6inch tipo sic substrato di spessore 350um 4H N del diametro 150mm per lo SBD MOS Application

tipo sic substrato di spessore 4H N di 6inch Dia150mm 350um per lo SBD per MOS Application

di 2inch Dia50mm 4H dei semi monocristallo del grado di ricerca del substrato sic

grado N tipo di produzione del substrato di spessore 4H di 2inch dia50mm 330μm sic

wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati

4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch

che cosa è sic subatrate

Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.

Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.

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: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.

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