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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

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Wafer di silicio personalizzati da 4 pollici (100 mm): spessore di 350 μm, < 100> orientamento, DSP/SSP, doping di tipo N/P

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4 pollici Wafer Si Dia 100mm Spessore 350um Orientazione <100> DSP SSP Wafer di silicio personalizzati tipo N tipo P

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Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione

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Wafer di quarzo da 2 pollici Wafer di silice fuso ad alta purezza Wafer di silice fuso Ultra alta trasmissione

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Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm

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Wafer a 2 pollici Sapphire Template Epi Wafers del nitruro di gallio

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Wafer GaP trasparenti arancioni senza copertura P Tipo N Tipo 200um 350um 5G Emettitore di luce

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Piastra portante a più Wafer SiC Carburo di silicio sinterizzato senza pressione per supporto a Wafer

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Colore del nero del diametro del wafer 100mm del fosfuro di indio del InP del diodo laser

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singolo Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N tipo di 2inch

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tipo substrati di metodo P di crescita di 6Inch VGF di GaAs dei wafer di GaAs

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