Dettagli del prodotto
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: Wafer di quarzo da 8 pollici
Termini di pagamento e spedizione
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: Pacchetto in lavanderia a 100 gradi
Tempi di consegna: 5-8weeks
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese
Diametro: |
200 mm (8 pollici) |
Intervallo di spessore: |
100 μm – 3000 μm |
Variazione totale dello spessore (TTV): |
≤10 μm |
Roverezza superficiale (Ra): |
≤1,0 nm |
Contenuto totale di impurezze: |
≤2.0 μg/g (Grado ad alta purezza) |
Applicazioni: |
Maschere di litografia a semiconduttore, Dispositivi ottici UV, Sensori MEMS, Sistemi laser |
Diametro: |
200 mm (8 pollici) |
Intervallo di spessore: |
100 μm – 3000 μm |
Variazione totale dello spessore (TTV): |
≤10 μm |
Roverezza superficiale (Ra): |
≤1,0 nm |
Contenuto totale di impurezze: |
≤2.0 μg/g (Grado ad alta purezza) |
Applicazioni: |
Maschere di litografia a semiconduttore, Dispositivi ottici UV, Sensori MEMS, Sistemi laser |
Il wafer di quarzo da 8 pollici è un materiale di substrato di precisione fabbricato in vetro di quarzo sintetico ad alta purezza (SiO₂), che offre proprietà fisiche, chimiche e ottiche eccezionali. Con un diametro standard di 200 mm (8 pollici) e spessore personalizzabile (ad esempio, 0,5 mm–10 mm), è ampiamente utilizzato in applicazioni di fascia alta nel settore dei semiconduttori, optoelettronica e ottica. Grazie alla sua purezza ultra-elevata (≥99,99%), al basso coefficiente di espansione termica, all'eccezionale stabilità termica e alla superiore trasmittanza UV-IR, i wafer di quarzo sono la scelta ideale per processi critici come la fotolitografia, l'incisione e il deposito di film sottili. Inoltre, le loro proprietà dielettriche stabili e la resistenza alle radiazioni li rendono adatti per sensori di alta precisione e componenti di grado aerospaziale.
Parametri | Valori/Specifiche |
Diametro | 200 mm (8 pollici) |
Intervallo di spessore | 100 μm – 3000 μm |
Variazione totale dello spessore (TTV) | ≤10 μm |
Rugosità superficiale (Ra) | ≤1.0 nm |
Contenuto totale di impurità | ≤2.0 μg/g (Grado ad alta purezza) |
Coefficiente di espansione termica | 0.55×10⁻⁶/K (20–300°C) |
Resistenza alla temperatura | Punto di rammollimento 1683°C, Tolleranza a breve termine fino a 1450°C |
Trasmittanza UV | >90% Trasmittanza media (200–260 nm) |
Applicazioni | Maschere di litografia a semiconduttore, dispositivi ottici UV, sensori MEMS, sistemi laser |
1. Elevata purezza (≥99,99%): Minimizza le impurità nei processi dei semiconduttori, migliorando la resa.
2. Eccellente stabilità termica: Punto di rammollimento fino a 1730°C, adatto per processi ad alta temperatura (ad esempio, diffusione, ossidazione).
3. Bassa espansione termica (5.5×10⁻⁷/°C): Riduce la deformazione sotto stress termico, migliorando la precisione di lavorazione.
4. Elevata trasmittanza (185nm–2.5μm): Ideale per la litografia UV, sensori ottici e applicazioni laser.
5. Resistenza chimica: Resiste agli acidi forti (eccetto HF) e agli alcali, adatto per ambienti di incisione a umido.
6. Elevata planarità (<1μm TTV): Assicura uniformità nella fotolitografia e nel deposito di film sottili.
Settore | Applicazioni | Vantaggi principali |
Semiconduttori | Substrati per fotomaschere, supporti per incisione, tamponi per lucidatura CMP, vassoi per processi di diffusione | Stabilità alle alte temperature, difetti ultra-bassi, garantisce la precisione di fabbricazione dei chip |
Fotovoltaico | Processi PECVD per celle solari, supporti per forni di diffusione, substrati per deposizione di film sottili | Resistenza agli shock termici, migliora l'efficienza delle celle |
Optoelettronica | Substrati LED/LD, finestre laser, protezione per sensori ottici | Elevata trasmittanza UV-IR, bassa fluorescenza, migliora le prestazioni del dispositivo |
Ottica di precisione | Substrati per lenti, prismi, divisori di fascio, finestre IR | Bassa espansione termica, elevata omogeneità, garantisce la stabilità del sistema ottico |
Ricerca e laboratorio | Dispositivi a radiazione di sincrotrone, esperimenti VUV, rivelatori di fisica delle alte energie | Resistente alle radiazioni, resiste ad ambienti estremi |
Aerospaziale | Finestre ottiche satellitari, finestre di osservazione ad alta temperatura per veicoli spaziali | Resistenza ai raggi cosmici, resistenza agli shock termici, pronto per lo spazio |
· Dimensioni multiple: wafer da 2"–12", con personalizzazioni non standard (ad esempio, quadrati, forme speciali).
· Forme diverse: rotonde, quadrate, anulari, a settore, ecc., su misura per le esigenze delle apparecchiature.
· Opzioni di materiale: quarzo sintetico (JGS1/JGS2/JGS3), silice fusa, quarzo a basso contenuto di OH.
· Trattamenti superficiali: lucidatura, rivestimenti (AR/IR/DLC), foratura, scanalatura, ecc.
· Soluzioni specifiche per il settore: componenti in quarzo personalizzati per semiconduttori, fotovoltaico, comunicazioni ottiche, ecc.
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ZMSH fornisce finestre in vetro di quarzo personalizzate di precisione per sistemi ottici UV-Vis-IR. Le caratteristiche personalizzabili includono:
· Forme: rotonde, quadrate, rettangolari o geometrie complesse.
· Dimensioni: diametro 1 mm–500 mm, spessore 0,1 mm–50 mm.
· Finiture superficiali: lucidatura su entrambi i lati, rivestimenti AR, rivestimenti metallici.
· Applicazioni: finestre laser, oblò per vuoto, mirini ad alta temperatura, componenti per spettrometri.
Dotato di tecnologie avanzate di incisione CNC, taglio laser e rivestimento, ZMSH garantisce un'elevata trasmittanza, una bassa distorsione del fronte d'onda e una durata ambientale.
Prototipazione e produzione di massa disponibili: contattaci per soluzioni su misura!
FAQ
R: Lo spessore standard varia da 0,5 mm a 1,0 mm, con opzioni personalizzate fino a 10 mm per applicazioni specifiche nel settore dei semiconduttori.
2. D: Perché utilizzare wafer di quarzo invece di wafer di silicio?
R: I wafer di quarzo offrono una trasparenza UV superiore (>90% @193nm), una maggiore stabilità termica (fino a 1730°C) e una migliore resistenza chimica rispetto al silicio per la litografia e i processi in ambienti difficili.
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