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I difetti della lastra di silicio di IC liberano la planarità <50um di 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725mm

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Wafer di Zaffiro 3" Dia76.2±0.1mm, Spessore 550um, C-Piano 0001 DSP/SSP

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4" 4H-Semi Alta Purezza SIC Wafer Prime Grade Semiconduttore EPI Substrati AR Occhiali di grado ottico

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4 pollici 6 pollici Alta purezza Barchetta di cristallo di quarzo SiO2 Processo di diffusione di wafer Alta resistenza alle temperature

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Wafer di tipo 4H Dia 157±0,5 mm spessore 500±50um monocristallo area > 153 mm

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Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano SSP, Densità DSP9.0

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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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Al2O3 Sapphire wafer monocristallino Diametro 2 pollici 3 pollici Personalizzazione

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Sic Wafer in carburo di silicio 5*5mm/10*10mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

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