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2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic

Name: 2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4h-n
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	SICC
Numero di modello:	4h-n
MOQ:	3PCS
prezzo:	by size and grade
Tempo di consegna:	1-4weeks
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

La CINA

Certificazione:

Materiali:

SIC di cristallo

Tipo:

4h-n

Purezza:

99,9995%

Resistività:

0.015~0.028ohm.cm

Dimensione:

2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch

Spessore:

330um o su misura

MPD:

《2cm-2

Applicazione:

per lo SBD, MOS Device

TTV:

《15um

arco:

《25um

filo di ordito:

《45um

Imballaggi particolari:

singolo contenitore di contenitore del wafer o contenitore di cassetta 25pc

Capacità di alimentazione:

1000pc/month

Evidenziare:

Substrato 2inch del carburo di silicio

La ricerca classifica sic il substrato

Substrato del monocristallo sic

Descrizione di prodotto

monocristallo del grado di ricerca del substrato di 2inch Dia50.8mm 4H-Semi sic

grado N tipo di produzione del substrato di spessore 4H di 2inch dia50mm 330μm sic

wafer 6H o 4H del carburo di silicio 2inch N tipo o cheisola sic i substrati

4 H-N Type/semi che isolano sic i wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 3inch 6inch

che cosa è sic subatrate

Sic un substrato si riferisce ad un wafer fatto del carburo di silicio (sic), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. Sic i substrati sono comunemente usati come piattaforma per la crescita degli strati epitassiali di sic o di altri materiali, che possono essere usati per fabbricare i vari dispositivi elettronici ed optoelettronici, quali i transistor ad alta potenza, i diodi Schottky, i rivelatori fotoelettrici UV ed il LED.

Sic i substrati sono preferiti sopra altri materiali a semiconduttore, quale silicio, per le applicazioni ad alta potenza ed ad alta temperatura di elettronica dovuto le loro proprietà superiori, compreso più alta tensione di ripartizione, il più alta conducibilità termica e il più alta temperatura di funzionamento massima. Sic i dispositivi possono funzionare alle temperature molto più alte che ai i dispositivi basati a silicio, rendendoli adatti ad uso negli ambienti estremi, quali nelle applicazioni automobilistiche, aerospaziali e di energia.

Applicazioni

Deposito del nitruro di III-V

Dispositivi optoelettronici

Dispositivi ad alta potenza

Dispositivi ad alta temperatura

Dispositivi di potere ad alta frequenza

Proprietà

Proprietà	monocristallo 4H-SiC	monocristallo 6H-SiC
Parametri della grata (Å)	a=3.076 c=10.053	a=3.073 c=15.117
Impilamento della sequenza	ABCB	ABCACB
Densità	3,21	3,21
Durezza di Mohs	~9,2	~9,2
Coefficiente di espansione termica (CTE) (/K)	4-5 x10-6	4-5 x10-6
Indice @750nm di rifrazione	nessun = 2,61 Ne = 2,66	nessun = 2,60 Ne = 2,65
Costante dielettrica	c ~ 9,66	c ~ 9,66
Verniciatura del tipo	N tipo o Semi-isolare	N tipo o Semi-isolare
Conducibilità termica (W/cm-K @298K) (N tipo, 0,02 ohm-cm)	a~4.2 c~3.7
Conducibilità termica (W/cm-K @298K) (tipo d'isolamento)	a~4.9 c~3.9	a~4.6 c~3.2
Intervallo di banda (eV)	3,23	3,02
Campo elettrico di ripartizione (V/cm)	3-5 x 106	3-5 x106
Velocità di deriva di saturazione (m/s)	2,0 x 105	2,0 x 105
Dimensioni del substrato e del wafer	Wafer: 2, 3, 4, a 6 pollici; più piccoli substrati: 10x10, 20x20 millimetro, altre dimensioni sono disponibili e possono essere su ordine su richiesta
Gradi del prodotto	Una densità zero del micropipe del grado (MPD < 1="">cm-2) Grado di categoria B di produzione (MPD<> 5 cm-2) Grado di ricerca del grado di C (MPD<> 15 cm-2) Grado fittizio del grado di D (MPD<> 30 cm-2)

Specificazione

Diametro	50,8	76,2	100	150	millimetro
Tipo	4H- N)/4H-SI (Semi-isolare) (dell'azoto
Resistività	4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5				Ω.cm
Thickness*	(330 ± ~ di 500) 25				µm
Orientation*	Su asse: <0001> ± 0.5˚ Fuori asse: 4˚± 0.5˚off verso (11-20)				grado
Flat* primario	± 5.0˚ (di 10-10)				grado
Piano secondario	Fronte del silicio: 90˚CW da ± primario 5.0˚			Nessuno	grado
TTV*	≤15				µm
Bow*	≤25			≤40	µm
Warp*	≤25	≤35	≤40	≤60	µm
Densità di Micropipe	Zero: ≤1/produzione: ≤5/manichino: ≤15				cm2
Rugosità	Lucidato (Ra≤1)				nanometro
Rugosità	CMP (Ra≤0.5)				nanometro

2inch monocristallo del grado di ricerca del substrato 4H-Semi del diametro 50.8mm sic 0

Catena industriale

La catena sic industriale del carburo di silicio è divisa nella preparazione materiale del substrato, nella crescita di strato epitassiale, nella fabbricazione del dispositivo e nelle applicazioni a valle. I monocristalli del carburo di silicio sono preparati solitamente dalla trasmissione fisica del vapore (metodo di PVT) e poi gli strati epitassiali sono generati tramite applicazione a spruzzo chimica (metodo di CVD) sul substrato ed i dispositivi pertinenti infine sono fatti. Nella catena industriale sic dei dispositivi, dovuto la difficoltà della tecnologia di fabbricazione del substrato, il valore della catena industriale pricipalmente è concentrato nel collegamento verso l'alto del substrato.

La società di ZMSH fornisce fornisce i wafer di 150mm e di 100mm sic. Con la sua durezza (sic è il secondo materiale più duro nel mondo) e la stabilità nell'ambito del calore e della corrente ad alta tensione, questo materiale sta essendo ampiamente usato in parecchie industrie.

FAQ

Q: Che cosa è il modo del termine di trasporto e di costo e di paga?

: (1) accettiamo in anticipo 50% T/T ed abbiamo lasciato 50% prima della consegna da DHL, da Fedex, dallo SME ecc.

(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.

Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

: (1) per l'inventario, il MOQ è 3pcs.

(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 10pcs su.

Q: Posso personalizzare i prodotti basati sul mio bisogno?

: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, dimensione basata sui vostri bisogni.

Q: Che cosa è il termine di consegna?

: (1) per i prodotti standard

Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.

Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 3 settimane dopo che ordinate.

(2) per i prodotti a forma di speciale, la consegna è 4 settimane lavorative dopo che ordinate.

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