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Al2O3 Sapphire wafer monocristallino Diametro 2 pollici 3 pollici Personalizzazione

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Sic Wafer in carburo di silicio 5*5mm/10*10mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

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Wafer di zaffiro SSP C-Plane da 4 pollici per epitassia GaN / III-nitruro

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Sapphire Wafer 60/40 graffio di qualità di superficie/di vangata 20/10 40/20 di 60/40

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Wafer di silicio (100) drogato P di tipo N da 4 pollici con film sottile di 100 nm di Ti + 200 nm di Cu su Ti/Silicio

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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial

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Macchina per il rivestimento SiC – Deposizione precisa di adesivo per wafer e materiali in grafite

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici Sic Tipo 6H-P Spessore 350 μm Grado nullo / primario

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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