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Buon prezzo Sistema di sottilizzazione dei wafer attrezzature di sottilizzazione di precisione Wafer SiC Si compatibile 4 -12 pollici Wafer capacità in linea
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Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio

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Sottostrati 3C-SiC di qualità superiore: Wafer di tipo N di produzione per 5G e elettronica di potenza

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Substrato SiC da 12 pollici da 300 mm 4H-N per la produzione di semiconduttori di potenza

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Wafer di semi di SiC spessore 8 pollici 600±50um 4H di tipo di produzione di grado per la crescita di cristalli di carburo di silicio

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato

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Wafer Sic a carburo di silicio da 4 pollici Tipo 4H-P Diametro 100 mm Spessore 350 μm Grado primario Grado di ricerca

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Wafer SiC di tipo 6H-N: substrato da 2 pollici, spessore 350μm o 650μm

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4 pollici Wafer Si Dia 100mm Spessore 350um Orientazione <100> DSP SSP Wafer di silicio personalizzati tipo N tipo P

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts​​

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Wafer di silicio personalizzati da 4 pollici (100 mm): spessore di 350 μm, < 100> orientamento, DSP/SSP, doping di tipo N/P

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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

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