2 pollici Sic Substrato 6H-N Tipo Spessore 350um 650um Sic Wafer

Il substrato monocristallino di carburo di silicio (SiC) di tipo 6H n è un materiale semiconduttore essenziale ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura.Rinomato per la sua struttura cristallina esagonale, 6H-N SiC offre un ampio intervallo di banda e una elevata conduttività termica, rendendolo ideale per ambienti esigenti.

L'elevato campo elettrico di rottura e la mobilità elettronica di questo materiale consentono lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza efficienti, come MOSFET e IGBT,che possono funzionare a tensioni e temperature più elevate rispetto a quelle realizzate in silicio tradizionaleLa sua eccellente conduttività termica garantisce un'efficace dissipazione del calore, fondamentale per il mantenimento delle prestazioni e dell'affidabilità nelle applicazioni ad alta potenza.

Nelle applicazioni a radiofrequenza (RF), le proprietà del 6H-N SiC supportano la creazione di dispositivi in grado di operare a frequenze più elevate con una maggiore efficienza.La sua stabilità chimica e la sua resistenza alle radiazioni la rendono adatta anche per l'uso in ambienti difficili, compresi i settori aerospaziale e della difesa.

Inoltre, i substrati 6H-N SiC sono parte integrante dei dispositivi optoelettronici, come i fotodettori ultravioletti, dove il loro ampio intervallo di banda consente un'efficiente rilevazione della luce UV.La combinazione di queste proprietà rende il SiC di tipo 6H n un materiale versatile e indispensabile per l'avanzamento delle moderne tecnologie elettroniche e optoelettroniche.

Wafer a base di SiCCaratteristiche:

• Nome del prodotto:SiCSubstr.mangiato
• Struttura esagonale: Proprietà elettroniche uniche.
• Alta mobilità elettronica: ~ 600 cm2/V·s.
• Stabilità chimica: resistente alla corrosione.
• Resistenza alle radiazioni: adatto ad ambienti difficili.
• Concentrazione bassa di vettore intrinseco: Efficace a temperature elevate.
• Durabilità: Forte proprietà meccaniche.
• Capacità optoelettronica: efficace rilevamento della luce UV.

Wafer a base di SiCParametri tecnici:

Wafer a base di SiCApplicazioni:

I substrati di SiC (carburo di silicio) sono utilizzati in varie applicazioni ad alte prestazioni a causa delle loro proprietà uniche come alta conduttività termica, elevata resistenza del campo elettrico e ampio intervallo di banda.Ecco alcune applicazioni:

• Elettronica di potenza:

  • MOSFET ad alta tensione
  • IGBT (transistori bipolari a porta isolata)
  • diodi di Schottky
  • Invertitori di potenza

• Dispositivi ad alta frequenza:

  • Amplificatori a RF (radio frequenza)
  • Transistor a microonde
  • Dispositivi ad onde millimetriche

• Elettronica ad alta temperatura:

  • Sensori e circuiti per ambienti difficili
  • Electronica aerospaziale
  • Elettronica per l'automobile (ad esempio, unità di controllo del motore)

• Optoelettronica:

  • Dispositivi per la trasmissione di informazioni
  • Diodi di emissione luminosa (LED)
  • diodi laser

• Sistemi di energia rinnovabile:

  • Invertitori solari
  • Convertitori per turbine eoliche
  • Motori per veicoli elettrici

• Industria e difesa:

  • Sistemi radar
  • Comunicazioni satellitari
  • Strumentazione del reattore nucleare

Wafer a base di SiCPersonalizzazione:

Possiamo personalizzare le dimensioni del substrato SiC per soddisfare le vostre esigenze specifiche. Offriamo anche un wafer SiC 4H-Semi HPSI con dimensioni di 10x10mm o 5x5mm.

Il prezzo è determinato dal caso, e i dettagli dell'imballaggio possono essere personalizzati in base alle vostre preferenze.

Il tempo di consegna è entro 2-4 settimane. Accettiamo il pagamento tramite T/T.

Wafer a base di SiCSupporto e servizi:

Il nostro prodotto SiC Substrate è dotato di un supporto tecnico e di servizi completi per garantire prestazioni ottimali e soddisfazione dei clienti.

Il nostro team di esperti è disponibile per assistere nella selezione del prodotto, nell'installazione e nella risoluzione dei problemi.

Offriamo formazione e istruzione sull'uso e la manutenzione dei nostri prodotti per aiutare i nostri clienti a massimizzare il loro investimento.

Inoltre, forniamo aggiornamenti e miglioramenti dei prodotti per garantire ai nostri clienti sempre l'accesso alle ultime tecnologie.

Wafer a base di SiCFAQ:

D: I substrati SiC 6H-N da 2 pollici possono essere utilizzati per tutti i tipi di dispositivi semiconduttori?

R: Mentre i substrati SiC 6H-N da 2 pollici sono versatili, sono particolarmente adatti per dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.

Possono non essere ideali per tutti i tipi di dispositivi semiconduttori, specialmente quelli che non richiedono le proprietà uniche del SiC.

D: Quali sono le dimensioni e le specifiche tipiche di un substrato SiC 6H-N da 2 pollici?

R: Le dimensioni tipiche includono un diametro di 2 pollici (50,8 mm), uno spessore di circa 300-500 micrometri e requisiti specifici di qualità e piattezza della superficie.

Le specifiche esatte possono variare a seconda del fabbricante e dell'applicazione prevista.

D: Come gestite e conservate i substrati SiC 6H-N da 2 pollici?

R: A causa della loro fragilità, i substrati di SiC devono essere manipolati con cautela utilizzando guanti da stanza pulita e strumenti di manipolazione adeguati.

Devono essere conservati in un ambiente controllato per evitare contaminazione e danneggiamento.