Dettagli dei prodotti

Casa PRODOTTI

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	Da 2 a 12 pollici tutti disponibili
MOQ:	5
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	2-4 settimane
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Luogo di origine:

Cina

Materiale:

99,999% Al2O3

Industria:

Vetro principale e ottico, wafer eli-pronto

Applicazione:

Wafer di Semicondutor, chip principale, finestra di vetro ottica, ceramica elettronica

Colore:

bianco o rosso o blu

trasmettività della luce di visione:

85%

advantagement:

alti hardness9.0, la resistenza all'usura

tipo:

Monocristallo

Imballaggi particolari:

I contenitori chiusi sotto vuoto con azoto riempiono nell'ambiente della classe A 100

Descrizione di prodotto

Product Description

Our sapphire wafers are made of single crystal aluminum oxide (Al₂O₃) with a hexagonal lattice structure, commonly available in C-plane, A-plane, and R-plane orientations. With broad optical transparency from near-ultraviolet (190 nm) to mid-infrared, these wafers are ideal for optical components, infrared devices, high-strength laser windows, and mask materials. Sapphire’s high hardness, thermal stability, corrosion resistance, high melting point (2045°C), and excellent transparency make it a reliable material for demanding applications, though it requires precision processing.

For LED manufacturing, sapphire wafers are essential for high-quality GaN epitaxial growth, as their surface processing directly affects the brightness and uniformity of white, blue, and green LEDs. The minimal lattice mismatch between sapphire C-plane substrates and III-V/II-VI thin films ensures excellent alignment with high-temperature epitaxy processes, making sapphire wafers indispensable for advanced optoelectronic devices.

High-Purity Sapphire Wafer for LED, Semiconductor, Laser, and Optical Devices 0

Etichette:

Wafer in carburo di silicio da 4 pollici di tipo N con opzioni di spessore multiple per propulsori EV e azionamenti motore ad alta densità

Ottenga il migliore prezzo

Anello SiC CVD ad alta purezza per incisione plasmatica a semiconduttore con diametro di 370 mm e conduttività termica di 120 ‰ 200 W/m·K

Ottenga il migliore prezzo

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Il cavo ha visto la macchina

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer di GaAs