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10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato
  • 10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato
  • 10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato

10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato

Luogo di origine La CINA
Marca zmsh
Certificazione ROHS
Numero di modello Wafer di 6INCH GaAs
Dettagli del prodotto
Applicazione:
Elettronica ad alta potenza
metodo:
La CZ
Dimensione:
2inch~6inch
Superficie:
CMP/inciso
verniciato:
Fe-verniciato
MOQ:
10pcs
Grado:
grado di ricerca/grado fittizio
Evidenziare: 

wafer del nitruro di gallio 2inch

,

Substrato di GaAS dell'ossido del gallio

,

Il Fe ha verniciato il wafer del nitruro di gallio

Descrizione di prodotto

10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di Gao dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato

 

orientamento del substrato 100 di Gao dell'ossido del gallio di 10x15mm

struttura del monoclinale del substrato dell'ossido del gallio di 10x10mm


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Il substrato di Gao si riferisce ad un substrato fatto dell'ossido del gallio (Gao), che è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore con molte applicazioni potenziali in elettronica, optoelettronica e dispositivi di potere. I substrati di Gao sono usati tipicamente come piattaforma per la coltura dei film sottili di altri materiali, quali il nitruro di gallio (GaN) o l'ossido di alluminio del gallio (AlGaN), che sono utilizzati nei dispositivi elettronici ed optoelettronici ad alto rendimento.

I substrati di Gao offrono parecchi vantaggi sopra altri materiali del substrato, quali zaffiro ed il carburo di silicio. Per esempio, Gao ha un'più alta conducibilità termica che lo zaffiro, che tiene conto migliore dissipazione di calore nelle applicazioni ad alta potenza. Inoltre, Gao ha un'più alta costante dielettrica che il carburo di silicio, che può migliorare la prestazione dei circuiti integrati.

Tuttavia, i substrati di Gao sono ancora relativamente nuovi e costosi confrontati ad altri materiali del substrato, che ha limitato la loro adozione diffusa nell'industria. Tuttavia, le attività in corso di ricerca e sviluppo si pensano che per migliorare i processi di produzione e riducano il costo dei substrati di Gao, in grado di condurre ad adozione aumentata in varie applicazioni.

 

Applicazione

I substrati di Gao hanno una vasta gamma di applicazioni potenziali in elettronica, optoelettronica e dispositivi di potere. Alcuni esempi delle applicazioni dove i substrati di Gao sono stati usati o proposto stati includono:

1. Elettronica ad alta potenza: I substrati di Gao possono essere usati come piattaforma per la coltura dei film di AlGaN e di GaN, che sono utilizzati negli apparecchi elettronici ad alta potenza quali gli amplificatori di potenza ed i commutatori di radiofrequenza.

2. Diodi a emissione luminosa UV (LED): I substrati di Gao possono essere usati per coltivare i film di alta qualità di AlGaN, che possono essere usati per fare il LED UV per le applicazioni quali depurazione delle acque e la sterilizzazione.

3. Pile solari: I substrati di Gao possono essere usati per coltivare i film sottili del seleniuro di rame del gallio dell'indio (CIGS) e di altri materiali utilizzati in pile solari. L'alta conducibilità termica di Gao può contribuire a migliorare l'efficienza delle pile solari dissipando il calore più efficacemente.

4. Elettronica di potenza: I substrati di Gao possono essere usati come piattaforma per i film di ossido crescenti del gallio, che sono utilizzati nei dispositivi di elettronica di potenza quali gli interruttori di accensione e gli invertitori.

5. Optoelettronica: I substrati di Gao possono essere usati per coltivare i film di alta qualità di vari materiali utilizzati in dispositivi optoelettronici, quali il LED, i laser ed i rivelatori fotoelettrici.

Questi sono appena alcuni esempi delle applicazioni potenziali dei substrati di Gao. Poichè ricerca e sviluppo in questa area continuano, è probabile che le nuove ed applicazioni innovarici emergeranno.

 

 
Dettaglio di specificazione
 
Orientamento 100 100 100
Verniciatura UID Mg Fe
parametro elettrico
1×1017~3×1018cm-3
≥1010Ω·cm
≥1010Ω·cm
minuto secondo
≤150 ≤150 ≤150
densità di dislocazione cm2 <1×105 cm2 <1×105 cm2 <1×105

 

 


CIRCA IL NOSTRO ZMKJ

ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata
nella città di Wuxi nel 2014. Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, substrati
e custiomized parts.components di vetro ottico ampiamente usato nell'elettronica, l'ottica,
optoelettronica e molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici
e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura
e servizi per i loro progetti di R & S.
 
 
 
Prodotti relativi: wafer dello zaffiro
10x15mm 100 orientamento del substrato 100 di GaAS dell'ossido del gallio di orientamento con il Fe ha verniciato 0
 
 
Imballaggio – Logistcs
Le preoccupazioni di Worldhawk ciascuno dettaglia del pacchetto, la pulizia, antistatica, trattamento d'urto.
Secondo la quantità e la forma del prodotto, prenderemo un processo d'imballaggio differente!
 
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