Wafer di quarzo da 4 pollici con gamma di spessore personalizzata da 0,5 mm a 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm
ZMSH è specializzata nella produzione di precisione di wafer di quarzo da 4 pollici, adatti per applicazioni optoelettroniche, a semiconduttore e MEMS ad alte prestazioni. A differenza dei formati più piccoli, i wafer di quarzo da 4 pollici offrono una superficie estesa per l'integrazione multistrato, consentendo la produzione scalabile di dispositivi avanzati. Le caratteristiche principali includono:
1. Materiale: silice fusa ad alta purezza (SiO₂) con <50 ppm di idrossile (OH⁻) e <0,1 ppm di impurità metalliche, garantendo una perdita ottica ultra-bassa.
2. Dimensioni: diametri personalizzati (100,00 mm ±0,25 mm) e spessori (0,525–1,200 mm, TTV ≤10 μm).
3. Forme: geometrie circolari, quadrate o irregolari con aperture non standard, bordi a gradini o spessore sfumato.
4. Finitura superficiale: superfici ultra-lisce (Ra ≤1,0 nm) per una dispersione della luce minima.
Specifiche per wafer di quarzo da 4 pollici
| Parametro |
Specifiche |
| Diametro |
100,00 mm ±0,25 mm |
| Gamma di spessore |
0,525–1,200 mm |
| Variazione dello spessore totale (TTV) |
≤10 μm (diametro 300 mm)
4
|
| Rugosità superficiale (Ra) |
≤1,0 nm |
| Trasmittanza ultravioletta |
>92% @185–3500 nm
1
|
| Coefficiente di espansione termica (CTE) |
0,55×10⁻⁶/°C (20–300°C)
1
|
| Resistività (350°C) |
>7×10⁷ Ω·cm |
Caratteristiche principali del wafer di quarzo da 4 pollici
1. Superiorità ottica
Ampia trasmissione spettrale: >92% di trasmittanza da 185 nm (UV) a 3500 nm (IR), ideale per la litografia UV e il rilevamento quantistico.
Bassa espansione termica: CTE di 0,55×10⁻⁶/°C (20–300°C), mantenendo la stabilità dimensionale fino a 1100°C.
2. Resistenza meccanica e chimica
Elevata durezza: scala Mohs 7, resistente all'abrasione e agli urti meccanici.
Resistenza agli acidi: durata 30× superiore rispetto alla ceramica, adatta per ambienti chimici aggressivi.
3. Prestazioni elettriche
Isolamento: resistività >7×10⁷ Ω·cm (350°C), riducendo al minimo la capacità parassita nei circuiti ad alta frequenza.
Compatibilità SAW: ottimizzato per filtri a onde acustiche di superficie (SAW) con angoli di taglio precisi (ad esempio, 34,33° per il taglio FC).
Applicazioni strategiche del wafer di quarzo da 4 pollici
1. Dispositivi MEMS avanzati
Sensori di pressione, giroscopi e testine di stampa a getto d'inchiostro che sfruttano wafer da 4 pollici per l'integrazione multistrato e la stabilità termica.
2. Sistemi optoelettronici
Diodi laser UV, collimatori a fibra ottica e componenti LiDAR che richiedono percorsi ottici a bassa perdita.
3. Packaging a semiconduttore
Substrati di packaging a livello di wafer (WLP) per sensori di immagine CMOS e RFIC, che supportano la tecnologia TSV (Through-Silicon Via).
4. Tecnologie quantistiche
Substrati per centri diamante azoto-vacanza (NV) e qubit superconduttori, che beneficiano di una densità di difetti ultra-bassa.
Servizi di personalizzazione aziendale
Offriamopersonalizzazione su larga scalaper wafer di quarzo da 4 pollici, tra cui:
1. Lavorazione di precisione: tornitura CNC al diamante per <1 μm di precisione dimensionale.
2. Trattamenti superficiali: rivestimenti AR (150°).
3. Prototipazione rapida: 5–7 giorni per i campioni, supportando geometrie ibride (ad esempio, fori passanti + intagli).
FAQ
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