La dimensione su misura 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N SIC scheggia i piatti

Descrizione di prodotto:

Dal punto di vista del livello applicazioni terminale, i materiali del carburo di silicio hanno una vasta gamma di applicazioni in ferrovia ad alta velocità, l'elettronica automobilistica, le griglie astute, gli invertitori fotovoltaici, industriale elettromeccanico, centri dati, elettrodomestici bianchi, prodotti elettronici di consumo, la comunicazione 5G, esposizioni di prossima generazione ed altri campi, con potenziale enorme del mercato.

Il carburo di silicio ha offerto una grande selezione delle applicazioni potenziali. Può essere utilizzato nei campi quali la ferrovia ad alta velocità, l'elettronica automobilistica, le griglie astute, gli invertitori fotovoltaici, l'industriale elettromeccanico, i centri dati, gli elettrodomestici bianchi, i prodotti elettronici di consumo, la comunicazione 5G e le esposizioni di prossima generazione. Tutti questi campi vengono con un potenziale enorme e di promessa del mercato.

In termini di applicazione, è diviso in bassa tensione, in tensione media e nei campi ad alta tensione:

Campo di bassa tensione

I certi prodotti elettronici di consumo possono essere alimentati specialmente dalle luci del carburo di silicio di bassa tensione. Per esempio, in Xiaomi ed in Huawei, i caricatori veloci con i dispositivi del nitruro di gallio è stato lanciato.

Campo medio di tensione

Il carburo di silicio può essere utilizzato nella tensione più grande di 3300v, particolarmente in sistemi a griglia di potere di transito della ferrovia e di elettronica automobilistica. Tesla ha creato un modello 3, che è il prodotto più in anticipo che facesse leva i dispositivi del carburo di silicio. Per quanto riguarda il suo diodo ed i prodotti di MOSFEF, sono stati promossi e si applicati nel mercato.

Campo ad alta tensione

Il carburo di silicio offre molti vantaggi unici confrontati ad altri materiali, ma finora, non ha lanciato alcun prodotto maturo nel campo ad alta tensione. Il mondo è ancora in una fase di ricerca e sviluppo. I veicoli elettrici sono il dominio dell'applicazione di promessa ed il modulo di azionamento elettrico di Toyota è un grande esempio di come il carburo di silicio può essere usato. Il volume di questi dispositivi è più piccolo di 50% confrontato a IGBTs basato silicone e la loro densità di energia è ben più alta. La disposizione componente ottimale può essere raggiunta e più spazio può essere liberato per altri nuovi sistemi.

Caratteristiche:

Parametri tecnici:

4H-SiC e 6H-SiC sono bothTypes dei cristalli che sono trovati di diametri differenti. 4H-SiC è 50.8mm (2 pollici) di diametro mentre 6H-SiC è fino a 200mm (8 pollici) di diametro. Entrambi gli a cristallo sono verniciati con azoto (n) e sono intrinsechi, o HPSI in breve. La resistività in 4H-SiC è .015 - .028 ohm*cm mentre 6H-SiC ha una resistività più di ohm*cm 1E7.

La gamma di spessore di 4H-SiC e di 6H-SiC è identica con entrambi che sono fra 250um-15,000um (15mm). Quando si tratta di finitura superficia, entrambi i cristalli possono essere lati singoli o doppi hanno lucidato. La sequenza d'impilamento per 4H-SiC è ABCB mentre 6H-SiC ha una sequenza di ABCACB. La costante dielettrica per 4H-SiC è 9,6 e 6H-SiC è 9,66.

La mobilità di elettrone di 4H-SiC è 800 cm2/V*S confrontati a 400 cm2/V*S per 6H-SiC. E per concludere, la densità di entrambi gli a cristallo è la stessa a 3,21 * 103 kg/m3.

Applicazioni:

Il substrato del SIC010 di ZMSH sic è un dispositivo ad alto rendimento che soddisfa le richieste delle applicazioni di qualità superiore e fornisce la prestazione affidabile. È ampiamente usato nelle progettazioni che richiedono l'alto potere, la temperatura elevata e l'alta frequenza. Ciò sic substrato è perfetta per uso nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica ed in altre applicazioni. La sua dimensione può essere personalizzata 0.5x0.5mm - 10x10mm e la sua resistenza alla trazione è maggior di 400MPa. Ha una gamma di resistività di 0.015~0.028ohm.cmor maggior di 1E7ohm.cm e la sua superficie possono essere CMP del Si-fronte e mp del C-fronte.

Questo sic substrato SIC010 da ZMSH è RoHS compiacente e la quantità di ordine minimo è 10pc. È disponibile ai prezzi competitivi ed il suo termine di consegna è all'interno di 30days. Accetta il pagamento via T/T e la sua abilità del rifornimento è 1000pc/month.

Personalizzazione:

Marca commerciale: ZMSH
Number di modello: SIC010
Luogo d'origine: La CINA
Certificazione: ROHS
Quantità di ordine minimo: 10pc
Prezzo: Dal caso
Dettagli d'imballaggio: Scatola di plastica su misura
Termine di consegna: In 30 giorni
Termini di pagamento: T/T
Abilità del rifornimento: 1000pc/Month
Dimensione: Su misura OKAY
Tipo del substrato: Substrato
Coefficiente di espansione termica: 4,5 X 10-6/K
Superficie: CMP del Si-fronte; mp del C-fronte;
Resistività: 0.015~0.028ohm.cm; o >1E7ohm.cm;
Dispositivi speciali: Wafer del carburo di silicio, sic taglio del laser

Supporto e servizi:

Siamo fieri offrire il supporto tecnico ed i servizi per i nostri sic prodotti del substrato. Il nostro gruppo del supporto tecnico può assistervi con la selezione, l'installazione e la risoluzione dei problemi del prodotto. Inoltre offriamo una vasta gamma di servizi, compresi le dimostrazioni del prodotto, addestramento di prodotto ed installazione e manutenzione in loco.

Il nostro gruppo del supporto tecnico è 24/7 disponibile e siamo commessi a fornire il più ad alto livello di servizio di assistenza al cliente. Ci sforziamo di assicurarci che i nostri clienti completamente siano soddisfatti con i nostri prodotti e servizi.