lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2Inch doppio lucidato per l'applicazione del LED
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Wafer di GaAs
L'arsenuro di gallio è un composto composto di gallio metallico e di arsenico semimetallico nel rapporto atomico 1: 1. Ha un lustro metallico grigio ed il suo sistema cristallino è tipo della blenda. L'arsenuro di gallio era stato sintetizzato già del 1926. Le sue proprietà a semiconduttore sono state confermate nel 1952. I dispositivi hanno fatto dei materiali dell'arsenuro di gallio hanno buona temperatura di funzionamento ad alta velocità e massima di risposta in frequenza, che può soddisfare le esigenze dell'optoelettronica integrata. È attualmente il materiale optoelettronico più importante, ma anche il materiale microelettronico più importante dopo il materiale del silicio, è adatto a fabbricazione di dispositivi e di circuiti ad alta frequenza e ad alta velocità.
Applicazione
Nel campo della microelettronica, i circuiti digitali ad alta velocità dell'arsenuro di gallio, i circuiti monolitici di a microonde, i circuiti integrati fotoelettrici ed i transistor di effetto di campo ad alta potenza sviluppati dalla tecnologia piana d'assegnazione di impiantazione ionica diretta sull'arsenuro di gallio semi-isolato come matrice hanno le caratteristiche della resistenza della velocità veloce, di alta frequenza, del basso consumo energetico e di radiazione, che sono non solo di grande importanza nella difesa nazionale. È più ampiamente usata nella costruzione economica civile e nazionale. Nel campo delle comunicazioni, i materiali semi-isolati dell'arsenuro di gallio pricipalmente sono utilizzati nei dispositivi di comunicazione ad alta frequenza, determinati negli ultimi anni dal mercato senza fili civile di comunicazione, particolarmente il mercato del telefono cellulare, l'importanza del mercato dei materiali semi-isolati dell'arsenuro di gallio inoltre sta sviluppandosi rapidamente.
Dettaglio di specificazione
| Tipo/导电类型/掺杂元素 del dopant |
Semi-isolato |
P-Type/Zn |
N-Type/Si |
N-Type/Si |
| 应用 di applicazione |
Micro Eletronic |
LED |
Diodo laser |
| 长晶方式 di metodo di crescita |
VGF |
| 直径 del diametro |
2", 3", 4", 6" |
| 晶向 di orientamento |
(100) ±0.5° |
| 厚度 di spessore (µm) |
350-625um±25um |
| 参考边 di OF/IF |
GLI Stati Uniti EJ o tacca |
| 载流子浓度 di concentrazione in trasportatore |
- |
(0.5-5) *1019 |
(0.4-4) *1018 |
(0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 di resistività (ohm-cm) |
>107 |
(1.2-9.9) *10-3 |
(1.2-9.9) *10-3 |
(1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 di mobilità (cm2/V.S.) |
>4000 |
50-120 |
>1000 |
>1500 |
| 位错密度 di densità del passo incissione all'acquaforte (/cm2) |
<5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 di TTV [P/P] (µm) |
<5> |
| 平整度 di TTV [P/E] (µm) |
<10> |
| 翘曲度 del filo di ordito (µm) |
<10> |
| 表面加工 finito di superficie |
P/P, P/E, E/E |
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