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Buon prezzo 12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple in linea
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Wafer di semi di SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici Personalizzato per la produzione di MOSFET

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Wafer al quarzo da 8 pollici, diametro 200mm, TTV ≤10μm, Ra ≤1.0 Nm, per sensori di alta precisione

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Wafer di vetro di quarzo da 2 pollici DSP SSP Diametro 50,8 mm

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Alta precisione SIC Carburo di silicio ceramica Chuck Ceramica elemento aspirapolvere personalizzazione

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2' 4' InP Wafer Indium Fosfuro Wafer Semiconduttore Substrati 350um 650um

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Macchina quadrata a doppia stazione in silicio monocristallino 6/8/12 pollici con sbarramento ≤ 0,5 mm, alta precisione ± 0,05 mm

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Optoelettronica del substrato del carburo di silicio del politipo N di tipo 6H da 2 pollici Crescita del nitruro di gallio

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Wafer in carburo di silicio da 4 pollici di tipo N con opzioni di spessore multiple per propulsori EV e azionamenti motore ad alta densità

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​​Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR​​

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Wafer di carburo di silicio 4 pollici di diametro x 350um 4H-N tipo P/R/D grado MOSEFTs/SBD/JBS

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Ingotti di carburo di silicio da 6 pollici con alto campo di rottura, conduttività termica e ampia banda di energia per elettronica di potenza

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12 pollici di diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Carburo di silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conduttivo solare fotovoltaico

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