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5 6 7 8 9 10 11 12

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Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

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2" InSb-Te EPI Sottostrati a banda stretta Sottostrati semiconduttori Componenti Hall

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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm

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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici spessore epitaxy 2,5-120 um per energia elettronica

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La dimensione su misura 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC scheggia i piatti

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Materiale a semiconduttore dei wafer di 4H-N 4inch 6inch sic per lo SBD MOS Device

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12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple

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tipo grado di 2inch 3inch Dia100m 4H-N di produzione del wafer del carburo di silicio per il dispositivo a semiconduttore

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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