4 pollici N-Type P-Doped Si (100) con film sottile di 100 nm Ti + 200 nm Cu su wafer di silicio Ti/Cu

Panoramica del prodotto

Questo wafer di silicio di 4 pollici (100 mm) di tipo N, drogato P, con orientamento <100> cristallino è rivestito con uno strato di adesione di Titanio (Ti) da 100 nm e uno strato conduttivo di Rame (Cu) da 200 nm.

Lo strato di Ti funge da forte tampone di adesione e barriera di diffusione, migliorando l'attacco del film di Cu e la stabilità termica. Lo strato di Cu fornisce un'elevata conduttività elettrica, rendendo questo wafer adatto per microelettronica, dispositivi MEMS, sensori e applicazioni di ricerca.

Il wafer è lucidato su un solo lato (SSP) e fornito in confezione per camera bianca per garantire una manipolazione priva di contaminazione per applicazioni di precisione.

La struttura a film sottile è ottimizzata per ottenere uno spessore uniforme, prestazioni elettriche costanti e un'adesione affidabile. Il wafer è ideale per applicazioni che richiedono un'interfaccia Cu/Ti di alta qualità su substrati di silicio.

Specifichezioni

Applicazioni

• Strati di interconnessione a semiconduttore

• Microstrutture ed elettrodi MEMS

• Dispositivi sensore e contatti

• Ricerca e sviluppo nell'elettronica a film sottile

• Wafer di prova ad alta conduttività per microfabbricazione

Caratteristiche principali

• Lo strato di adesione Ti assicura un forte legame Cu-Si

• Lo strato di Cu da 200 nm fornisce un percorso conduttivo a bassa resistenza

• Lo strato di Ti funge da barriera di diffusione per migliorare la stabilità termica

• La deposizione PVD garantisce uno spessore e una qualità superficiale costanti

• L'imballaggio in camera bianca mantiene la pulizia e l'integrità del wafer

Note sull'uso e lo stoccaggio

• Maneggiare in camera bianca o in ambiente a basso contenuto di polvere

• Per la lavorazione ad alta temperatura, ottimizzare le condizioni per prevenire l'interdiffusione Cu/Si

• Conservare in un ambiente asciutto e a basso stress per mantenere l'integrità del film sottile

• Evitare il contatto diretto con la superficie rivestita

FAQ

1. Qual è l'uniformità dei film sottili Cu/Ti sul wafer?
Lo strato di adesione Ti e lo strato conduttivo di Cu sono depositati utilizzando tecniche PVD ad alto vuoto, garantendo uno spessore uniforme su tutto il wafer da 4 pollici. Lo spessore del film di Cu è di 200 nm e lo strato di Ti è di 100 nm, con una variazione minima adatta per microelettronica e applicazioni di ricerca.

2. Questo wafer può essere utilizzato in processi ad alta temperatura?
Sì, ma si consigliano precauzioni. Lo strato di Ti funge da barriera di diffusione per impedire al Cu di diffondersi nel substrato di silicio. Si consiglia di ottimizzare la temperatura e le condizioni di lavorazione per mantenere l'integrità e l'uniformità del film.

3. Come deve essere conservato e maneggiato il wafer?
Il wafer deve essere maneggiato in una camera bianca o in un ambiente a basso contenuto di polvere per evitare la contaminazione. Conservare in un ambiente asciutto e a basso stress. Evitare di toccare direttamente la superficie rivestita. Ogni wafer viene fornito in un sacchetto di plastica di classe 100 all'interno di una confezione per camera bianca di classe 1000.

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