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lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED
  • lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED
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lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED

lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED

Luogo di origine La CINA
Marca zmsh
Certificazione ROHS
Numero di modello Wafer di 6INCH GaAs
Dettagli del prodotto
Materiale:
Monocristallo GaAs
Industria:
wafer di semicondutor per il ld o principale
Applicazione:
il substrato a semiconduttore, ha condotto il chip, la finestra di vetro ottica, substrati del dispo
Metodo:
La CZ
Dimensione:
2inch~6inch
Spessore:
0.425mm
Superficie:
CMP/inciso
drogato:
Si-verniciato
MOQ:
10pcs
Grado:
grado di ricerca/grado fittizio
Evidenziare: 

wafer di GaAs del dopant di si 2inch

,

Doppi wafer lucidati laterali di GaAs

,

Substrati dell'arsenuro di gallio del LED

Descrizione di prodotto

lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2Inch doppio lucidato per l'applicazione del LED
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Wafer di GaAs

 

L'arsenuro di gallio è un composto composto di gallio metallico e di arsenico semimetallico nel rapporto atomico 1: 1. Ha un lustro metallico grigio ed il suo sistema cristallino è tipo della blenda. L'arsenuro di gallio era stato sintetizzato già del 1926. Le sue proprietà a semiconduttore sono state confermate nel 1952. I dispositivi hanno fatto dei materiali dell'arsenuro di gallio hanno buona temperatura di funzionamento ad alta velocità e massima di risposta in frequenza, che può soddisfare le esigenze dell'optoelettronica integrata. È attualmente il materiale optoelettronico più importante, ma anche il materiale microelettronico più importante dopo il materiale del silicio, è adatto a fabbricazione di dispositivi e di circuiti ad alta frequenza e ad alta velocità.

 

Applicazione
Nel campo della microelettronica, i circuiti digitali ad alta velocità dell'arsenuro di gallio, i circuiti monolitici di a microonde, i circuiti integrati fotoelettrici ed i transistor di effetto di campo ad alta potenza sviluppati dalla tecnologia piana d'assegnazione di impiantazione ionica diretta sull'arsenuro di gallio semi-isolato come matrice hanno le caratteristiche della resistenza della velocità veloce, di alta frequenza, del basso consumo energetico e di radiazione, che sono non solo di grande importanza nella difesa nazionale. È più ampiamente usata nella costruzione economica civile e nazionale. Nel campo delle comunicazioni, i materiali semi-isolati dell'arsenuro di gallio pricipalmente sono utilizzati nei dispositivi di comunicazione ad alta frequenza, determinati negli ultimi anni dal mercato senza fili civile di comunicazione, particolarmente il mercato del telefono cellulare, l'importanza del mercato dei materiali semi-isolati dell'arsenuro di gallio inoltre sta sviluppandosi rapidamente.
 
Dettaglio di specificazione
Tipo/导电类型/掺杂元素 del dopant Semi-isolato P-Type/Zn N-Type/Si N-Type/Si
应用 di applicazione Micro Eletronic LED Diodo laser
长晶方式 di metodo di crescita VGF
直径 del diametro 2", 3", 4", 6"
晶向 di orientamento (100) ±0.5°
厚度 di spessore (µm) 350-625um±25um
参考边 di OF/IF GLI Stati Uniti EJ o tacca
载流子浓度 di concentrazione in trasportatore - (0.5-5) *1019 (0.4-4) *1018 (0.4-0.25) *1018
电阻率 di resistività (ohm-cm) >107 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3
电子迁移率 di mobilità (cm2/V.S.) >4000 50-120 >1000 >1500
位错密度 di densità del passo incissione all'acquaforte (/cm2) <5000><5000><5000><500>
平整度 di TTV [P/P] (µm) <5>
平整度 di TTV [P/E] (µm) <10>
翘曲度 del filo di ordito (µm) <10>
表面加工 finito di superficie P/P, P/E, E/E

 

 

 

lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED 0lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED 1lato dei substrati dell'arsenuro di gallio dei wafer di GaAs del dopant di si 2inch doppio lucidato per il LED 2


CIRCA IL NOSTRO ZMKJ

ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata
nella città di Wuxi nel 2014. Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, substrati
e custiomized parts.components di vetro ottico ampiamente usato nell'elettronica, l'ottica,
optoelettronica e molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici
e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura
e servizi per i loro progetti di R & S.
È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dal nostro
buoni reputatiaons. così anche possiamo fornire alcuni altri substrati dei materiali come simile:
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Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!
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FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, il TNT, UPS, lo SME, SF e dalla CATENA DELL'OROLOGIO
 e uno stato di paga del deposito di 50%, 50% prima della consegna.
 
Q: Che cosa è il termine di consegna?
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane lavorative dopo ordine.
 

Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs-30pcs.
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.

 

Etichette:

wafer dell'arseniuro dell'indio,

wafer di gaas,

substrato laalo3

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