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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

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Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade
Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade Silicon Carbide SiC Wafer 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Type Prime / Dummy / Research Grade

Grande immagine :  Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: zmsh
Descrizione di prodotto dettagliata
materiale: SIC di cristallo Tipo: N
Dimensione: 2/3/4/6/8/12 Spessore: 500 mm±50 mm
Orientazioni: 40,0 gradi fuori asse + 0,5 gradi verso <11-20> Roverezza superficiale (faccia di carbonio): Ra < 0,5 nm con faccia di carbonio epi-pronta
Resistenza: < 0,25 ohm.cm Roverezza superficiale (faccia in silicio): Polito ottico
TTV: <10um> Inchinati.: <30um>
involucro: <30um>
Evidenziare:

Wafer di carburo di silicio finto

,

Wafer di carburo di silicio primario

,

Wafer di carburo di silicio 4H-N

 

4H-N 2/3/4/6/8/12 pollici di carburo di silicio (SiC) Substrato

 


Questa serie di prodotti fornisce substrati di carburo di silicio (SiC) di alta purezza in più diametri (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), progettati per semiconduttori avanzati, elettronica di potenza,e applicazioni optoelettronicheDisponibili nei gradi Prime (device-grade), Dummy (process-testing) e Research (experimental), questi substrati presentano un'eccellente conducibilità termica (> 400 W/m·K per il SiC), elevata tensione di rottura,e una stabilità chimica superiore.

 

Il primo grado garantisce una densità di difetto ultra-bassa, rendendolo ideale per dispositivi ad alte prestazioni come MOSFET, diodi Schottky e componenti RF.Il Dummy Grade offre soluzioni convenienti per l'ottimizzazione dei processi, mentre il grado di ricerca sostiene la R & S accademica e industriale nelle tecnologie dei semiconduttori a banda larga.

Con specifiche personalizzabili (doping, spessore, lucidatura), questi substrati soddisfano le rigide richieste di applicazioni di elettronica di potenza, comunicazioni 5G e veicoli elettrici (EV).

 

 

Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade 0

 


 

Tabella delle specifiche

 

 

Proprietà Specificità
Materiale 4H SiC
Imballaggio Confezione di wafer singolo
Tipo Tipo N
Diametro 150 mm ± 0,25 mm (4 pollici)
Spessore 500 μm ± 50 μm
Roverezza superficiale (faccia di carbonio) Ra ≤ 0,5 nm con faccia di carbonio epi-pronta
Roverezza superficiale (faccia in silicio) Polito ottico
Orientazioni 40,0 gradi fuori asse ± 0,5 gradi verso <11-20>
MPD ≤ 0,5/cm2 o meno
TTV/BOW/Warp < 10 μm /< 30 μm /< 30 μm
FWHM ≤ 30 arc-sec o meno
Appartamento primario e secondario Non richiesto (non è richiesto la rettifica piana)
Resistenza < 0,25 ohm.cm

 


 

Applicazioni delle Wafer SiC

 

I nostri substrati 4H-N sono progettati per tecnologie all'avanguardia in molteplici settori:

 

1. elettronica di potenza
- Veicoli elettrici (EV): MOSFET SiC ad alta tensione e inverter per una conversione efficiente della potenza.
- Sistemi di ricarica rapida: consente di utilizzare caricabatterie compatte e ad alta efficienza per veicoli elettrici e elettronica di consumo.

- Motori industriali: prestazioni robuste in ambienti ad alta temperatura.

 

2. RF e comunicazione wireless
- Stazioni base 5G: transistor ad alta frequenza con bassa perdita di segnale.
- Radar e sistemi satellitari: gestione potenza migliorata per applicazioni aerospaziali e di difesa.

 

3. Optoelettronica
- LED UV e laser: gestione termica superiore per applicazioni ad alta luminosità.

 

4Tecnologie di ricerca
- Ricerca sui semiconduttori a banda larga: studi fondamentali sulle proprietà dei materiali.

 

 

Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade 1Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade 2

 


 

Domande frequenti (FAQ)

 

1Questi substrati possono essere personalizzati in termini di doping e di spessore?

Sì, offriamo varianti tipo N (dopato con azoto) e tipo P (dopato con alluminio) con resistenza regolabile.

 

2Qual e' il tempo di consegna per gli ordini?

- Dimensioni standard (2"-6"): 2-4 settimane.
- Grandi dimensioni (8"-12"): 4-6 settimane (a seconda della disponibilità).

 

3Come devono essere conservati e manipolati i substrati?

- Conservare in camera pulita (classe 1000 o superiore).
- Maneggiare con guanti di nitrile per evitare la contaminazione.
- Evitare lo stress meccanico sui bordi.

Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Mr. Wang

Telefono: +8615801942596

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