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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[sic substrate ]

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6" Carburo di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di grado fittizio LED 5G AR Occhiali di grado ottico

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Substrato isolante ceramico in SiC ad alta purezza Resistenza alle alte temperature

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l'elevata purezza fittizia 4h-semi del carburo di silicio del grado della ricerca di produzione non-ha verniciato sic il wafer trasparente

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sic laser che taglia servizio per sic i chip dai piatti quadrati di 0.5x0.5mm

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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2Inch N tipo o cheisola sic i substrati

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Wafer del carburo di silicio di SIC del substrato a semiconduttore di 4H-N 8inch per fotovoltaico solare

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Tipo conduttivo su ordinazione sic wafer per fotovoltaico solare ad alta tensione ad alta temperatura del dispositivo di potere

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tipo del grado N di produzione del substrato del carburo di silicio del wafer di 8inch DSP 4H sic per l'esperimento

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Disadattamento basso su misura della grata del chip del quadrato di dimensione sic con l'alto termale

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4" 4H-Semi Alta Purezza SIC Wafer Prime Grade Semiconduttore EPI Substrati AR Occhiali di grado ottico

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chip su misura dei wafer di dimensione 4h-n 6h-semi di dimensione 5x5 10x10mm sic

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Componente ottico a specchio SiC di alta purezza lucidato su due lati per micro-specchio MEMS

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Finestre ottiche quadrate personalizzate Verde Moissanite Cristallo SiC Alta durezza

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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5x40mm su misura modellano i wafer sic di cristallo 4 chip di H-N Sic Substrates

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Di 4 H-N Production Grade Dummy del grado wafer 8inch Dia200mm del substrato sic

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di 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC del wafer di silicio del carburo grado fittizio principale del substrato sic

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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

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Wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 0.33mm 0.43mm di 6H-N 4H-N sic

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Sistema di separazione laser del substrato SiC da 6 a 12 pollici Wafer per macchine personalizzate

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Sottostrato di Wafer Epitaxial SiC Semiconduttore Applicazioni industriali 4H-N

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Wafer di grado di prova da 6 pollici e 8 pollici per taglio laser

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Sic 3C-N Tipo Dimensione Meccanica Tipo conduttore per sistemi radar Grado di produzione MPD zero

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Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR

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4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

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2/4/6/8 pollici Sic Semi di cristallo di carburo di silicio 4H-N Tipo Alta durezza P grado R grado D grado

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