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Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano SSP, Densità DSP9.0

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: CINESE

Marca: zmsh

Certificazione: rohs

Numero di modello: 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 5

Prezzo: 45

Imballaggi particolari: Scatola portante con cuscino in schiuma + Scatola di cartone

Tempi di consegna: 3-5 SETTIMANE

Termini di pagamento: Western Union, T/T

Capacità di alimentazione: 3000 al mese

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Evidenziare:

Wafer di zaffiro 8'

,

725Um Spessore Wafer di zaffiro

Materiale:
> 99,99% cristallo di zaffiro
Diametro:
200 mm±0,2 mm
Spessore:
725±25um
Orientazione:
C-piano <0001>
TTV:
≤ 15um
involucro:
≤ 30 mm
Inchinati.:
-30~10um
Materiale:
> 99,99% cristallo di zaffiro
Diametro:
200 mm±0,2 mm
Spessore:
725±25um
Orientazione:
C-piano <0001>
TTV:
≤ 15um
involucro:
≤ 30 mm
Inchinati.:
-30~10um
Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano SSP, Densità DSP9.0

 

Wafer di Zaffiro da 8" Diametro 200mm (±0.2mm), Spessore 725µm, C-Plane SSP,DSP

 

 

Questo wafer di zaffiro da 8 pollici (200 mm) ad alta purezza presenta un'eccezionale precisione dimensionale (diametro ±0,2 mm, spessore 725µm) e orientamento cristallografico (piano C), che lo rende ideale per applicazioni optoelettroniche e a semiconduttore esigenti. Con una purezza del 99,99% e una stabilità meccanica/termica superiore, il wafer funge da substrato ottimale per la fabbricazione di LED, diodi laser e dispositivi RF. La sua finitura superficiale uniforme e l'inerzia chimica garantiscono affidabilità in ambienti difficili, mentre il suo ampio diametro supporta la produzione di massa economica.

 


 

Caratteristiche principali dei wafer di zaffiro

 

Geometria di precisione del wafer di zaffiro:

  • Diametro: 200 mm ±0,2 mm, garantendo la compatibilità con gli strumenti a semiconduttore standard.
  • Spessore: 725µm ±25µm, ottimizzato per la resistenza meccanica e la stabilità del processo.

 

 

del wafer di zaffiro Purezza ultra-elevata:

  • >99,99% (4N) di purezza, riducendo al minimo le impurità che influiscono sulle prestazioni ottiche/elettriche.

 

 

del wafer di zaffiro Proprietà dei materiali robuste:

  • Durezza: 9 Mohs, resistente ai graffi per la durata della manipolazione.
  • Stabilità termica: punto di fusione ~2.050°C, adatto per processi ad alta temperatura.
  • Trasparenza ottica: 85%+ negli spettri visibili e vicino-IR (350nm–4.500nm).

 

 

del wafer di zaffiro Qualità della superficie:

  • Lucidatura pronta per l'epitassia: Ra <0,3 nm per la deposizione di film sottili senza difetti.
  • Lucidatura a doppia faccia opzionale su richiesta.

 

 

Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano SSP, Densità DSP9.0 0

 


 

Applicazioni dei wafer di zaffiro immagini

 

Wafer di zaffiro in optoelettronica:

Substrato per LED blu/verdi/bianchi (epitassia InGaN/GaN).

Diodi laser (edge-emitting/VCSEL) in display e comunicazioni.

 

Wafer di zaffiro in Elettronica di potenza:

Dispositivi RF (antenne 5G/6G, amplificatori di potenza) grazie alla bassa perdita dielettrica.

Transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) per veicoli elettrici.

 

Wafer di zaffiro in Industria e difesa:

Finestre IR, cupole missilistiche (trasparenza dello zaffiro al medio-IR).

Coperture protettive per sensori in ambienti corrosivi/abrasivi.

 

Wafer di zaffiro in Tecnologie emergenti:

Quantum computing (substrati di cristallo SPD).

Schermi di dispositivi indossabili (coperture antigraffio).

 

Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano SSP, Densità DSP9.0 1Wafer di zaffiro 8' di diametro 200 mm ± 0,2 mm Spessore 725 Um C-Plano SSP, Densità DSP9.0 2

 


 

Specifiche

 

Parametro

Valore

Diametro 200 mm ±0,2 mm
Spessore 725µm ±25µm
Orientamento C-plane (0001) ±0,2°
Purezza >99,99% (4N)
Rugosità superficiale (Ra) <0,3 nm (epi-ready)
TTV ≤15um
WARP ≤30um
BOW -30~10um

 

 


 

Attrezzature di fabbrica

 

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