| Marchio: | ZMSH |
| Numero di modello: | Substrati inSb-Te |
| MOQ: | 25pcs |
| prezzo: | Negoziabile |
| Tempo di consegna: | in 30 giorni |
| Condizioni di pagamento: | T/T |
| Alta concentrazione di vettore | Ha una maggiore conduttività elettrica e una bassa resistività nei dispositivi elettronici. |
| Alta mobilità dei vettori | Descrive i vettori in un materiale per muoversi sotto un campo elettrico. |
| Determinare la natura | Il doping al tellurio può aumentare il calore dei materiali cristallini InSb. |
| Assorbimento della luce | Il doping con tellurio può modificare la struttura dei cristalli InSb. |
| Emissioni luminose | Te-doped InSb può essere stimolato a produrre emissioni luminose eccitazione esterna o iniezione di elettroni. |
| Compatibilità | Il substrato InSb dopato con TE ha una buona corrispondenza reticolare con altri semiconduttori. |
| Stabilità termica | Il doping al tellurio può migliorare la stabilità termica dei materiali InSb. |
| Proprietà ottica | Il doping con tellurio ha anche un certo effetto le proprietà ottiche dei materiali InSb |
|
Parametro |
InSb-Te-2in-510um-PP |
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Metodo di crescita |
CZ |
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Dopanti |
Te |
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Orientazione |
(111) +/- 0,5° |
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Angolo di orientamento |
N/A |
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Arrotondamento dei bordi |
0.25 |
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Diametro |
50.5+/-0.5 |
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Spessore |
510+/-25 |
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OFF orientazione |
EJ[01-1]+/- 0,5° |
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DI lunghezza |
16+/-2 |
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Orientazione IF |
EJ[01-1]+/- 0,5° |
|
IF lunghezza |
8+/-1 |
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CC |
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Mobilità |
> 100000@77K |
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EPD-AVE |
≤ 50 |
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TTV |
≤ 10 |
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TIR |
≤ 10 |
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BIO |
≤ 10 |
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Warp. |
≤ 15 |
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Superficie anteriore |
Polito |
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Superficie laterale posteriore |
Polito |
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Pachaging |
Confezione a base di legno |
1Dispositivi elettronici ad alta velocità: i cristalli InSb dopati con tellurio hanno anche un potenziale nei dispositivi elettronici ad alta velocità.
2Dispositivi di struttura quantistica: i cristalli InSb dopati con Te possono essere utilizzati per preparare dispositivi di struttura quantistica, come
Pozzi quantici e dispositivi dot quantici.
3Dispositivi optoelettronici: i cristalli InSb dopati con Te possono essere utilizzati per preparare vari dispositivi optoelettronici, quali
altri apparecchi per la trasmissione di luce, compresi i dispositivi di trasmissione di luce
4. Detettore a infrarossi: i cristalli InSb dopati con Te possono essere utilizzati per preparare rilevatori ad infrarossi ad alte prestazioni.
Il doping con tellurio può aumentare la concentrazione e la mobilità dei vettori.
5- Laser a infrarossi: i cristalli InSb dopati con Te hanno anche un potenziale di applicazione nel campo dei laser a infrarossi.
La struttura a banda dei cristalli INSB può realizzare il lavoro dei laser a infrarossi.
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D: Qual è il marchio diTe-InSb?
A: Il marchio diTe-InSbè ZMSH.
D: Che cos'è la certificazione diTe-InSb?
A: La certificazione diTe-InSbè ROHS.
D: Qual è il luogo d'origine diTe-InSb?
A: Il luogo di origineTe-InSbè la Cina.
Q: Qual è il MOQ diTe-InSb in una sola volta?
A: Il MOQ diTe-InSbSono 25 pezzi alla volta.