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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[sic substrate ]

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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SiC semisolatore su Wafer composto Si 4H-SEMI substrato P tipo N tipo Spessore 500um

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto

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Sic Wafer in carburo di silicio 55mm/1010mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Lenti ottiche Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forma e dimensione personalizzata 6SP Spessore 10.05

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Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

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2 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio Tipo 3C-N Diametro 50,8 mm Grado di Produzione Grado di Ricerca Grado Dummy Grade

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Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

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Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici 4H-P SIC per fotovoltaica Spessore 350 μm Diametro 50,8 mm Grado zero

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Componente ottico a specchio SiC di alta purezza lucidato su due lati per micro-specchio MEMS

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Video

Finestre ottiche quadrate personalizzate Verde Moissanite Cristallo SiC Alta durezza

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina

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Video

wafer 10 x 10 x 0.5mm del carburo di silicio di 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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Sferette per cuscinetti in ceramica SiC Grado G5, elevata durezza

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2" 3" 4" 6" principali di 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato di silicio del carburo wafer sic

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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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comprare 2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto fabbricazione online

2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto

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Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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