Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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Materiale: | > 99,99% cristallo di zaffiro | Diametro: | 200 mm±0,2 mm |
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Spessore: | 725±25um | Orientazione: | C-piano <0001> |
TTV: | ≤ 15um | involucro: | ≤ 30 mm |
Inchinati.: | -30~10um | ||
Evidenziare: | Wafer di zaffiro 8',725Um Spessore Wafer di zaffiro |
Wafer di Zaffiro da 8" Diametro 200mm (±0.2mm), Spessore 725µm, C-Plane SSP,DSP
Questo wafer di zaffiro da 8 pollici (200 mm) ad alta purezza presenta un'eccezionale precisione dimensionale (diametro ±0,2 mm, spessore 725µm) e orientamento cristallografico (piano C), che lo rende ideale per applicazioni optoelettroniche e a semiconduttore esigenti. Con una purezza del 99,99% e una stabilità meccanica/termica superiore, il wafer funge da substrato ottimale per la fabbricazione di LED, diodi laser e dispositivi RF. La sua finitura superficiale uniforme e l'inerzia chimica garantiscono affidabilità in ambienti difficili, mentre il suo ampio diametro supporta la produzione di massa economica.
Caratteristiche principali dei wafer di zaffiro
Geometria di precisione del wafer di zaffiro:
del wafer di zaffiro Purezza ultra-elevata:
del wafer di zaffiro Proprietà dei materiali robuste:
del wafer di zaffiro Qualità della superficie:
Applicazioni dei wafer di zaffiro immagini
Wafer di zaffiro in optoelettronica:
Substrato per LED blu/verdi/bianchi (epitassia InGaN/GaN).
Diodi laser (edge-emitting/VCSEL) in display e comunicazioni.
Wafer di zaffiro in Elettronica di potenza:
Dispositivi RF (antenne 5G/6G, amplificatori di potenza) grazie alla bassa perdita dielettrica.
Transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) per veicoli elettrici.
Wafer di zaffiro in Industria e difesa:
Finestre IR, cupole missilistiche (trasparenza dello zaffiro al medio-IR).
Coperture protettive per sensori in ambienti corrosivi/abrasivi.
Wafer di zaffiro in Tecnologie emergenti:
Quantum computing (substrati di cristallo SPD).
Schermi di dispositivi indossabili (coperture antigraffio).
Specifiche
Parametro |
Valore |
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Diametro | 200 mm ±0,2 mm |
Spessore | 725µm ±25µm |
Orientamento | C-plane (0001) ±0,2° |
Purezza | >99,99% (4N) |
Rugosità superficiale (Ra) | <0,3 nm (epi-ready) |
TTV | ≤15um |
WARP | ≤30um |
BOW | -30~10um |
Attrezzature di fabbrica
Persona di contatto: Mr. Wang
Telefono: +8615801942596