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2 pollici Sic Substrato 6H-N Tipo Spessore 350um 650um Sic Wafer

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330um di spessore 4 di H-N Type grado Dia50.8mm 2inch di produzione del substrato sic

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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

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4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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6inch tipo sic substrato di spessore 350um 4H N del diametro 150mm per lo SBD MOS Application

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Sic substrato CON una conducibilità termica costante dielettrica di 9,7 4,9 W/mK

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grado di produzione del wafer di 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate per i dispositivi di radiofrequenza

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su misura 4 wafer del carburo di silicio dei substrati 4inch 6inch di H-N Type Semi-Insulating sic

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resistività 0.015-0.028ohm del substrato di 10x10mm 5x5mm sic. Il cm o >1E7ohm.Cm sic scheggia

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comprare 10 millimetri X 10 millimetri di tipo d'isolamento sic grado sic Crystal Substrate di 6H di ricerca del substrato fabbricazione online Video

10 millimetri X 10 millimetri di tipo d'isolamento sic grado sic Crystal Substrate di 6H di ricerca del substrato

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Wafer a 3 pollici del carburo di silicio, sic caratteristiche transitorie eccellenti del substrato

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