Wafer di silicio personalizzati da 4 pollici (100 mm): spessore di 350 μm, < 100> orientamento, DSP/SSP, doping di tipo N/P

I wafer di silicio sono dischi sottili e piatti realizzati con silicio monocristallino altamente purificato, ampiamente utilizzati nell'industria dei semiconduttori.Questi wafer servono da substrato fondamentale per la produzione di circuiti integrati e di una varietà di dispositivi elettronici.

I wafer al silicio hanno in genere un diametro compreso tra 50 mm e 300 mm, con spessori che variano da 200 μm a 775 μm a seconda delle dimensioni.Sono prodotti utilizzando i metodi Czochralski (CZ) o Float-Zone (FZ) e vengono lucidati per ottenere una superficie simile a uno specchio con una rugosità minimaIl doping con elementi quali il boro (per il tipo P) o il fosforo (per il tipo N) modifica le loro proprietà elettriche.

Le principali proprietà dei wafer di silicio includono un'elevata conducibilità termica, un basso coefficiente di espansione termica e un'eccellente resistenza meccanica.Possono anche essere dotati di strati epitaxiali o sottili strati di biossido di silicio per migliorare le proprietà elettriche e l'isolamentoQuesti wafer sono trattati e manipolati in ambienti in camera pulita per mantenere la purezza, garantendo un alto rendimento e affidabilità nella produzione di semiconduttori.

Visualizzazione del prodotto

I Wafer Si, noti anche come substrati di silicio, sono disponibili in vari orientamenti cristallini (tra cui <100>, <110> e <111>) e dimensioni standard da 1 pollice a 4 pollici.Questi substrati di silicio monocristallino sono prodotti con elevata purezza e possono essere personalizzati in base a specifiche esigenze di progettazione.

Caratteristiche chiave

• Prodotto a partire da silicio monocristallino di alta purezza (99,999%)
• Supporta disegni personalizzati e opere d'arte
• La resistenza varia in base al tipo di doping
• Disponibile nel tipo P (dopato con boro) o nel tipo N (dopato con fosforo/arsenico)
• Ampiamente utilizzati nei circuiti integrati (IC), nel fotovoltaico e nei dispositivi MEMS

Descrizione dettagliata

I wafer di silicio sono dischi piatti ultra-sottili fabbricati con silicio monocristallino altamente raffinato.Servono come substrati fondamentali nella produzione di semiconduttori per la produzione di circuiti integrati e componenti elettronici. i diametri standard vanno da 2 pollici (50 mm) a 12 pollici (300 mm), con spessori che variano tra 200 μm e 775 μm. Prodotti con metodi Czochralski (CZ) o Float-Zone (FZ),i wafer sono sottoposti a lucidatura di precisione per ottenere superfici simili a specchi con una rugosità minimaIl doping con elementi come il boro (tipo P) o il fosforo (tipo N) consente caratteristiche elettriche su misura.e robusta resistenza meccanica. Strati epitaxiali opzionali o rivestimenti di biossido di silicio possono migliorare le prestazioni. Tutte le lavorazioni avvengono in ambienti di camera pulita controllati per garantire purezza e affidabilità.

Specifiche tecniche

Campioni di Wafer di Si

Wafer in Si da 4 pollici con diametro di 100 mm, spessore di 350 μm, orientamento <100>, opzioni DSP/SSP e varianti personalizzate di tipo N o P.

Se hai altri requisiti, ti preghiamo di contattarci per la personalizzazione.

La nostra azienda, ZMSH, è specializzata nella ricerca, produzione, lavorazione e vendita di substrati semiconduttori e materiali cristallini ottici.,Abbiamo una forte capacità di elaborazione di prodotti non standard.e progettare vari nuovi prodotti in base alle esigenze del clienteAderiamo al principio "centrati sul cliente, basati sulla qualità", ci sforziamo di diventare un'impresa di alta tecnologia di primo livello nel campo dei materiali optoelettronici.

1. D: Qual è la differenza tra wafer di tipo P e di tipo N?
   R: I wafer di silicio di tipo P hanno dei fori come principali portatori di carica, mentre i wafer di tipo N hanno elettroni.
2. D: Quali sono le principali differenze tra i Wafer Si, i Wafer SiO2 e i Wafer SiC?
   R: I wafer al silicio (Si) sono substrati di silicio puro utilizzati principalmente nei dispositivi semiconduttori.I wafer a carburo di silicio (SiC) sono composti da un composto di silicio e carbonio, offrono una maggiore conducibilità termica e una maggiore durata, rendendoli adatti per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.