Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza

Wafer DSP da 6 pollici di zaffiro Diametro 150 mm Spessore 350 μm Per elettronica di potenza

Il wafer di zaffiro da 6 pollici è un substrato di grande formato di qualità ottica fabbricato da ossido di alluminio monocristallino (α-Al2O3) mediante metodi di crescita alimentata da pellicola (EFG) o Kyropoulos (KY) definiti da Edge,con dimensioni standardizzate di 150 mm±0Come substrato critico per i semiconduttori di terza generazione, ilWafer di zaffiro da 6 pollicicombina un'elevata trasmissibilità ottica (> 85% nello spettro visibile), una bassa disparità di reticolo (13% con GaN) e una eccezionale stabilità meccanica, che la rende ideale per la fabbricazione di LED ad alta luminosità,Micro-LEDIl suo formato di grande area migliora significativamente l'efficienza della produzione epitaxiale riducendo al contempo i costi per chip.guida dei progressi nell'industria optoelettronica e dei semiconduttori.

 

Caratteristiche chiave

 

1.Wafer di zaffiro di 6 polliciQualità cristallina superiore:

· Densità di dislocazione < 103 cm−2 con rugosità superficiale Ra< 0,3 nm (polito in piano C), soddisfacendo i requisiti di piattezza a livello atomico per l'epitaxia del GaN.

· Precisione di orientamento dei cristalli ± 0,1° (disponibile in orientamento C, R e A).

 

 

2.Wafer di zaffiro di 6 polliciprestazioni ottiche:

· 85% di trasmissione nello spettro visibile (400-800 nm) e > 80% nella gamma UV (250-400 nm), adatta ai dispositivi fotonici UV.

· Strutture personalizzabili a doppio lato lucidate (DSP) o con substrato di zaffiro modellato (PSS) per migliorare l'efficienza di estrazione della luce LED del > 30%.

 

 

3.Wafer di zaffiro di 6 polliciStabilità termica/meccanica:

· Punto di fusione 2040°C con CTE corrispondente (5,3×10−6/°C a GaN), riducendo al minimo le crepe da stress termico durante l'epitaxia.

· Plasma resistente ai processi di deposizione MOCVD/PECVD.

 

 

4.Wafer di zaffiro di 6 polliciVantaggio di grande area:

· 50% in più di superficie utilizzabile per chip per wafer da 6 pollici rispetto agli equivalenti da 4 pollici, riducendo notevolmente i costi unitari di produzione.

 

 

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Parametri tecnici

 

 

 

 

Immobili	6 pollici
Diametro	150 ± 0,1 mm
Spessore	350±15um
	500 ± 15 um
	1000±15um
Roverezza	Ra ≤ 0,2 nm
Warp.	≤ 15um
TTV	≤ 10um
Scratch/Dig	20/10
Italiano	DSP (doppia facciata levigata); SSP ((singola facciata levigata)
Forma	L'indicatore deve indicare le caratteristiche di cui al punto 6.2.3.
Forma di bordo	45°,C Forma
Materiale	Cristallo di zaffiro, quarzo fuso JGS1/JGS2; BF33, D263; vetro EXG.
Commenti	Tutte le specifiche di cui sopra possono essere personalizzate su richiesta

Applicazioni principali

1. Fabbricazione di LED
Wafer di zaffiro da 6 polliciEssendo il substrato primario per l'epitaxia del GaN, i wafer di zaffiro da 6 pollici consentono la produzione di LED ad alta luminosità e chip di visualizzazione Mini/Micro-LED ad alto rendimento, supportando i display ultra-HD di nuova generazione.

2- Elettronica di Potenza:
Il wafer di zaffiro da 6 pollici èutilizzati nei dispositivi HEMT GaN-on-sapphire per stazioni base 5G e inverter di potenza EV che richiedono un funzionamento ad alta frequenza/alta potenza.

3.OComponenti ottici:
Quando è lucidato con precisione,Wafer di zaffiro da 6 pollici.servono come finestre per ambienti estremi (astronavi) o come substrati per sensori UV resistenti alle radiazioni.

4.Sattrezzature per semiconduttori:
Wafer di zaffiro da 6 pollici.utilizzati come piastre portanti resistenti alla corrosione e ad elevato isolamento (resistenza > 1014 Ω·cm) per sistemi di incisione/impianto ionico.