Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Model Number: 6H-N SiC
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 2-4 settimane
Payment Terms: T/T
Materiale: |
Monocristallo di SiC |
Tipo: |
6H-N |
Dimensione: |
2 pollici |
Spessore: |
350 mm o 650 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
Durezza: |
≈ 9,2 (Mohs) |
Materiale: |
Monocristallo di SiC |
Tipo: |
6H-N |
Dimensione: |
2 pollici |
Spessore: |
350 mm o 650 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
Durezza: |
≈ 9,2 (Mohs) |
Il substrato monocristallino di carburo di silicio (SiC) di tipo 6H n è un materiale semiconduttore essenziale ampiamente utilizzato in applicazioni elettroniche ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura.Rinomato per la sua struttura cristallina esagonale, 6H-N SiC offre un ampio intervallo di banda e una elevata conduttività termica, rendendolo ideale per ambienti esigenti.
L'elevato campo elettrico di rottura e la mobilità elettronica di questo materiale consentono lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza efficienti, come MOSFET e IGBT,che possono funzionare a tensioni e temperature più elevate rispetto a quelle realizzate in silicio tradizionaleLa sua eccellente conduttività termica garantisce un'efficace dissipazione del calore, fondamentale per il mantenimento delle prestazioni e dell'affidabilità nelle applicazioni ad alta potenza.
Nelle applicazioni a radiofrequenza (RF), le proprietà del 6H-N SiC supportano la creazione di dispositivi in grado di operare a frequenze più elevate con una maggiore efficienza.La sua stabilità chimica e la sua resistenza alle radiazioni la rendono adatta anche per l'uso in ambienti difficili, compresi i settori aerospaziale e della difesa.
Inoltre, i substrati 6H-N SiC sono parte integrante dei dispositivi optoelettronici, come i fotodettori ultravioletti, dove il loro ampio intervallo di banda consente un'efficiente rilevazione della luce UV.La combinazione di queste proprietà rende il SiC di tipo 6H n un materiale versatile e indispensabile per l'avanzamento delle moderne tecnologie elettroniche e optoelettroniche.
| Immobili | 4H-SiC, singolo cristallo | 6H-SiC, singolo cristallo |
| Parametri del reticolo | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Sequenza di impilazione | ABCB | ABCACB |
| Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densità | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 |
| Coefficiente di espansione termico | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indice di rifrazione @750nm | no = 2.61 | no = 2.60 |
| ne = 2.66 | ne = 2.65 | |
| Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
|
Conduttività termica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K | |
| c~3,7 W/cm·K@298K | ||
|
Conduttività termica (Semi-isolamento) |
a~4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| c~3,9 W/cm·K@298K | c~3,2 W/cm·K@298K | |
| Fessura di banda | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Campo elettrico di rottura | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocità della deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
I substrati di SiC (carburo di silicio) sono utilizzati in varie applicazioni ad alte prestazioni a causa delle loro proprietà uniche come alta conduttività termica, elevata resistenza del campo elettrico e ampio intervallo di banda.Ecco alcune applicazioni:
Elettronica di potenza:
Dispositivi ad alta frequenza:
Elettronica ad alta temperatura:
Optoelettronica:
Sistemi di energia rinnovabile:
Industria e difesa:
Possiamo personalizzare le dimensioni del substrato SiC per soddisfare le vostre esigenze specifiche. Offriamo anche un wafer SiC 4H-Semi HPSI con dimensioni di 10x10mm o 5x5mm.
Il prezzo è determinato dal caso, e i dettagli dell'imballaggio possono essere personalizzati in base alle vostre preferenze.
Il tempo di consegna è entro 2-4 settimane. Accettiamo il pagamento tramite T/T.
Il nostro prodotto SiC Substrate è dotato di un supporto tecnico e di servizi completi per garantire prestazioni ottimali e soddisfazione dei clienti.
Il nostro team di esperti è disponibile per assistere nella selezione del prodotto, nell'installazione e nella risoluzione dei problemi.
Offriamo formazione e istruzione sull'uso e la manutenzione dei nostri prodotti per aiutare i nostri clienti a massimizzare il loro investimento.
Inoltre, forniamo aggiornamenti e miglioramenti dei prodotti per garantire ai nostri clienti sempre l'accesso alle ultime tecnologie.
D: I substrati SiC 6H-N da 2 pollici possono essere utilizzati per tutti i tipi di dispositivi semiconduttori?
R: Mentre i substrati SiC 6H-N da 2 pollici sono versatili, sono particolarmente adatti per dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.
Possono non essere ideali per tutti i tipi di dispositivi semiconduttori, specialmente quelli che non richiedono le proprietà uniche del SiC.
D: Quali sono le dimensioni e le specifiche tipiche di un substrato SiC 6H-N da 2 pollici?
R: Le dimensioni tipiche includono un diametro di 2 pollici (50,8 mm), uno spessore di circa 300-500 micrometri e requisiti specifici di qualità e piattezza della superficie.
Le specifiche esatte possono variare a seconda del fabbricante e dell'applicazione prevista.
D: Come gestite e conservate i substrati SiC 6H-N da 2 pollici?
R: A causa della loro fragilità, i substrati di SiC devono essere manipolati con cautela utilizzando guanti da stanza pulita e strumenti di manipolazione adeguati.
Devono essere conservati in un ambiente controllato per evitare contaminazione e danneggiamento.
