 0

 


 

 

Specifiche

 

Parametro

Specifica

Diametro 150,0 ±0,1 mm
Spessore 1000 ±10 μm
Orientamento (0001) ±0,15°
TTV <10 μm
Warp ≤20 μm
Bow -15um≤BOW≤0
Warp <10 μm

 


 

Applicazioni dei Wafer di Zaffiro

 

Wafer di Zaffiro in Optoelettronica

  • Display Micro-LED
  • Dispositivi di sterilizzazione UV
  • Illuminazione ad alta luminosità

 

Wafer di Zaffiro in Elettronica di Potenza

  • GaN HEMT per 5G/6G
  • Moduli di alimentazione EV
  • Sistemi radar

 

Wafer di Zaffiro in Tecnologie Emergenti

  • Dispositivi a punti quantici
  • Risonatori MEMS
  • Sensori fotonici

 

 

Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 1

 


 

CARATTERISTICHE CHIAVE di Wafer di Zaffiro

 

1. Prestazioni termiche superiori dei wafer di zaffiro

  • Elevata conducibilità termica: 35 W/m·K @25°C
  • Basso CTE: 5,3×10⁻⁶/K (25-500°C)
  • Resistente agli shock termici: Resiste a ΔT >500°C

 

2. Wafer di ZaffiroEccellenza ottica

  • Trasmissione a banda larga: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm
  • Birefringenza minima: <3 nm/cm @633nm
  • Lucidatura di grado laser: PV <λ/4 @633nm

 

 

3. Wafer di ZaffiroRobustezza meccanica

  • Durezza estrema: 2000 HV (Mohs 9)
  • Elevata resistenza alla flessione: 700±50 MPa
  • Modulo di Young: 400 GPa

 

4. Wafer di ZaffiroVantaggi di produzione

  • Controllo del diametro: 150,0±0,1 mm (compatibile con strumenti da 6")
  • Opzioni di spessore: 430-1000μm disponibili
  • Profilatura dei bordi: Intagliato o marcato al laser secondo gli standard SEMI

 


 

Processo di fabbricazione dei wafer di zaffiro

 

1. Orientamento: Individuare con precisione la posizione dell'asta di cristallo di zaffiro sulla macchina di taglio, in modo da facilitare la precisa lavorazione di taglio 


Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 2

 

2. Taglio: Tagliare l'asta di cristallo di zaffiro in wafer sottili

 

Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 3
 

3. Rettifica: Rimuovere lo strato danneggiato dal taglio causato dal taglio e migliorare la planarità del wafer

 

Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 4

 

4. Smussatura: Rifilare il bordo del wafer in un arco circolare per migliorare la resistenza meccanica del bordo del wafer per evitare i difetti causati dalla concentrazione degli stress

 

Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 5

 

5. Lucidatura: Migliorare la rugosità del wafer per raggiungere la precisione del wafer epitassiale

 

Wafer di zaffiro di 6' di diametro 150 mm ± 0,1 mm Spessore 1000um C-Plano 6

 

6. Pulizia: Rimuovere i contaminanti sulla superficie del wafer (come particelle di polvere, metalli, contaminanti organici)

 

7. Controllo qualità: La qualità del wafer (planarità, particelle di polvere superficiali, ecc.) deve essere ispezionata con strumenti di test ad alta precisione per soddisfare i requisiti del cliente

 

 

Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Mr. Wang

Telefono: +8615801942596

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