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Buon prezzo Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime in linea
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Wafer di semi di SiC spessore 8 pollici 600±50um 4H di tipo di produzione di grado per la crescita di cristalli di carburo di silicio

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10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato

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Wafer Sic a carburo di silicio da 4 pollici Tipo 4H-P Diametro 100 mm Spessore 350 μm Grado primario Grado di ricerca

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Wafer SiC di tipo 6H-N: substrato da 2 pollici, spessore 350μm o 650μm

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4 pollici Wafer Si Dia 100mm Spessore 350um Orientazione <100> DSP SSP Wafer di silicio personalizzati tipo N tipo P

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