Evidenziare:
Wafer di carburo di silicio finto
, Wafer di carburo di silicio primario
, Wafer di carburo di silicio 4H-N
materiale: |
SIC di cristallo |
Tipo: |
N |
Dimensione: |
2/3/4/6/8/12 |
Spessore: |
500 mm±50 mm |
Orientazioni: |
40,0 gradi fuori asse + 0,5 gradi verso <11-20> |
Roverezza superficiale (faccia di carbonio): |
Ra < 0,5 nm con faccia di carbonio epi-pronta |
Resistenza: |
< 0,25 ohm.cm |
Roverezza superficiale (faccia in silicio): |
Polito ottico |
TTV: |
<10um> |
Inchinati.: |
<30um> |
involucro: |
<30um> |
Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade
4H-N 2/3/4/6/8/12 pollici di carburo di silicio (SiC) Substrato
Questa serie di prodotti fornisce substrati di carburo di silicio (SiC) di alta purezza in più diametri (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), progettati per semiconduttori avanzati, elettronica di potenza,e applicazioni optoelettronicheDisponibili nei gradi Prime (device-grade), Dummy (process-testing) e Research (experimental), questi substrati presentano un'eccellente conducibilità termica (> 400 W/m·K per il SiC), elevata tensione di rottura,e una stabilità chimica superiore.
Il primo grado garantisce una densità di difetto ultra-bassa, rendendolo ideale per dispositivi ad alte prestazioni come MOSFET, diodi Schottky e componenti RF.Il Dummy Grade offre soluzioni convenienti per l'ottimizzazione dei processi, mentre il grado di ricerca sostiene la R & S accademica e industriale nelle tecnologie dei semiconduttori a banda larga.
Con specifiche personalizzabili (doping, spessore, lucidatura), questi substrati soddisfano le rigide richieste di applicazioni di elettronica di potenza, comunicazioni 5G e veicoli elettrici (EV).
Tabella delle specifiche
| Proprietà |
Specificità |
| Materiale |
4H SiC |
| Imballaggio |
Confezione di wafer singolo |
| Tipo |
Tipo N |
| Diametro |
150 mm ± 0,25 mm (4 pollici) |
| Spessore |
500 μm ± 50 μm |
| Roverezza superficiale (faccia di carbonio) |
Ra ≤ 0,5 nm con faccia di carbonio epi-pronta |
| Roverezza superficiale (faccia in silicio) |
Polito ottico |
| Orientazioni |
40,0 gradi fuori asse ± 0,5 gradi verso <11-20> |
| MPD |
≤ 0,5/cm2 o meno |
| TTV/BOW/Warp |
< 10 μm /< 30 μm /< 30 μm |
| FWHM |
≤ 30 arc-sec o meno |
| Appartamento primario e secondario |
Non richiesto (non è richiesto la rettifica piana) |
| Resistenza |
< 0,25 ohm.cm |
Applicazioni delle Wafer SiC
I nostri substrati 4H-N sono progettati per tecnologie all'avanguardia in molteplici settori:
1. elettronica di potenza
- Veicoli elettrici (EV): MOSFET SiC ad alta tensione e inverter per una conversione efficiente della potenza.
- Sistemi di ricarica rapida: consente di utilizzare caricabatterie compatte e ad alta efficienza per veicoli elettrici e elettronica di consumo.
- Motori industriali: prestazioni robuste in ambienti ad alta temperatura.
2. RF e comunicazione wireless
- Stazioni base 5G: transistor ad alta frequenza con bassa perdita di segnale.
- Radar e sistemi satellitari: gestione potenza migliorata per applicazioni aerospaziali e di difesa.
3. Optoelettronica
- LED UV e laser: gestione termica superiore per applicazioni ad alta luminosità.
4Tecnologie di ricerca
- Ricerca sui semiconduttori a banda larga: studi fondamentali sulle proprietà dei materiali.
Domande frequenti (FAQ)
1Questi substrati possono essere personalizzati in termini di doping e di spessore?
Sì, offriamo varianti tipo N (dopato con azoto) e tipo P (dopato con alluminio) con resistenza regolabile.
2Qual e' il tempo di consegna per gli ordini?
- Dimensioni standard (2"-6"): 2-4 settimane.
- Grandi dimensioni (8"-12"): 4-6 settimane (a seconda della disponibilità).
3Come devono essere conservati e manipolati i substrati?
- Conservare in camera pulita (classe 1000 o superiore).
- Maneggiare con guanti di nitrile per evitare la contaminazione.
- Evitare lo stress meccanico sui bordi.
Il tuo messaggio deve contenere da 20 a 3000 caratteri!
