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Buon prezzo Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza in linea
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Substrato isolante ceramico in SiC ad alta purezza Resistenza alle alte temperature

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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