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Mr. Wang

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6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici

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Substrato di SiC 4H-N spessore 350um utilizzato in optoelettronica materiale semiconduttore

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3inch 4inch 6Inch 900 terreno comunale del film sottile Y-42° di LT LN di nanometro

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Wafer al carburo di silicio 6 pollici Sic singolo cristallo 150 mm di diametro 3C-N tipo abito per sistemi radar di comunicazione

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55mm/1010mm Spessore della wafer in carburo di silicio 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistenza meccanica Grado di produzione

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Laalo3 substrato, substrato del cristallo dell'alluminato del lantanio del wafer dell'arsenuro di gallio

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Wafer del nitruro di gallio del wafer di GaN di efficienza di alto potere per illuminazione di ottimo rendimento

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Wafer d'isolamento semi- Undoped HVPE del nitruro di gallio e tipo del modello

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Wafer di GaN del nitruro di gallio di HVPE, isolati del chip di Gan una dimensione di 10 x 10 millimetri

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GasSb

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Custom 4-Inch (100mm) Silicon Wafers: 350μm Thickness, <100> Orientation, DSP/SSP, N-Type/P-Type Doping

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Durezza su misura del substrato del carburo di silicio di dimensione 9,4 sic parti per attrezzatura

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