logo
PRODOTTI
PRODOTTI
Casa > PRODOTTI > Piatto del quarzo fuso > Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm

Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Cina

Marca: ZMSH

Certificazione: rohs

Numero di modello: Wafer di quarzo da 4 pollici

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 10

Prezzo: by case

Imballaggi particolari: Pacchetto in lavanderia a 100 gradi

Tempi di consegna: 5-8weeks

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese

Ottenga il migliore prezzo
Evidenziare:

Distanze di spessore personalizzate Wafer di quarzo

,

Wafer di quarzo Ra0

Diametro:
A 4 pollici (100mm)
Intervallo di spessore:
0.5mm~1.5mm
Roughness superficiale (polito):
≤0.5nm
Trasmittanza @193nm:
>93%
CTE (20-300°C):
00,55×10−6/°C
Parallelismo:
≤3μm
Diametro:
A 4 pollici (100mm)
Intervallo di spessore:
0.5mm~1.5mm
Roughness superficiale (polito):
≤0.5nm
Trasmittanza @193nm:
>93%
CTE (20-300°C):
00,55×10−6/°C
Parallelismo:
≤3μm
Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm

 

Introduzione ai componenti del wafer di quarzo da 4 pollici

​​Wafer di quarzo da 4 pollici con gamma di spessore personalizzata da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm​​

 
 

ZMSH è specializzata nella produzione di precisione di wafer di quarzo da 4 pollici​​, adatti per applicazioni optoelettroniche, a semiconduttore e MEMS ad alte prestazioni. A differenza dei formati più piccoli, i wafer di quarzo da 4 pollici offrono una superficie estesa per l'integrazione multistrato, consentendo la produzione scalabile di dispositivi avanzati. Le caratteristiche principali includono: ​​

 

1. Materiale​​: silice fusa ad alta purezza (SiO₂) con <50 ppm di idrossile (OH⁻) e <0,1 ppm di impurità metalliche, garantendo una perdita ottica ultra-bassa. ​​

2. Dimensioni​​: diametri personalizzati (100,00 mm ±0,25 mm) e spessori (0,525–1,200 mm, TTV ≤10 μm). ​​

3. Forme​​: geometrie circolari, quadrate o irregolari con aperture non standard, bordi a gradini o spessore sfumato.

​​4. Finitura superficiale​​: superfici ultra-lisce (Ra ≤1,0 nm) per una dispersione della luce minima.

 

 


 

Specifiche per wafer di quarzo da 4 pollici

 

 

Parametro Specifiche
Diametro 100,00 mm ±0,25 mm
Gamma di spessore 0,525–1,200 mm
Variazione dello spessore totale (TTV)

≤10 μm (diametro 300 mm)

4

Rugosità superficiale (Ra) ≤1,0 nm
Trasmittanza ultravioletta

>92% @185–3500 nm

1

Coefficiente di espansione termica (CTE)

0,55×10⁻⁶/°C (20–300°C)

1

Resistività (350°C) >7×10⁷ Ω·cm

 

 


 

 

​​Caratteristiche principali​​ del wafer di quarzo da 4 pollici

 

Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm 0

1. Superiorità ottica​​

 

​​Ampia trasmissione spettrale​​: >92% di trasmittanza da 185 nm (UV) a 3500 nm (IR), ideale per la litografia UV e il rilevamento quantistico.

​​Bassa espansione termica​​: CTE di 0,55×10⁻⁶/°C (20–300°C), mantenendo la stabilità dimensionale fino a 1100°C.

 

 

​​2. Resistenza meccanica e chimica​​

 

​​Elevata durezza​​: scala Mohs 7, resistente all'abrasione e agli urti meccanici.

​​Resistenza agli acidi​​: durata 30× superiore rispetto alla ceramica, adatta per ambienti chimici aggressivi.

 

 

3. ​​Prestazioni elettriche​​

 

​​Isolamento​​: resistività >7×10⁷ Ω·cm (350°C), riducendo al minimo la capacità parassita nei circuiti ad alta frequenza.

​​Compatibilità SAW​​: ottimizzato per filtri a onde acustiche di superficie (SAW) con angoli di taglio precisi (ad esempio, 34,33° per il taglio FC).

 

 


 

​​Applicazioni strategiche​ del wafer di quarzo da 4 pollici

 

 

1. ​​​​Dispositivi MEMS avanzati​​

Sensori di pressione, giroscopi e testine di stampa a getto d'inchiostro che sfruttano wafer da 4 pollici per l'integrazione multistrato e la stabilità termica.

​​

2. Sistemi optoelettronici​​

Diodi laser UV, collimatori a fibra ottica e componenti LiDAR che richiedono percorsi ottici a bassa perdita.

 

3. ​​Packaging a semiconduttore​​

Substrati di packaging a livello di wafer (WLP) per sensori di immagine CMOS e RFIC, che supportano la tecnologia TSV (Through-Silicon Via).

​​

4. Tecnologie quantistiche​​

Substrati per centri diamante azoto-vacanza (NV) e qubit superconduttori, che beneficiano di una densità di difetti ultra-bassa.

​​

 


 

Servizi di personalizzazione aziendale​​

 

 

Offriamo​​personalizzazione su larga scala​​per wafer di quarzo da 4 pollici, tra cui:

 

1. ​​Lavorazione di precisione​​: tornitura CNC al diamante per <1 μm di precisione dimensionale.

2. ​​Trattamenti superficiali​​: rivestimenti AR (150°).

3. ​​Prototipazione rapida​​: 5–7 giorni per i campioni, supportando geometrie ibride (ad esempio, fori passanti + intagli).

 

 

Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm 1Spessore di wafer di quarzo da 4 pollici da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm 2

 

 


 

FAQ

 

 

1. D: Perché utilizzare wafer di quarzo da 4 pollici?​​

R: I wafer di quarzo da 4 pollici offrono un equilibrio tra convenienza e precisione, ideali per sensori MEMS, filtri ottici e packaging a semiconduttore con spessore personalizzabile (0,5–1,5 mm) e rugosità superficiale ultra-bassa (Ra ≤0,5 nm).

 

 

2. D: Quali settori utilizzano wafer di quarzo da 4 pollici?​​

R: Sono fondamentali nei dispositivi MEMS, nei sistemi a fibra ottica e nella produzione avanzata di semiconduttori, sfruttando la silice fusa ad alta purezza e l'eccezionale stabilità termica (CTE 0,55×10⁻⁶/°C).

 

 

 

Tag: #Substrato di quarzo da 3 pollici, #Personalizzato, #Piastre di silice fusa, #Cristallo di SiO₂, #Wafer di quarzo, #Grado JGS1/JGS2, #Alta purezza, #Componenti ottici in silice fusa, #Lastra di vetro al quarzo, #Fori passanti di forma personalizzata​​, #Wafer di quarzo da 4 pollici, #Diametro 100 mm, #Produzione di semiconduttori, #Gamma di spessore da 0,5 mm a 1,5 mm, #Ra ≤ 0,5 nm​​