tipo sic substrato di spessore 4H N di 6inch Dia150mm 350um per lo SBD per MOS Application
di 2inch Dia50mm 4H dei semi monocristallo del grado di ricerca del substrato sic
grado N tipo di produzione del substrato di spessore 4H di 2inch dia50mm 330μm sic
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch
che cosa è sic subatrate
Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.
Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.
Applicazioni
Deposito del nitruro di III-V
Dispositivi optoelettronici
Dispositivi ad alta potenza
Dispositivi ad alta temperatura
Dispositivi di potere ad alta frequenza
| Diametro |
150 |
millimetro |
| Tipo |
4H- N)/4H-SI (Semi-isolare) (dell'azoto |
|
| Resistività |
4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 |
Ω.cm |
| Thickness* |
(330 ± ~ di 500) 25 |
µm |
| Orientation* |
Su asse: <0001> ± 0.5˚
Fuori asse: 4˚± 0.5˚off verso (11-20)
|
grado |
| Flat* primario |
± 5.0˚ (di 10-10) |
grado |
| Piano secondario |
Nessuno |
grado |
| TTV* |
≤15 |
µm |
| Bow* |
≤40 |
µm |
| Warp* |
≤60 |
µm |
| Densità di Micropipe |
Zero: ≤1/produzione: ≤5/manichino: ≤15 |
cm2 |
| Rugosità |
Lucidato (Ra≤1) |
nanometro |
| CMP (Ra≤0.5) |
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
FAQ
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