Dettagli del prodotto
Luogo di origine: La CINA
Marca: zmsh
Certificazione: ROHS
Numero di modello: Wafer di 6INCH GaAs
Termini di pagamento e spedizione
Quantità di ordine minimo: 10pcs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: Film dell'ANIMALE DOMESTICO nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna: 1-4weeks
Capacità di alimentazione: 500PCS/Month
Materiale: |
Monocristallo GaAs |
industria: |
wafer di semicondutor per il ld o principale |
Applicazione: |
il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo |
metodo: |
La CZ |
Dimensione: |
2inch~6inch |
Spessore: |
0.425mm |
Superficie: |
CMP/inciso |
verniciato: |
Si-verniciato |
MOQ: |
10PCS |
Grado: |
grado di ricerca/grado fittizio |
Materiale: |
Monocristallo GaAs |
industria: |
wafer di semicondutor per il ld o principale |
Applicazione: |
il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo |
metodo: |
La CZ |
Dimensione: |
2inch~6inch |
Spessore: |
0.425mm |
Superficie: |
CMP/inciso |
verniciato: |
Si-verniciato |
MOQ: |
10PCS |
Grado: |
grado di ricerca/grado fittizio |
substrati DSP dell'arsenuro di gallio dei wafer di 4Inch GaAs
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Wafer di GaAs
L'arsenuro di gallio (GaAs) è uno degli importanti e matureⅢ - materiali a semiconduttore composto del Ⅴ, che sono ampiamente usate nel campo dell'optoelettronica e della microelettronica. I materiali dell'arsenuro di gallio pricipalmente sono divisi in due categorie: materiali semi-isolati dell'arsenuro di gallio e materiali dell'arsenuro di gallio a semiconduttore. i materiali Semi-isolati dell'arsenuro di gallio pricipalmente sono usati per produrre i circuiti integrati con le strutture di MESFET, del HEMT e di HBT. Pricipalmente utilizzato in radar, comunicazione di onda di millimetro e di microonda, computer ultraelevato di velocità e comunicazione di fibra ottica ed altri campi. I materiali dell'arsenuro di gallio a semiconduttore pricipalmente sono utilizzati nei laser a semiconduttore (LD), nei diodi a emissione luminosa a semiconduttore (LED), in laser vicini all'infrarosso, nei laser ad alta potenza della buca di potenziale e nelle pile solari di alto-efficienza.
| Tipo/导电类型/掺杂元素 del dopant | Semi-isolato | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 应用 di applicazione | Micro Eletronic | LED | Diodo laser | |
| 长晶方式 di metodo di crescita | VGF | |||
| 直径 del diametro | 2", 3", 4", 6" | |||
| 晶向 di orientamento | (100) ±0.5° | |||
| 厚度 di spessore (µm) | 350-625um±25um | |||
| 参考边 di OF/IF | GLI Stati Uniti EJ o tacca | |||
| 载流子浓度 di concentrazione in trasportatore | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 di resistività (ohm-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 di mobilità (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 位错密度 di densità del passo incissione all'acquaforte (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 di TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| 平整度 di TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| 翘曲度 del filo di ordito (µm) | <10> | |||
| 表面加工 finito di superficie | P/P, P/E, E/E | |||
CIRCA IL NOSTRO ZMKJ
Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs-30pcs.
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.
