Dettagli del prodotto
Luogo di origine: La CINA
Marca: SICC
Certificazione: CE
Numero di modello: 4h-n
Termini di pagamento e spedizione
Quantità di ordine minimo: 3PCS
Prezzo: by size and grade
Imballaggi particolari: singolo contenitore di contenitore del wafer o contenitore di cassetta 25pc
Tempi di consegna: 1-4weeks
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 1000pc/month
Materiali: |
SIC di cristallo |
Tipo: |
4h-n |
Purezza: |
99,9995% |
Resistività: |
0.015~0.028ohm.cm |
Dimensione: |
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch |
Spessore: |
Su misura |
MPD: |
《2cm-2 |
Applicazione: |
per lo SBD, MOS Device |
TTV: |
《15um |
arco: |
《25um |
filo di ordito: |
《45um |
Materiali: |
SIC di cristallo |
Tipo: |
4h-n |
Purezza: |
99,9995% |
Resistività: |
0.015~0.028ohm.cm |
Dimensione: |
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch |
Spessore: |
Su misura |
MPD: |
《2cm-2 |
Applicazione: |
per lo SBD, MOS Device |
TTV: |
《15um |
arco: |
《25um |
filo di ordito: |
《45um |
4 di H-N Type Semi-Insulating wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 4inch sic
tipo sic substrato di spessore 4H N di 6inch Dia150mm 350um per lo SBD per MOS Application
di 2inch Dia50mm 4H dei semi monocristallo del grado di ricerca del substrato sic
grado N tipo di produzione del substrato di spessore 4H di 2inch dia50mm 330μm sic
wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati
4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch
che cosa è sic subatrate
Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.
Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.
Applicazioni
Deposito del nitruro di III-V
Dispositivi optoelettronici
Dispositivi ad alta potenza
Dispositivi ad alta temperatura
Dispositivi di potere ad alta frequenza
Specificazione
| Tipo | 4H- N)/4H-SI (Semi-isolare) (dell'azoto | |
| Resistività | 4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 | Ω.cm |
| Thickness* | (330 ± ~ di 500) 25 | µm |
| Orientation* |
Su asse: <0001> ± 0.5˚ Fuori asse: 4˚± 0.5˚off verso (11-20) |
grado |
| Flat* primario | ± 5.0˚ (di 10-10) | grado |
| Piano secondario | Nessuno | grado |
| TTV* | ≤15 | µm |
| Bow* | ≤40 | µm |
| Warp* | ≤60 | µm |
| Densità di Micropipe | Zero: ≤1/produzione: ≤5/manichino: ≤15 | cm2 |
| Rugosità | Lucidato (Ra≤1) | nanometro |
| CMP (Ra≤0.5) |
Catena industriale
La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.
La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.
FAQ
Q: Che cosa è il modo del termine di trasporto e di costo e di paga?
: (1) accettiamo in anticipo 50% T/T ed abbiamo lasciato 50% prima della consegna da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.
(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 3pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs su.
Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?
: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.
(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.
