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Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza

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Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza

6inch Sapphire Wafer DSP Diameter 150mm Thickness 350μm For Power Electronics
6inch Sapphire Wafer DSP Diameter 150mm Thickness 350μm For Power Electronics 6inch Sapphire Wafer DSP Diameter 150mm Thickness 350μm For Power Electronics 6inch Sapphire Wafer DSP Diameter 150mm Thickness 350μm For Power Electronics

Grande immagine :  Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza

Dettagli:
Luogo di origine: CINESE
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Model Number: 6inch Sapphire Wafer
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: 25
Tempi di consegna: 2-4 settimane
Payment Terms: T/T
Descrizione di prodotto dettagliata
Material: 99.999% Al2O3 Size: Customized
Vision Light Transmissivity: 90% Suraface: DSP
TTV: ≤ 10um Industry: LED chip manufacturing, Optical Windows and sensors
Evidenziare:

Wafer di zaffiro per elettronica di potenza

,

Wafer di zaffiro da 150 mm

,

Wafer di zaffiro da 350 μm

 

Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza 0

 

Descrizione del prodotto

 

 

 

Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza

 

 

Il wafer di zaffiro da 6 pollici è un substrato di grande formato di qualità ottica fabbricato da ossido di alluminio monocristallino (α-Al2O3) mediante metodi di crescita alimentata da pellicola (EFG) o Kyropoulos (KY) definiti da Edge,con dimensioni standardizzate di 150 mm±0Come substrato critico per i semiconduttori di terza generazione, ilWafer di zaffiro da 6 pollicicombina un'elevata trasmissibilità ottica (> 85% nello spettro visibile), una bassa disparità di reticolo (13% con GaN) e una eccezionale stabilità meccanica, che la rende ideale per la fabbricazione di LED ad alta luminosità,Micro-LEDIl suo formato di grande area migliora significativamente l'efficienza della produzione epitaxiale riducendo al contempo i costi per chip.guida dei progressi nell'industria optoelettronica e dei semiconduttori.

 

 

 


 

Caratteristiche chiave

 

Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza 1

1.Wafer di zaffiro di 6 polliciQualità cristallina superiore:

· Densità di dislocazione < 103 cm−2 con rugosità superficiale Ra< 0,3 nm (polito in piano C), soddisfacendo i requisiti di piattezza a livello atomico per l'epitaxia del GaN.

· Precisione di orientamento dei cristalli ± 0,1° (disponibile in orientamento C, R e A).

 

 

2.Wafer di zaffiro di 6 polliciprestazioni ottiche:

· 85% di trasmissione nello spettro visibile (400-800 nm) e > 80% nella gamma UV (250-400 nm), adatta ai dispositivi fotonici UV.

· Strutture personalizzabili a doppio lato lucidate (DSP) o con substrato di zaffiro modellato (PSS) per migliorare l'efficienza di estrazione della luce LED del > 30%.

 

 

3.Wafer di zaffiro di 6 polliciStabilità termica/meccanica:

· Punto di fusione 2040°C con CTE corrispondente (5,3×10−6/°C a GaN), riducendo al minimo le crepe da stress termico durante l'epitaxia.

· Plasma resistente ai processi di deposizione MOCVD/PECVD.

 

 

4.Wafer di zaffiro di 6 polliciVantaggio di grande area:

· 50% in più di superficie utilizzabile per chip per wafer da 6 pollici rispetto agli equivalenti da 4 pollici, riducendo notevolmente i costi unitari di produzione.

 

 


 

Parametri tecnici

 

 

 

 

Immobili 6 pollici
Diametro 150 ± 0,1 mm
Spessore 350±15um
500 ± 15 um
1000±15um
Roverezza Ra ≤ 0,2 nm
Warp. ≤ 15um
TTV ≤ 10um
Scratch/Dig 20/10
Italiano DSP (doppia facciata levigata); SSP ((singola facciata levigata)
Forma L'indicatore deve indicare le caratteristiche di cui al punto 6.2.3.
Forma di bordo 45°,C Forma
Materiale Cristallo di zaffiro, quarzo fuso JGS1/JGS2; BF33, D263; vetro EXG.
Commenti Tutte le specifiche di cui sopra possono essere personalizzate su richiesta

 

 


 

Applicazioni principali

 

Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza 2

1. Fabbricazione di LED
Wafer di zaffiro da 6 polliciEssendo il substrato primario per l'epitaxia del GaN, i wafer di zaffiro da 6 pollici consentono la produzione di LED ad alta luminosità e chip di visualizzazione Mini/Micro-LED ad alto rendimento, supportando i display ultra-HD di nuova generazione.

 

 

2- Elettronica di Potenza:
Il wafer di zaffiro da 6 pollici èutilizzati nei dispositivi HEMT GaN-on-sapphire per stazioni base 5G e inverter di potenza EV che richiedono un funzionamento ad alta frequenza/alta potenza.

 

 

3.OComponenti ottici:
Quando è lucidato con precisione,
Wafer di zaffiro da 6 pollici.servono come finestre per ambienti estremi (astronavi) o come substrati per sensori UV resistenti alle radiazioni.

 

 

4.Sattrezzature per semiconduttori:
Wafer di zaffiro da 6 pollici.utilizzati come piastre portanti resistenti alla corrosione e ad elevato isolamento (resistenza > 1014 Ω·cm) per sistemi di incisione/impianto ionico.

 
 

 

Domande frequenti

 

 

1D: Perché scegliere wafer di zaffiro da 6 pollici per la produzione di Micro-LED?
R: i wafer di zaffiro da 6 pollici forniscono un'area utilizzabile del 50% in più rispetto ai wafer da 4 pollici con finitura superficiale Ra≤ 0,2 nm, consentendo la produzione di micro-LED ad alto rendimento.

 

 

2D: I wafer di zaffiro da 6 pollici sono adatti ai dispositivi GaN?
R: Sì, il loro basso disallineamento reticolare (13% con GaN) e la stabilità termica (CTE 5,3×10−6/°C) ottimizzano le prestazioni per l'elettronica di potenza.

 

 

 

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Mr. Wang

Telefono: +8615801942596

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