Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Numero di modello: WAFER DI SI
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 4-6 settimane
Termini di pagamento: T/T
Materiale: |
Si singolo cristallo |
Dimensione: |
4 pollici |
Spessore: |
350 mm |
Orientamento di cristallo: |
< 100> |
Densità: |
2,4 g/cm3 |
Tipo di doping: |
Tipo P o tipo N |
Materiale: |
Si singolo cristallo |
Dimensione: |
4 pollici |
Spessore: |
350 mm |
Orientamento di cristallo: |
< 100> |
Densità: |
2,4 g/cm3 |
Tipo di doping: |
Tipo P o tipo N |
Wafer Si, Wafer Silicon, Substrato Si, Substrato Silicon, <100>, <110>, <111>, Wafer Si da 1 pollice, Wafer Si da 2 pollici, Wafer Si da 3 pollici, Wafer Si da 4 pollici, Substrato monocristallino Si,Wafer monocristallini di silicio
Caratteristica della wafer di Si
- usoMonocristalli di silicioper produrre, con elevata purezza, 99,999%
- supportare quelli personalizzati con disegni artistici
- la resistività varia notevolmente a seconda del tipo dopato
- può essere di tipo P (con boro) o di tipo N (con fosforo o arsenico)
- ampiamente utilizzati in settori ad alta tecnologia, come gli IC, i dispositivi fotovoltaici e i dispositivi MEMS
Descrizione del Wafer Si
I wafer di silicio sono dischi sottili e piatti realizzati con silicio monocristallino altamente purificato e sono ampiamente utilizzati nell'industria dei semiconduttori.
Questi wafer sono il substrato di base per la fabbricazione di circuiti integrati e di una varietà di dispositivi elettronici.
I wafer di silicio variano tipicamente da 2 pollici (50 mm) a 12 pollici (300 mm) di diametro e il loro spessore varia a seconda delle dimensioni, in genere tra 200 μm e 775 μm.
I wafer di silicio sono fabbricati utilizzando i metodi di Czochralski o Float-Zone e vengono accuratamente lucidati per ottenere una superficie speculare con una rugosità minima.Possono essere dopati con elementi quali boro (tipo P) o fosforo (tipo N) per modificare le loro proprietà elettriche.
Le sue proprietà principali sono l'elevata conduttività termica, il basso coefficiente di espansione termica e l'eccellente resistenza meccanica.
I wafer possono anche avere strati epitaxiali o sottili strati di biossido di silicio per migliorare le proprietà elettriche e l'isolamento.
Sono trattati e manipolati in un ambiente di camera pulita per mantenere la purezza, garantendo un alto rendimento e affidabilità nella produzione di semiconduttori.
Più informazioni sul Wafer di Si
| Metodo di crescita | Czochralski ((CZ), zona galleggiante ((FZ) | ||
| Struttura cristallina | Cupi | ||
| Distanza di banda | 1.12 eV | ||
| Densità | 2.4 g/cm3 | ||
| Punto di fusione | 1420°C | ||
| Tipo di dopante | Non dopato | Doppia di boro | Fos-dopato / As-dopato |
| Tipo di conduttore | Intrinseco | Tipo P | Tipo N |
| Resistenza | > 1000 Ωcm | 0.001~100 Ωcm | 0.001~100 Ωcm |
| EPD | < 100 /cm2 | < 100/cm2 | < 100/cm2 |
| Contenuto di ossigeno | ≤ 1x1018 /cm3 | ||
| Contenuto di carbonio | ≤ 5x1016 /cm3 | ||
| Spessore | 150 mm, 200 mm, 350 mm, 500 mm o altri | ||
| Polizione | di larghezza uguale o superiore a 50 mm | ||
| Orientazione cristallina | < 100>, < 110>, < 111> ± 0,5o o altri angoli fuori luogo | ||
| Roverezza della superficie | Ra≤5Å ((5μmx5μm) | ||
Campioni di wafer di Si
* Se avete altri requisiti, non esitate a contattarci per personalizzarne uno.
1. D: Qual è la differenza tra wafer di tipo P e di tipo N?
R: I wafer di silicio di tipo P hanno dei fori come principali portatori di carica, mentre i wafer di tipo N hanno elettroni, con differenze minime in altre proprietà fisiche come la resistività.
2. D: Wafer Si, Wafer SiO2 e Wafer SiC, quali sono le principali differenze tra loro?
A: i wafer di silicio (Si) sono substrati di silicio puro utilizzati principalmente nei dispositivi a semiconduttore,
I wafer SiO2 hanno uno strato di biossido di silicio sulla superficie, spesso utilizzato come strato isolante.
i wafer a carburo di silicio (SiC) sono composti da un composto di silicio e carbonio, offrendo una maggiore conduttività termica e durata,con una lunghezza massima di 20 mm o più ma non superiore a 30 mm.
