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Anello SiC CVD ad alta purezza per incisione plasmatica a semiconduttore con diametro di 370 mm e conduttività termica di 120 ‰ 200 W/m·K
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Elettrodo in silicio monocristallino ad elevata purezza (5N) con diametro del foro del gas personalizzabile e opzioni di resistività multipla per sistemi al plasma a semiconduttore
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Wafer di semi di SiC spessore 8 pollici 600±50um 4H di tipo di produzione di grado per la crescita di cristalli di carburo di silicio