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Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni
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Wafer di vetro di quarzo JGS1 JGS2 BF33 8 pollici 12 pollici 725 ± 25 um 1000 ± 25um o personalizzato
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Disegni personalizzati di barche di quarzo per la lavorazione dei semiconduttori
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pin di sollevamento di zaffiro per wafer di trasferimento di zaffiro per wafer di Al2O3
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Substrato SiC da 12 pollici da 300 mm 4H-N per la produzione di semiconduttori di potenza
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Anello SiC CVD ad alta purezza per incisione plasmatica a semiconduttore con diametro di 370 mm e conduttività termica di 120 ‰ 200 W/m·K
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Elettrodo in silicio monocristallino ad elevata purezza (5N) con diametro del foro del gas personalizzabile e opzioni di resistività multipla per sistemi al plasma a semiconduttore
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Wafer di semi di SiC spessore 8 pollici 600±50um 4H di tipo di produzione di grado per la crescita di cristalli di carburo di silicio